0401半导体三极管

三极管只要讲什么呢，
4.1 半导体器件的工作原理
4.2 怎样构成一个放大电路
4.3 放大电路的分析方法
4.4 温度对静态工作点的影响和如何解决
4.5/4.6 方法的具体应用
基本概念、原理、方法、应用

4.1.1 BJT的结构简介
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
4.1.4 BJT的主要参数

4.1.1 BJT的结构简介

BJT的外形

BJT的分类

按半导体材料分：硅三极管（0.7V）、锗三极管（0.3V）
按工作频率分：高频管、低频管
按功率分：功率管、开关管

be之间的符号为P区指向N区的方向。由这一点就很好区分NPN和PNP型三极管。

集成电路中典型NPN型BJT的截面图
引出来的引脚都是铝脚，

结构特点 ：
发射区的掺杂浓度最高；发射载流子
集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；易收集载流子
基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。易穿过载流子，传送和控制载流子
其余部分为隔离的部分

4.1.2 放大状态下BJT的工作原理

三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。
外部条件：发射结正偏，集电结反偏

PN结：
PN结带正向电压，为多数载流子的扩散运动
PN结带反向电压，为少数载流子的漂移运动

内部载流子的传输过程

ICBO 集电极和基极形成的反向饱和电流
圆圈 空穴
实心 自由电子
这个电流还太小了，并且不受控
IC=-iD 即二极管PN结的反向电流
vcb=-vD 即反向电压

同时电流还是比较小，于是改进电路，使得be之间增加电压，使得集电结反偏

改变发射结正偏电压，有不同的iB和iE，导致不同的iC，
后面的曲线还综合反映了iB电流的一组曲线

vB不同，iB不同，导致IC不同

最下面的那条输出曲线，
存在的电流为PN结电压电流关系，VBE=0时，
CB之间由本征激发的少数载流子的漂移运动引起的

1.此时，可导电。
2.可受控制，大电流
所以具有放大作用

电流分配关系

因为载流子在基区会和空穴复合掉一部分，所以只能到0.9~0.99
但是基区浓度较低，而且薄，所以发射区的载流子不会被复合很多
E区电子进入B区，电子在电场作用下，很快进入C区。（在原先已有的PN结，加上集电结反偏电压）

市面上，β一般在几十到两百之间
可以用万用表测量β的值，
I_B不会影响β的值，且放大区内基本稳定

三极管放大作用最本质的关系 ∆i_C=β∆i_B
放大的本质是控制

三极管的三种组态

始终不能做输入的电极：集电极
始终不能做输出的电极：基极
因为有这两个约束条件，所以只剩下这三种连接方式
公共电极是既做输入电极，又做输出电极

放大作用

若，。。。。使。。。。。
因为改变Ib的值，其实就是在输入特性曲线上做变化，变化BE之间的值，会有IB之间的变化，会有IC之间的变化，iE之间的变化

体现输入对输出的控制

综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。
实现这一传输过程的两个条件是：
（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。
（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。

三极管的放大增益和三极管本身有关系
还有负载电阻/三极管所处的PN结的状态有关系

内部条件可以看datasheet，制造商制造的时候就已经确定好了
用的时候就是选型和注意外部条件

4.1.3 BJT的I－V 特性曲线

输入特性曲线 (以共射极为例)

当发射极载流子被集电极收收集到的时候，增大v_BE也没啥用了
v_CE=v_CB+v_BE
v_CE=0时，集电结正偏，无收集载流子的能力
当v_CB=0时0V时，原来的PN结也有电场能力，导致能够有收集载流子的能力

输出特性曲线

饱和区：一般时因为i_B太大，导致βi_B>i_C了，因为i_C只能有这么大，大不上去了
截止区：存在电流是因为v_CB之间存在有本征激发的少数载流子的漂移运动。
饱和区和截止区不能反映控制关系，在放大作用的时候，尽量不用他们
I_CEO=（1+β）I_CBO
CE之间少数载流子的漂移运动

能反映控制关系的在放大区，i_B增加，i_C也会增加
如果i_B和i_C等间距，那就会有线性控制的关系了

4.1.4 BJT的主要参数

电流放大系数

从此处可以看出，实际的β并不是理想的，当i_C或i_B电流到一定的程度之后，β会减小。（受工作条件的限制）
此时β就显示不出它的放大能力了，（做开关用了）
上面那条曲线就是实际测量的β的曲线

I_CBO是本征半导体激发的少数载流子

极间反向电流

断开发射结测量

断开基极测量

极限参数

两个PN结的反向击穿电压和 V_CEO的电压

在放大时，不能让三极管工作在击穿，过流，过损，截止和饱和区

1.不能，因为三极管各区的浓度和尺寸不同
2.CE端对调，不会烧坏，但是放大系数会很小，在做正常放大的时候，不会用这种CE倒置，（因为发射区和集点区的作用时是不一样的）
3.供电电源提供