03二极管及其基本电路

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分类专栏： # 电子元器件模拟电子技术基础文章标签：笔记硬件工程

于 2024-04-16 19:26:37 首次发布

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本文详细介绍了半导体二极管的基本特性，包括单向导电性、反向击穿、电容效应，以及它们在整流、稳压、开关等电路中的应用。文章还涵盖了特殊二极管如稳压二极管、肖特基二极管和TVS二极管的特点和用途。此外，讨论了如何根据电路需求选择合适的二极管类型和参数，以及结温管理和静电防护的重要性。

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二极管的基础知识

半导体二极管有哪些特性？为什么会有如此特性？
二极管可以用来做什么？如何分析设计？
有哪些特殊二极管？它们各自有什么特性？可用来做什么？

半导体物理及器件讲PN结讲的比较清楚

封装

区分贴片二极管正负极：有明显标识的是负极（四条线、两条线或者白色长方块）在这里插入图片描述
半导体二极管(PN结)主要特性：单向导电、反向击穿、电容效应

单向导电

二极管外加正向偏置电压时导通，加反向电压时截止。（“偏置”对应英文bias一词，意指差值）
在这里插入图片描述
模电里面的器件都不是线性器件，不能再用中学阶段的电阻等线性器件来分析了。半导体器件要用半导体器件的思维进行分析

反向击穿

当反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为反向击穿。
在这里插入图片描述
热击穿——不可逆
雪崩击穿、齐纳击穿电击穿——可逆
齐纳二极管（稳压管）就是利用该特性实现稳压的

电容效应

两电极间存在一个等效电容Cd，其容量与制造工艺、尺寸及外加电压有关。
利用这一特性制成的变容二极管

（a）符号（b）结电容与电压的关系（纵坐标为对数刻度）

二极管应该有哪些主要参数？

最大整流电流I F
反向击穿电压V BR
反向电流I R
最大耗散功率P max
最高工作频率f max
极间电容C d
反向恢复时间T RR

为什么会有这些特性？

基本知识：根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。

硅晶体的空间排列
在这里插入图片描述
硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构

本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。
空穴——共价键中的空位。
电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。
空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。
在这里插入图片描述
杂质半导体——掺入杂质的本征半导体。在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。
N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。
P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。

N型半导体

因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。
在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。
提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。
在这里插入图片描述

P型半导体

因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。
在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子，由热激发形成。
空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。
在这里插入图片描述

杂质对半导体导电性的影响

掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下:
1.T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n = p =1.4×10¹⁰/cm3
2.掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度:
n=5×10¹⁶/cm3
3.本征硅的原子浓度: 4.96×10²²/cm3

以上三个浓度基本上依次相差10⁶/cm3 。

由此可以看出：多数载流子（多子），它主要由掺杂形成；少数载流子（少字），由热激发形成

PN结形成

漂移运动：
在电场作用引起的载流子的运动
扩散运动：
由载流子浓度差引起的载流子的运动
在这里插入图片描述

在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:

最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。

对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。
在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

二极管内实际上就是一个PN结，其中P型区引出的电极就是阳极，N型区引出的电极则是阴极。 PN结特性决定了二极管特性。

在这里插入图片描述

PN结特性

单向导电性

当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，为正向电压，简称正偏；反之为反向电压，简称反偏。
(1) PN结加正向电压时，低电阻，大的正向扩散电流
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

(2) PN结加反向电压时，高电阻，很小的反向漂移电流
在这里插入图片描述
在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。

反向击穿

当PN结两端的反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加的现象称为PN结的反向击穿（电击穿）。发生击穿所需的反向电压VBR称为反向击穿电压。PN结反向击穿后电流很大，升温较快，易烧毁PN结。反向击穿电压的大小与PN结制造参数有关。

在这里插入图片描述

一般在杂质浓度特别高的PN结中才能出现齐纳击穿，所以多数出现在特殊的二极管中，如齐纳二极管（稳压管）
电击穿是可逆的，当反向电压降低后，管子仍可以恢复原来的状态。但前提条件是反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率，即不出现热击穿。

电容效应

势垒电容C_B
在这里插入图片描述
外加电压变化——>离子层厚薄变化——>等效于电容充放电
浓度受反向电压的影响

扩散电容C_D
外加电压变化——>扩散到对方区域在靠近PN结附近累积的载流子浓度发生变化
——>等效于电容充放电
在这里插入图片描述
并不是P型半导体过去多少个空穴就复合了多少个空穴，而是有相当一部分没有被复合
所以Pn描述的是N型区里面的空穴浓度
（累计的浓度受正向电压的影响）

等效电容就是势垒电容和扩散电容综合的效果

二极管可以用来做什么？

利用单向导电性：
整流电路、限幅电路、钳位电路、开关电路

利用反向击穿特性：
限幅电路、稳压电路

利用正向特性：
低电压稳压电路

利用电容效应：
压控谐振电路

先介绍其中几个，其他的后面再陆续补充

如何分析设计？

工程方法：

图解法
二极管简化模型分段等效 + 电路理论方法（线性）
设计实际电路时，还必须同时考虑二极管的相关参数，特别是极限参数，以便选用相应型号的二极管。

二极管是一种非线性器件，但非线性电路的分析方法比较复杂，除图解法外，本课程均采用线性电路分析方法。
符号中大小写的含义：
大写字母大写下标：静态值（直流），如，I_B
小写字母大写下标：总量（直流+交流），如，i_B
小写字母小写下标：瞬时值（交流），如，i_b

大信号模型

在这里插入图片描述

在这里插入图片描述
直流通路、交流通路、静态、动态等概念，在放大电路的分析中非常重要

个人感触：大信号，用来做开关的
小信号：用来放大的

有哪些特殊二极管？它们各自有什么特性？可用来做什么？

齐纳二极管（稳压二极管）变容二极管肖特基二极管光电子器件
在这里插入图片描述

怎样判断标准掌握好二极管（什么样的电路适合用什么样的管子）

每类二极管更加关注哪个参数

定义：二极管属于半导体，它由N型半导体与P型半导体构成，它们相交的界面上形成PN结。
特性：单向导电性！正极接高电位，负极接低电位时导通，反之截止！
所以二极管的方向性是非常重要的

二极管的最高反向电压通常是击穿电压的一半（稳压二极管不是工作在雪崩击穿，是工作在齐纳击穿）

符号：
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

正向特性：不能过流，否则烧坏
反向特性：反向击穿（到达一定反向电压）

二极管的分类：

稳压二极管、肖特基二极管、通用二极管、整流桥、快恢复/高效率二极管、开关二极管、超壁垒整流器(SBR)、变容二极管、雪崩二极管、触发二极管、静电和浪涌保护（TVS/ESD）、发光二极管(LED)、气体放电管（GDT）、半导体放电管、玻璃放电管。

每一类二极管有什么特性

在这里插入图片描述

整流二极管

对通过的大电流或高电压进行整流。
型号如1N4001,~1N4007整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高，但PN结电容比较大，一般广泛应用于处理频率不高的电路中。例如整流电路、嵌位电路、保护电路等。
整流二极管在使用中主要考虑的问题是最大整流电流和最高反向工作电压应大于实际工作中的值。

开关二极管（详见datasheet）（更加关注反向恢复时间）

定义:半导体二极管导通时相当于开关闭合(电路接通)，截止时相当于开关打开(电路切断)，所以二极管可作开关用。
开关二极管是专门用来做开关用的二极管，它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短。
开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。

稳压二极管（齐纳二极管 zener diode）

稳压管：当负极往正极流过电流（一般大于2mA）,稳压管两端出现一个稳定的电压。
在电路中需要串联一个电阻，起到限流作用

在这里插入图片描述
应用的是 Iz变化的这一段在击穿区这一段应用
电压几乎不变，电流变化特别大

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电流不能无限增大，
应用：稳压、过压保护

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并联基本上不会出现，串联经常出现（而且串联的电流取决于小的电流）

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加压保护

热插拔保护作用

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稳压管选型计算例题（此处没考虑降额，只考虑了没有负载时的电流）
实际应用得考虑降额哦，不然会坏。

在这里插入图片描述
类似于LDO内部的一部分电路

二极管的结温：（半导体工作时PN结会产生的最大温度）

结温（Junction Temperature）

结温是处于电子设备中实际半导体芯片（晶圆、裸片）的最高温度。它通常高于外壳温度和器件表面温度。结温可以衡量从半导体晶圆到封装器件外壳间的散热所需时间以及热阻。
最高结温（Maximum junction temperature），器件结温越低越好
　　最高结温会在器件的datasheet数据表中给出，可以用来计算在给定功耗下器件外壳至环境的热阻。这可以用来选定合适的散热装置。
如果器件结温超过最高工作温度，器件中的晶体管就可能会被破坏，器件也随即失效，所以应采取各种途径降低结温或是让结温产生的热量尽快散发至环境中。
首先必须保证芯片的结温在其可以承受的范围之内。工业级产品一般规定范围是-20_{85℃，军品或者汽车级能达到-40}125℃
对于搞芯片散热的工作目标就是把结温控制在范围内吗？还是控制在最佳的温度范围内？有所谓的最佳温度范围吗？
追答：对的特别随着芯片的功耗越来越大，在工作的时候就会产生越来越多的热量。如果要维持芯片的结温在正常的范围以内，就需要采取一定的方法使得芯片产生的热量迅速发散到环境中去。
而芯片工作性能最好情况也只在部分温度范围，在恶劣环境情况下性能肯定会下降，这就对芯片设计提出很高的要求，要在全温度全工艺角情况下满足指标要求才行
　　结温为：热阻×输入功率+环境温度,因此如果提高接合温度的最大额定值,即使环境温度非常高,也能正常工作。
　　一个芯片结温的估计值Tj，可以从下面的公式中计算出来：
　　Tj=Ta+( R θJA × PD )
　　Ta = 封装的环境温度 ( º C )
　　R θJA = P-N结至环境的热阻 ( º C / W ) （数据手册一般会提供）
　　PD = 封装的功耗即功率 (W) 芯片功耗 = Pin-Pout
关于PD,例如如果输入电流为12V，采用78M05进行稳压，稳压到5V，最大输出电流为0.3A ,则78M05消耗的（最大）功耗为P=（12V-5V）x 0.3A=2.1W
推荐以Tj 的最高容许温度的80%为基准来进行热量设计。（如结温为80度，器件允许的工作温度应该要为100度）