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一.S3C2440的启动方式
S3C2440的MMU有一种“steppingstone”.技术,是协助MCU从无法执行程序的NAND FLASH执行启动程序的一种方法,其启动步骤如下:
- 1、系统上电后,首先自动判断是否是autoboot模式,如果使用 s3c2440是带有nandflash的,并且被设置成autoboot,从nandflash开始启动.
- 2、在判断是autoboot模式后,mcu内置的nandflash控制器自动将nandflash的最前面的4k区域(这4k区域存放着 bootloader的最前面4k代码)拷贝到samsung所谓的"steppingstone"里面(steppingstone是在S3C2440 中,实际上是一块4k大小的SRAM,).
- 3、在拷贝完前4k代码后,nandflash控制器自动将"steppingstone"映射到arm地址空间0x00000000开始的前4k区域.
- 4、在映射过程完成后.nandflash控制器将pc指针直接指向arm地址空间的0x00000000位置,准备开始执行"steppingstone"上的代码.
- 5、而"steppingstone"上从nandflash拷贝过来的4k代码,是程序员写的bootloader的前4k代码.这个 bootloader在之前写好,并已经被烧写到nandflash的0x00000000开始的最前面区域…而这"steppingstone"上的 4k代码就是bootloader的前4k代码.
- 6、在pc指向arm地址空间的0x00000000后,系统就开始执行指令代码.这4k代码的任务是:初始化硬件,设置中断向量表,设置堆栈,然后一个很重要的任务是,将nandflash的最前面区域的bootloader(包含4k启动代码)拷贝到SDRAM中去,bootloader代码的大小是写好bootloader就确定的.然后只需要确定bootloader想映射到SDRAM的起始位置就ok.
- 7、在完成对nandflash上的bootloader搬移后,找到4k代码的搬移代码最后一个指令的下一个指令在SDRAM的bootloader的地址,然后跳转到该位置,继续执行bootloader的剩余代码(引导系统).
二.代码
汇编代码:
/* 相当于宏定义,定义存储控制器和SDRAM的基地址 */
.equ MEM_CTL_BASE, 0x48000000
.equ SDRAM_BASE, 0x30000000
.text
.global _start
_start:
/* 采用调用函数的形式 */
bl watch_dog_close @关闭看门狗
bl memsetup @设置存储控制器的13个寄存器
bl copy_steppingstone_to_sdram @将Steppingstone的4KB复制到SDRAM
ldr pc, =on_sdram @当前程序跳转到SDRAM中去执行
on_sdram:
ldr sp, =0x34000000 @设置栈
bl main @跳转去执行main函数
halt_loop:
b halt_loop
watch_dog_close:
/* 关闭看门狗,否则会一直重启,地址0x53000000,[0]位写0关闭 */
ldr r0, =0x53000000
ldr r1, =0
str r1, [r0]
mov pc, lr
memsetup:
/* 存储控制器的寄存器配置,配置存储控制器以使用SDRAM */
mov r1, #MEM_CTL_BASE
adrl r2, mem_cfg_val @将13个寄存器的值伪读取取到r2中
add r3, r1, #52 @r3=r1+52 52:13*4(13个4Byte寄存器)
1:
ldr r4, [r2], #4 @将r2中的值读取到r4中,然后r2+4
str r4, [r1], #4 @将r4的内容写到r1中存储的地址后,r1中地址+4(初次r1地址为MEM_CTL_BASE)
cmp r1, r3 @比较r1中现在的地址,看看是否完成13个寄存器的相应配置(13*4Byte)
bne 1b @如果未完成,继续
mov pc, lr @完成后,返回_start继续执行
.align 4
mem_cfg_val:
/* 存储控制器的13个寄存器的设置值 */
.long 0x22011110 @BWSCON
.long 0x00000700 @BANKCON0
.long 0x00000700 @BANKCON1
.long 0x00000700 @BANKCON2
.long 0x00000700 @BANKCON3
.long 0x00000700 @BANKCON4
.long 0x00000700 @BANKCON5
.long 0x00018005 @BANKCON6
.long 0x00018005 @BANKCON7
.long 0x008c07a3 @REFRESH
.long 0x000000b1 @BANKSIZE
.long 0x00000030 @MRSRB6
.long 0x00000030 @MRSRB7
copy_steppingstone_to_sdram:
/* 将Steppingstone的4KB数据复制到SDRAM中
* Steppingstone的基地址为:0x00000000
* SDRAM的基地址为:0x30000000
*/
mov r1, #0 @Steppingstone基地址
ldr r2, =SDRAM_BASE
mov r3, #4*1024
1:
ldr r4, [r1], #4 @从源地址读取4Byte数据
str r4, [r2], #4 @将源地址的4Byte数据写入目标地址
cmp r1,r3 @对比是否复制完毕
bne 1b
mov pc, lr @完成后,返回_start继续执行
Makefile:
all:
arm-linux-gcc -c -o main.o main.c
arm-linux-gcc -c -o head.o head.S
arm-linux-ld -Ttext 0x30000000 head.o main.o -o sdram.elf
arm-linux-objcopy -O binary -S sdram.elf sdram.bin
arm-linux-objdump -D sdram.elf > sdram.dis
clean:
rm *.o *.elf *.dis
Makefile中:arm-linux-ld -Ttext 0x30000000 head.o main.o -o sdram.elf
连接到了SDRAM的基地址0x30000000