双端口 RAM 和多模块存储器

双端口 RAM

• 空间并行
• 指存储器的两端都能够进行读出或者写入
  那么当两端同时写入时，便会出现写错误
  故引入 $\overline{BUSY}$，当该信号为 0 时，由判断逻辑决定关闭一个端口，另一个端口正常进行 R/W，关闭的端口隔一个很短的时间周期后再开启

多模块存储器

• 时间并行
• 思路：CPU 的运行速度比存储器的要快得多

单体多字存储器

• 存储器只有一个存储体，每个存储单元容量为 m 个字，带宽为 m 个字
• 单体多字系统的 CPU 每隔 1/m 个存取周期向主存中取一条指令
• 缺点：指令和数据必须是连续存放的

多体并行存储器

• 由多体模块组成

高位交叉编址（连续）

• 挨个顺序访问存储单元
• 高位是体号，低位是体内地址
  

低位交叉编址（交叉）

• 比如有 m 个存储器，那么模块号 = 单元地址 % m （即体号）
• M0：0，m，…，（k - 1）m
  M1：1，m + 1，…， （k - 1）m + 1
• 高位为体内地址，低位为体号
• 这种方式可实现并行访问，比如前四个可同时分别访问四个存储体，那么就获得了前四个存储单元，提高了带宽（比如模块数是 4，那么连续读取四个存储单元时，其所需时间为 1 个存储周期 + 3 个总线传输周期，存储周期里包含总线传输周期，所以后面只需要 3 个）