双口RAM多模块存储器

双口RAM多模块存储器

双口RAM

在这里插入图片描述

两个端口对同一主存操作有以下4种情况:

  1. 两个端口不同时对同一地址单元存取数据,可以运行
  2. 两个端口同时对同一地址读取数据,可以运行
  3. 两个端口同时对同一地址单元写入数据,写入错误
  4. 两个端口同时对同一地址单元,一个写数据,一个读数据,读出问题

解决方案:

置"忙"信号为0,由判断逻辑决定暂时关闭一个端口(即被延时),未被关闭的端口正常访问
,被关闭的端口在一个很短的时间间隔后再进行访问

多模块存储器

既能并行工作,又能够交叉工作
普通存储器:每行为1个存储单元在这里插入图片描述

多模块存储器的构成方式

  1. 单体多字存储器
  2. 多体并行存储器

单体多字存储器

在这里插入图片描述

  1. 每个存储单元存储m个
  2. 总线宽度为m个字,一次并行读出m个字
  3. 指令和数据在主存内必须是连续存放的

多体并行存储器

在这里插入图片描述

  1. 每个模块都具有相同的容量和存取速度
  2. 各个模块都具有独立的读写控制电路、地址寄存器和数据寄存器

在这里插入图片描述

设每个存储体的存储周期为T
在这里插入图片描述

高位交叉编址的多体存储器
耗时计算:n个连续存储字,耗时 n T nT nT

低位交叉编址的多体存储器
耗时计算:n个连续存储字,耗时 T + ( n − 1 ) τ T+(n-1)\tau T+(n1)τ

流水线
微观(计算题)

模块数m=4,存储周期为T,字长为W,数据总线宽度为W,总线传输周期为r,连续存储n个字,求
交叉存储器的带宽

连续存储n个字的耗时: t = T + ( n − 1 ) τ , m ≥ T τ t=T+(n-1)\tau,\quad m\ge\frac{T}{{\tau}} t=T+(n1)τ,mτT
带宽: 带 宽 = n ∗ W T + ( n − 1 ) τ 带宽=\frac{n*W}{T+(n-1)\tau} =T+(n1)τnW

宏观(概念题)
在一个存储周期内,交叉存储器可以提供的数据量为单个模块的m倍

多体并行存储器在并行工作的时候,如果搭配总线宽度为mW,可以同时取出的长度为mW的数据

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