组原3_双端口RAM 和 多模块存储器

最新推荐文章于 2023-10-21 19:49:01 发布
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分类专栏： 计算机组成原理
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目录

1. 优化思路

2. 双端口 RAM

3. 单体多字存储器

4. 多体并行存储器

 

1. 优化思路

对存储器工作的优化就在于能够把 恢复时间 通过一定的方法利用起来。
基本的思路就是对多个不同时间能够进行不同存取的存储单元进行并行操作。或者采用流水线的方案，当某个存储单元进入恢复时间的时候，可以对其它单元进行存取。 

 

 

 

 

 

2. 双端口 RAM

两个端口，两个CPU  (CPU1  CPU2)

 

 

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CS_Mr M
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双口RAM和多模块存储器
xiaotai1234的博客
07-26 442
双口RAM和多模块存储器 1.存取周期 2.双端口RAM 3.多模块存储器 4.多体并行存储器 5.总结
双端口RAM和多模块存储器
qq_45348484的博客
03-16 2051
双端口RAM和多模块存储器 一、双端口RAM 定义：双端口RAM是指同一个存储器有左右两个独立的端口，分别具有两组相互独立的地址线、数据线和读写控制线，允许两个独立的控制器同时异步地访问存储单元。 缺陷：当两个端口的地址不相同时，在两个端口上进行读写操作一定不会发生冲突。两个端口同时存取存储器的同一地址单元时，会因数据冲突造成数据存储或读取错误。两个端口对同一主存操作有以下4种情况： （1）两个端口不同时对同一地址单元存取数据； （2）两个端口同时对同一地址单元读出数据； （3）两个端口同时对同一地址
简单双端口RAM设计（带下载链接）
weixin_42905573的博客
04-29 1088
1，设计需求设计一个双端口的RAM，具有独立的读写时钟，独立读写地址和数据端口，具有复位功能，并具有读和写的使能信号。2，端口设计写通道（write）Wrclk 输入端口写通道的时...
计算机组成原理之双端口RAM和多模块存储器
01-31
"计算机组成原理之双端口RAM和多模块存储器" 计算机组成原理中，双端口RAM和多模块存储器是两种重要的存储器优化技术。在本节中，我们将学习这两种技术如何解决多核CPU访问内存的速度问题。 一、存取周期 在学习...
dual-port-RAM.zip_dual ram_双端口 ram
09-19
4. **MegaWizard工具**：在 FPGA（Field-Programmable Gate Array）设计中，常常使用如Xilinx的MegaWizard之类的工具来生成双端口RAM模块。这些工具简化了设计过程，自动生成必要的逻辑门电路，同时允许用户定制端口...
ram.rar_ram_ram verilog_ram veril_verilog ram_双端口ram
09-24
双端口RAM，顾名思义，是具有两个独立读/写端口的存储器，允许同时从一个端口读取数据，同时在另一个端口写入数据。这对于高性能的系统，如处理器缓存或者并行处理单元中的共享内存至关重要。在Verilog中，设计这样...
DULE-RAM.zip_DULE_RAM_RAM VERILOG_ram_双口 RAM_双口RAM verilog
09-23
双口RAM（Dual-Port RAM）是数字设计中一种重要...掌握双口RAM的设计方法有助于理解更复杂的存储结构，如多端口RAM、SRAM和FIFO等。同时，这也是学习嵌入式系统、处理器设计和VHDL/VERILOG硬件描述语言的重要实践环节。
hh.rar_RAM VERILOG_ram_verilog双口ram_双口RAM verilog_双口ram
09-24
这种特性使得双口RAM在需要并发读写操作的场合非常有用，如DMA（直接存储器访问）控制器、多处理器系统或网络交换机等。 2. **Verilog描述双口RAM** 在Verilog中，双口RAM的实现通常通过实例化基本的单口RAM单元并...
深度为8，位宽为8bit的双端口RAM
StephenX9760的博客
04-24 1045
双端口RAM具有两套地址总线，一套用于读数据，另一套用于写数据，两者可以分别进行操作。 module ram_dual(clk1,clk2,q,addr_in,addr_out,d,we,rd); input clk1,clk2,we,rd; input [2:0] addr_in,addr_out; input [7:0] d; output [7:0] q; reg [7:0] q; reg [7:0] mem [7:0]; always @ (posedge clk1) begi
【STM32】STM32内存映射以及启动过程（超详细过程）
涛涛子的博客
03-19 6585
映射其实就是对应的意思。事实上存储器本身并不具备地址，将芯片理论上的地址分配给存储器，这就是存储器映射。STM32 的所有片内外设其实都是存储器，所以所有的这些存储器都需要被映射。 理论上**地址起始就是门牌号**，存储中的每个字节就是房间，存储器生产出来后，这些房间是没有地址的(门牌号)，映射的过程其实就是将这些门牌号分配给这些房间，分配好后，每个门牌号只能访问自己的房间，没有被分配的地址就是保留地址，所谓保留地址的意思就是，没有对应实际存储空间。
计算机组成原理 new14 双端口RAM和多模块存储器
最新发布
weixin_59112191的博客
10-21 593
首先我们需要知道什么是程序的局部性原理：对于高位交叉编址和低位交叉编址来说，其中空间局部性都是能够满足的，但是时间局部性高位交叉编址无法满足，因为其存储单元是在相同的存储器芯片内连续存放，其每次读完一个存储单元都需要一段恢复时间，而低位交叉编址中，连续的存储单元在不同的存储器芯片，所以可以实现较短时间的访问连续的存储单元。而多模块存储器中，通过将数据放在不同的存储器芯片，可以使得宏观上不需要等待存储器芯片的恢复时间，可以更快的取出数据，所以对于存储器而言，吞吐率应该是取出数据的速度。
3.6双端口RAM和多模块存储器
人生得意须尽欢
01-31 2894
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 STM32启动文件学习总结
dongchun_lin的博客
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STM32启动文件学习总结 1.概述 1.1学习目的 初次学习STM32，在学习的过程思考了一个问题，那就是STM32以嵌入式C为主，因此main函数就自然而然的成了程序运行的起点。那么问题来了，为什么单片机上电后，就一定是从mian函数开始执行的呢？它是如何寻址的呢？回想我们曾经学过的STC89C51还是现在学的STM32在学习编写代码...
嵌入式分享合集37
whaosoft143ai的博客
08-15 732
这里使用一张向量表。栈的作用是用于局部变量，函数调用，函数形参等的开销，栈的大小不能超过内部SRAM 的大小。如果我们在使用某个外设的时候，开启了某个中断，但是又忘记编写配套的中断服务程序或者函数名写错，那当中断来临的时，程序就会跳转到启动文件预先写好的空的中断服务程序中，并且在这个空函数中无线循环，即程序就死在这里。程序下载完成后，又有需要将BOOT0设置为GND，手动复位，这样，STM32才可以从Flash中启动可以看到， 利用串口下载程序还是比较的麻烦， 需要跳帽跳来跳去的，非常的不注重用户体验。..
【嵌入式 – GD32开发实战指南(ARM版本)】第1部分 基础篇 - 第4章 GD32启动流程详解(Keil版)
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开发环境： MDK：5.30 MCU：GD32F207IK 对于我们常用的桌面操作系统而言，我们在开发应用时，并不关心系统的初始化，绝大多数应用程序是在操作系统运行后才开始运行的，操作系统已经提供了一个合适的运行环境，然而对于嵌入式设备而言，在设备上电后，所有的一切都需要由开发者来设置，这里处理器是没有堆栈，没有中断，更没有外围设备，这些工作是需要软件来指定的，而且不同的CPU类型、不同大小的内存和不同种类的外设，其初始化工作都是不同的。本文将以GD32F207IK (基于Cortex-M3)为例进行讲解。
存储器与CPU的协同工作 —— 双端口RAM和多模块存储器
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一、双端口RAM 双端口RAM是一种空间并行技术，它是指同一个存储器有左右两个独立的端口，分别具有两组相互独立的地址线、数据线和读写控制线，允许两个独立的控制器同时异步地访问存储单元。 当两个端口的地址不相同时，在两个端口上进行读写操作一定不会发生冲突。 当两个端口同时存取存储器的同一地址单元时，会有以下几种情况 两个端口不同时对同一地址单元存取数据。 两个端口同时对同一地址单元读出数据。 两...
3.5 双端口RAM和多模块存储器
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08-31 1922
为了提高CPU访问存储器的速度，可以采用双端口存储器，多模式存储器等技术，他们都属于并行技术，前者为空间并行，后者是时间并行。 双端口RAM 双端口RAM是同一个存储器有左，右两个独立的端口，两组相互独立的地址线，数据线和读写控制线，允许两个独立的控制器同时异步地访问存储单元。但两个端口同时存取存储器的同一地址单元时，会因数据冲突造成数据存储或读取错误。两个端口对同一主存操作有4种情况。 1...

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