STM32片上Flash操作 HAL库 融合EasyFlash

环境

使用的是STM32F0单片机
使用cubemx 4.1.0.0版本
keil5 5.32.00

参考链接：

stm32 hal库+EasyFlash数据库完成片内FLASH的读写工作
STM32 实现内部Flash的读写（HAL库版）

操作

1、写入flash数据之前需要对flash进行解锁操作，写完之后还要锁住：

HAL_FLASH_Unlock();               //解锁Flash
HAL_FLASH_Lock(); //锁住Flash

2、 对指定的页进行擦除,才写入数据

uint32_t PageError = 0;  // 设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
HAL_FLASHEx_Erase(My_Flash, &PageError);  // 调用擦除函数擦除

3、写入flash操作

uint32_t Write_Flash_Data = 0;
Write_Flash_Data = buf[i];  //对Flash进行烧写，FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD 声明操作的Flash地址的16位的，此外还有32位跟64位的操作，自行翻查HAL库的定义即可　　　　  
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address+bass_address+add, Write_Flash_Data); 

4、读取flash

uint32_t flash_data = 0xf;
flash_data = *(__IO uint32_t*)( address+bass_address ); //*(__IO uint16_t *)是读取该地址的参数值,其值为16位数据,一次读取两个字节，*(__IO uint32_t *)就一次读4个字节
return flash_data;

熟食

onchipflash.h:

#ifndef ONCHIPFLASH_H
#define ONCHIPFLASH_H

#include "main.h"

#define biggest_address 64

uint32_t wirte_flash(uint32_t *buf, int32_t buf_len, uint32_t bass_address, uint32_t address);
uint32_t read_flash(uint32_t *buf, int32_t buf_len, uint32_t bass_address, uint32_t address);

void test_fun(void);

#endif

onchipflash.c:

#include "onchipflash.h"
#include "main.h"
#include "stm32f0xx_hal.h"
#include "stdio.h"


void unlock_flash()
{
	HAL_FLASH_Unlock();               //解锁Flash
}

void lock_flash()
{
	HAL_FLASH_Lock(); //锁住Flash
}

uint32_t erase_flash(FLASH_EraseInitTypeDef *My_Flash)
{
	uint32_t PageError = 0;                    //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
	if(HAL_OK != HAL_FLASHEx_Erase(My_Flash, &PageError))  //调用擦除函数擦除
	{
		return PageError;
	}
	else
	{
		return HAL_OK;
	}
}

void wirte_flash_16bit(uint32_t bass_address, uint32_t address, uint16_t data)
{
	FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash;  //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
	My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;  //标明Flash执行页面只做擦除操作
	My_Flash.PageAddress = bass_address;  //声明要擦除的地址
	My_Flash.NbPages = 1;                        //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
	
	
	unlock_flash();
	
	erase_flash(&My_Flash);
	
	uint16_t Write_Flash_Data = data;  //对Flash进行烧写，FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD 声明操作的Flash地址的16位的，此外还有32位跟64位的操作，自行翻查HAL库的定义即可　　　　  
	HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, address+bass_address, Write_Flash_Data);      
	
	lock_flash();
}


uint16_t read_flash_16bit(uint32_t bass_address, uint32_t address)
{
	uint16_t flash_data = 0xf;
	flash_data = *(__IO uint16_t*)( address+bass_address ); //*(__IO uint16_t *)是读取该地址的参数值,其值为16位数据,一次读取两个字节，*(__IO uint32_t *)就一次读4个字节
	
	return flash_data;
}

void wirte_flash_32bit(uint32_t bass_address, uint32_t address, uint32_t data)
{
	FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash;  //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
	My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;  //标明Flash执行页面只做擦除操作
	My_Flash.PageAddress = bass_address;  //声明要擦除的地址
	My_Flash.NbPages = 1;                        //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
	
	
	unlock_flash();
	
	erase_flash(&My_Flash);
	
	uint32_t Write_Flash_Data = data;  //对Flash进行烧写，FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD 声明操作的Flash地址的16位的，此外还有32位跟64位的操作，自行翻查HAL库的定义即可　　　　  
	HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address+bass_address, Write_Flash_Data);      
	
	lock_flash();
}

uint32_t read_flash_32bit(uint32_t bass_address, uint32_t address)
{
	uint32_t flash_data = 0xf;
	flash_data = *(__IO uint32_t*)( address+bass_address ); //*(__IO uint16_t *)是读取该地址的参数值,其值为16位数据,一次读取两个字节，*(__IO uint32_t *)就一次读4个字节
	
	return flash_data;
}

uint32_t wirte_flash(uint32_t *buf, int32_t buf_len, uint32_t bass_address, uint32_t address)
{
	uint32_t add=0;
	uint32_t Write_Flash_Data = 0;
	
	FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash;  //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
	My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;  //标明Flash执行页面只做擦除操作
	My_Flash.PageAddress = bass_address;  //声明要擦除的地址
	My_Flash.NbPages = 1;                        //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
	
	if(buf_len>biggest_address)
	{
		return HAL_ERROR;
	}
	
	unlock_flash();
	
	erase_flash(&My_Flash);
	
	for(int i =0; i<buf_len; i++)
	{
		Write_Flash_Data = buf[i];  //对Flash进行烧写，FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD 声明操作的Flash地址的16位的，此外还有32位跟64位的操作，自行翻查HAL库的定义即可　　　　  
		HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address+bass_address+add, Write_Flash_Data); 
		
		add = add + 0x04;
		if(add>=0x0f)
		{
			add = 0x00;
		}
	}
	lock_flash();
	return HAL_OK;
}

uint32_t read_flash(uint32_t *buf, int32_t buf_len, uint32_t bass_address, uint32_t address)
{
	uint32_t add=0;
	for(int i =0; i<buf_len; i++)
	{
		buf[i] = read_flash_32bit(bass_address, address+add);
		add = add + 0x04;
		if(add>=0x0f)
		{
			add = 0x00;
		}
	}
	return HAL_OK;
}


void test_fun()
{
	uint32_t buf[4] = {0x1234567a, 0x2234567b, 0x3234567c, 0x4234567d};
	
	wirte_flash(buf, 4 , 0x08005000, 0x00);
	
	read_flash(buf, 4 , 0x08005000, 0x00);
	
	printf("0x%x 0x%x 0x%x 0x%x\r\n", buf[0], buf[1], buf[2], buf[3]);
	
	//wirte_flash_32bit(0x08005000, 0x00, 0x12345678);

	//printf("%d ID_num:0x%x\r\n", 0x00, read_flash_32bit(0x08005000, 0x0c));
}