【模拟电路学习】从零开始的模电 | 半导体 | PN结 | 大部分知识点总结

一、电流基础

1、电流流向

• 电荷在单位时间内通过导体横截面的流动量
• 电流方向是正电荷定向运动的方向，电流运动方向与电子运动方向相反
• 由于电子带负电，电源外部的电流是从电源的正极开始，经过用电器流向电源的负极；电源内部的电流是从电源的负极流向电源的正极
• 元素周期表按质子数排列，质子数=电子数（质子带正电，中子不带电，核外电子带负电）
• 开路 Open circuit：电路开关断开状态
• 闭路 Close circuits：电路开关闭合状态

1 A 是 1 s 内有 1 库伦的电流流过

• 单位：A 与 mA 与 uA，以 1000 为单位（V，mV，uV）

同理：1 K 欧=1000 欧，1 M 欧=1000000 欧

• 弱电和强电（直流 24，交流 36）

（一）弱电：交流 36 V 以下，直流 24 V 以下

（二）强电：高于交流 36 V ，直流 24 V ，220 V 家用电，1000 V 高压电

（三）强电传输能量，弱点传输信号

• 常用电气符号：VCC 表示模拟信号电源，GND 表示模拟信号地，VDD 表示数字信号电源，VSS 表示数字电源地 （左零右火上接地）

  

• 接地作用：将电器外壳与大地相连，保护人安全

2、交流电和直流电

• 交流电

（一）电流方向随时间变化，电荷会在正、负两个方向上流动，周期性的交替反向（电流大小和方向随时间做周期性变化）

（二）交流电通常是通过电网供应的电力，用于各种大型的较大功耗的电器设备和机械设备中如电视、电冰箱等

（三）注意交流电有火线零线之分，但没有正负极（零线接地，电压始终为 0）

• 直流电（线圈切割磁场的时候产生

（一）指电流方向不变的电流，电荷始终在同一个方向上流动（电流大小和方向均不变）

（二）直流电源通常由电池或者其他直流电源供应，直流电常用于需要稳定电压和恒定方向的小型设备中，如手机、电动自行车等 > 电池等化学反应产生

• 交流直流转换

（一）交流转直流：整流，滤波

（二）直流转交流：逆变

3、电压

• 注意：电压的单位只有三个，V，mV，KV
• 电压又称电势能，指电子在电路中的动能，单位是伏特（V）

电压越高，电子移动越快，电流越大，反之越小

• 电位注意

（一）只有某个点才有电位，靠近接地的叫做 0 电位（该点到 0 电位的电压降）

（二）某个元件两端的电压等于电位之差

电阻串联的分压公式：

设R1,R2串联，则：

R1分的电压：UR1=(R1/(R1+R2))*U总

R2分的电压：UR2=(R2/(R1+R2))*U总



电阻并联分流公式：

设R1,R2并联，则：

R1支路的电流 IR1=(R2/(R1+R2))*I总

R2支路的电流 IR2=(R1/(R1+R2))*I总

 4、电阻（看阻值、额定功率、精度）

• 阻碍电流流动，电阻指电流经过时阻碍电流流动的程度，电阻单位是欧姆
• 导线越长阻抗越高，导线越粗，阻抗越低（粗一些的导线可以让电子更顺畅的通过线路）
• 欧姆定律：I = U / R，见 0、电路基础 - 直标法和两位有效数字电阻读法

（一）三位数字，第三位表示 0 的个数，比如 151 是 150，472 是 4700；同理，四位数字第四位表示 0 的个数，R 表示小数点，如 R 500=0.5 欧）

• 电阻色环

（一）口诀：棕一红二橙是三，四黄五绿六为蓝，七紫八灰九对白，黑是零，金五银十表误差

（二）四色环电阻：前二条色环用来表示阻值，第三环表示数字后面添加“0”的个数，第四环表示误差（第四环不是金色就是银色，金 5 银 10）

（三）五色环电阻：前三条是阻值，第四道色环表示阻值的倍乘数；第五道色环表示误差范围。一般五环电阻是相对较精密的电阻

• 上拉电阻和下拉电阻

（一）上拉电阻：将一个不确定的信号（高或低电平），通过一个电阻与电源 VCC 相连，固定在高电平

（二）下拉电阻：将一个不确定的信号（高或低电平），通过一个电阻与地 GND 相连，固定在低电平

（三）上拉、下拉电阻统一称为拉电阻，作用是将状态不确定的信号线通过一个电阻将其箝位至高电平（上拉）或低电平（下拉） #上接电源下接地

• 0 欧姆电阻

（一）实际是电阻值很小的电阻，想测某部分电珞的耗电流的时候，接 0 欧姆电阻，接上电流表，这祥方便测耗电流，可用于测大电流

（二）单面板布线布不过去可以接 0 欧姆电阻 ## 5、串联电路和并联电路 - 一般公式总结

• 注意电阻串并联三个公式（串联分压分电阻，并联分流分电阻）
• 并联的电阻数量增加时，总电阻会减小（并联电路的分流作用，电阻并联后增加了导体的横截面积，从而减小了电阻）

（一）R = R 1 × R 2 / (R 1 + R 2)，仅适用于两个电阻并联的情况

（二）分流原理：1/R 总 = 1/R 1 + 1/R 2（注意最后要取倒数） - 注意看到并联可以想到求总电阻，用 1/R 公式，用这个公式解题不用考虑电阻大小，只要运用串联分压电阻处处相等即可（如下图串联分压公式）

• 串联分压分电阻

6、常用网站

• 电子元器件购买：华秋商城 立创商城
• 在线电路模拟：Circuitjs web 在线电路模拟器

7、安全电压

• 10 ma 以下电流人体没感觉，超过 16 ma 会刺痛，长期超过 80 ma 会肌肉麻痹，长期超过 300 ma 电流会心肌收缩

8、电容器（电容）

注意：（容量、耐压、容差）电容的读数乘方表示法，三位数，最后一位数是0的个数（大部分陶瓷电容单位是pf，贴片电解是uf）

• 储存电荷的容器，由两个导体板和介质层组成，介质层位于两个导体板之间
• 电容就是装电的容器，单位是法拉（F），1 F 代表升压 1 V 可以储存 1 C 电量。F 单位比较大，通常用 mF 或者 uF 作为单位使用
• 1 法拉=103 豪法（mF）=106 微法（uF）=109 纳法（nF）=1012 皮法（pF）

t 是放电时间：t=(c * v) / i，c 是电容器容量，时间单位是秒 > 电容器电容器对交流信号的阻碍作用称为容抗，公式 XC=1/(2πfC)。其中，f 表示电信号（指一定频率的交流电）的频率，C 表示电容器的容量

• 隔直通交：电容元件对直流呈现的容抗为无穷大，阻碍直流电通过，称为”隔直作用”，而在交流电路中，电容元件对交流呈现的容抗很小，有利于交流电流通过，称为”通交作用”
• 固定电容：无极性电容和有极性电容，无极性电容对于两端极性没有要求，但一般容量较小，可以用于交流电。有极性电容造价便宜，容量大，只能用于直流电场景（无极交流，有极直流）
• 陶瓷电容的乘方表示法：注意 100 是 0 的个数是 0

电容器作用就是充电、放电、隔直、通交

• 电容滤波

（一）单片机上电的瞬间到稳定供电，会产生很多杂波，利用电容隔直通交的特性，可以将杂波被过滤掉

• 耦合电容

（一）两个电路之间的连接，利用电容隔直通交的特性，保留电路中想要传输的高频信号，去除直流信号

• 旁路电容：利用电容通交隔直的特性，滤除电路中的高频信号，一般紧靠芯片
• 1 F=103 mF=106 uF=109 nF=1012 pF，相比其他多了个 pF，是 nF 的后一个单位
• 电容的字母表示法：字母写在中间表示小数点，1p5、4u7、3n9 分别表示 1.5 pF、4.7 uF、3.9 nF

9、电感器

• （电感量，直流电阻，允许误差）电感中的R和H：R表示小数点，单位是uH，H表示小数点，单位是nH
• 用于在电路中存储和释放能量，铁芯 + 铜线圈，电流通过电感器时线圈会产生磁场，通过磁场存储能量
• 两个作用：储能和隔交通直

公式：XL=2πfL（XL 是电感的感抗，f 是通过电感交流电的频率，L 是电感的电感量）

三位数字，两位有效数字，最后一位是 0 的个数

• 目的：保护其他电子元件不受电磁干扰的影响，单位是亨利（H 亨）

电容（F）是防止电压突变，电感（H）是防止电流的突变

• 储能区别：（理解：电容隔直相当于存储了直流电）电感主要存储交流电，以磁场形式存储电能，而电容主要存储直流电，直接存储在电容极板上

10、保险丝和熔断器

• 均是为了保护电路免受过载或短路
• 熔断器可以重复使用，且可以更快响应电路故障

11、接插线

• 排针排母，杜邦线等图示

  

   12、蜂鸣器

• 排查故障用：分为有源蜂鸣器、无源蜂鸣器，源是震动源（音频振荡源）
• 参数：额定电压、工作电压、消耗电流
• 用万用表测电阻：有源蜂鸣器无阻值，无源蜂鸣器有阻值

13、万用表

• 电子测量仪器：COM孔用来插入黑色表笔

（一）电压、电流档：红表笔接正极，黑表笔接负极，红进黑出

（二）电阻档：黑表笔相当于电池正极，红表笔相当于电池负极；因为在测量电阻时（外界是没有电源），那么通过电阻的电流是由欧姆表自身提供

14、毫安时和豪瓦时

• 毫安时（电量 mAh）和豪瓦时（能量 mWh）
• 3600 mAh 的电池可以用 3.6 A 的电流放电一小时
• 5 号电池 800 mAh，1.5 V 电压 * 0.8 = 1.2 wh，可以以 1.2 瓦功率工作 1 小时，1000 / 1.2 = 833

15、继电器

• 继电器（Relay）是一种电控开关，其工作原理基于电磁感应
• 可以实现用小电流去控制大电流运作的一种“自动开关”。在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用
• 参数（额定电压，最大切换电压，最大切换电流）

（一）额定电压：指继电器线圈在正常工作状态下所能承受的最大电压值

（二）最大切换电流：指继电器触点在额定电压下，通过继电器触点的最大负载电流

（三）最大切换电压：指继电器触点可以在小于最大切换电压的情况下进行正常的开关操作

（四）触点形式：常开、常闭和转换 ## 16、插件元器件和贴片元器件

• 插件元器件：通过引脚插入电路板的元器件
• 贴片元器件：直接焊接在电路板表面的元器件

二、半导体器件

1、本征半导体

注意：模拟信号是连续的，数字信号是离散的

• 完全纯净的、具有晶体结构的半导体 1，称为本征半导体。共价键中的两个电子，称为价电子

  

• 本征激发

（一）电子、空穴成对产生（电子跑出去，留下空穴），在室温或光照下电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空穴的过程

• 复合

（一）电子、空穴成对消失（电子回到空穴），自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程

（二）失去电子的硅原子带正电，在外电场的作用下，吸附相邻的共价键中的电子来填补空穴，此现象是复合。而在该原子中出现一个空穴

（三）理解：自由电子作定向运动，电子电流；价电子复合空穴，空穴电流

• 漂移： 自由电子和空穴在点成作用下的定向运动
• 载流子： 自由运动的带电粒子（电子、空穴）

（一）电子——>自由电子（在共价键以外）的运动

（二）空穴——>空穴（在共价键以内）的运动

• 导电情况： 本征半导体绝对零度不导电，在常温、光照下能导电
• 电流产生： 在外电场（电压）作用下，本征激发出来的电子向同一方向运动，形成相反方向的电流

本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差；温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好

2、杂质半导体

• 在本征半导体掺入微量其他适当元素后形成杂质半导体

（一）N 型半导体：掺入少量 +5 价元素“磷” ，多的一个电子变正离子，自由电子数多于空穴 > N 型半导体：硅晶体掺杂磷元素，包含自由电子

（二）P 型半导体：在本征半导体掺入少量 +3 价元素“硼” ，得到一个电子变成负离子

• P 型半导体：硅晶体包含硼元素，包含空穴

P 型和N 型半导体是电中性的

3、PN 结

• P 型半导体和 N 型半导体交界面的特殊薄层，通过载流子的运动形成的（PN 结形成：扩散和漂移运动达到动态平衡时，空间电荷区的宽度保持不变）
• N 区带正电，P 区带负电，空间电荷区（PN 结）
• 当外加电压使 PN 结中 P 区的电位高于 N 区，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏

（一）PN 结加正向电压时：低电阻、大的正向扩散电流

（二）PN 结加反向电压时：高电阻、很小的反向漂移电流

PN结具有单向导电性

• PN 结单向导电

  

• PN 结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的聚集和释放的过程，犹如电容的充放电，等效电容称为势垒电容 Cb
• 最大整流电流 IF、反向击穿电压 Vbr、反向电流 Ir、极间电容 Cd、反向恢复时间

  

• 雪崩击穿和齐纳击穿

（一）雪崩击穿：温度越高，雪崩击穿需要的击穿电压越高，一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的 PN 结中。这是因为掺杂浓度较低的 PN 结，空间电荷区宽度较宽，发生碰撞电离的机会较多

（二）齐纳击穿：温度越高，齐纳击穿需要的击穿电压越低，一般发生在掺杂浓度较高的 PN 结中。这是因为掺杂浓度较高的 PN 结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只要加不大的反向电压，就能建立起很强的电场，发生齐纳击穿

• 因为自由电子带负电，所以称掺杂了磷的带负电的半导体为 N 型半导体；因为空穴带正电，所以称掺杂了硼的正电的半导体为 P 型半导体
• 耗尽层：形成 PN 结的时候，N 型半导体的自由电子填补 P 型半导体的空穴，在连接处出现的既没有自由电子和空穴的地方

4、二极管

• 二极管导通：P正，N负
• 二极管几种外形（三价硼，五价磷）（单向导电性）
• 钳位：二极管周围电压始终 0.7 V 不变

（一）点接触型二极管：PN 结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路

（二）面接触型二极管：PN 结面积大，用于工频大电流整流电路

• 解题分析

  

  5、BJT 三极管

• 三极管就是两个连续的 PN 结连接在一起，有 NPN 和 PNP 两种结构

（一）PNP 三极管：base 低电压导通，高电压截止

（二）NPN 三极管：base 高电压导通，低电压截止

• 三极管的基级、集电极、发射极示意图

（一）有箭头的是发射级，另一个是集电极

• 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的（外部条件：发射结正偏、集电结反偏）

  

• 放大状态下的 BJT 中载流子的传输过程

  

• 三极管放大状态理解图

（一）饱和状态：继续增大 Vbe 电压，导致 Ib 电流继续增大，开关阀门继续打开直到完全打开，Vbe>Vce 后，无论怎么增加 Vbe 的电压，都不能使得 Ib 增加，进而 Ic 也不能继续增加，此时处于饱和状态

（二）截止状态：Vbe<0.5V 且Vce>Vbe，三极管处于截止状态

（三）放大状态：0.7 V>Vbe>0.5 V，Vce>0.7 V，三极管处于放大状态

（四）饱和状态：Vbe>0.7 V 且 Vce<Vbe，三极管处于饱和状态

• 三极管的三级阻态（看接地：哪一端接地，就是共 XX）

（一）共基极接法，基极作为公共电极（三极管的基极接地，基极作为输入与输出的公共极）

（二）共发射极接法，发射极作为公共电极（三极管的发射极接地，发射极作为输入与输出的公共极）

（三）共集电极接法，集电极作为公共电极（输入信号通过电容耦合到三极管的基极，输出信号从三极管的发射极获取。三极管的集电极接地，集电极是输入与输出的公共极）

• 综上，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的

（一）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄

（二）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置

• 复合管 

（一）观察有两条箭头的线，若箭头方向均相同则可以构成复合管，否则，不能构成复合管最左边三极管的类型就是复合管的类型：一入两出 PNP、一出两入 NPN

（二）复合管整体里指向空气的三条线为复合管的三极，复合管三极的字母和最左边三极管一致

7、场效应管（MOS 管）

• N型MOS管是指进来，P型MOS管是指出去
• 场效应管：一种晶体管，通过电场来控制电流。传统的晶体三极管通过电流来控制电流。包括放大、开关和电压控制等。场效应管是芯片的底层原理，是芯片中的最小单位

  

• MOS 晶体管构造

（一）直接给漏极输入电压，MOS 管是不导通的，因为 P 区中间的自由电子浓度太低，为了让 MOS 导通，可以给栅极施加一个电压，这样栅极金属板就会产生一个电场，P 区的自由电子就会被吸引过来

 8、比较器（运算放大器）

• 两个输入端 IN+和 IN-，可选择其中一个输入端作为参考点来比较，当另一输入端电压小于参考电压时比较器输出低电平，反之输出高电平

  

   9、运算放大器的4 种基本运放电路

• 同相放大电路，输出和输出信号是相位相同。放大倍数由 Rg 和 Rf 共同决定

  

• 反相放大电路：输出和输出信号是相位相反。放大倍数由 Rg 和 Rf 共同决定

  

• 加法器：输出是输入信号的和。每个信号的放大倍数有反馈电阻 Rf 与每个输入信号串联的电阻 R 共同决定

  

• 差分放大电路：输出信号是输入信号之差。输出信号可先由分压器规则计算同相输入端的电压 V+，然后使用同相运放增益公式计算出通相输出电压 Vout 1。然后在使用反向增益公式计算反向输出级的电压 Vout 2。最后将两个输出电压相加

  

  10、双稳态触发器

• 具有记忆功能的逻辑单元电路，能储存一位二进制码。有两个稳定的工作状态，在外加信号触发下电路可从一种稳定的工作状态转换到另一种稳定的工作状态

  

   11、其他名词注意

• 振荡周期：指电量（如电压、电流等）的完成一次振动所需要的时间，在波形图上，两个相邻同方向峰值之间的时间间隔称为振荡周期 Tp
• 占空比：占空比是指电路被接通的时间占整个电路工作周期的百分比（如一个电路在工作周期一半时间接通，占空比 50%）

12、PCB

• 现代 PCB 板都是多层的，一般包含如下几层

（一）基板：绝缘材料，用于承载线路与机械支撑

（二）铜层：铜层用于布置需要的线路

（三）阻焊层：遮挡不需要暴露的铜层部分，使其绝绿

（四）丝印层：印刷在阻焊层上，用于标记元器件位 ## 13、嘉立创网页 PCB

• 常用快捷键：

（一）CTRL+F 翻转板子 

（二）CTRL+V 放置过孔