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RSS订阅原创 Vasp学习经验 #4（差分电荷密度、吸附能计算）
针对异质结，进行整体电荷密度计算后，将文件复制两个（如果异质结为两部分），修改每个部分的POSCAR（仅有一部分的结构），并相应修改POTCAR，再次提交进行计算，然后将三个电荷密度相减即可得到差分电荷密度。Eb=E(M@Cu)-E(M)-E(Cu)大分子通过逐渐移动，通过计算的吸附能寻找最可能的吸附位置。通过将吸附客体分子按照可能的位置放在吸附剂的结构文件中，分别计算total的，吸附剂的，吸附分子的能量，相减得到吸附能。其中，三者在进行计算时的INCAR参数、晶胞参数、晶格参数应当相同。
2023-10-09 16:04:33
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原创 Vasp学习经验 #3（电荷密度、态密度、哈密顿布居数）
态度都计算要求先进行结构优化，再进行一次自洽计算，再继续一次非自洽计算，将计算完电荷密度的文件用于进行非自洽计算即可。（单独计算所需文件：静态自洽的CONTCAR，INCAR,KPOINTS,POTCAR,CHGCAR,提交脚本，WAVECAR(可加可不加，有的话会减少计算时间)）分原子态密度通过选择需要分析的某个原子画图，可以分析不同原子之间的轨道杂化，以及根据不同结构分析体系的缺陷（对于半导体，N型缺陷和P型缺陷）态密度分析，总态密度可以分析材料的导电性（金属、导体、半导体），价带导带禁带宽度。
2023-08-15 09:38:15
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原创 Vasp学习经验 #2（结构优化、频率计算）
计算开始后可以用squeue查看当前队列，计算开始后，目录内会出现多个文件，其中 slurm开头的是计算所有的输出结果汇总文件，计算中可以使用tail -f 文件名进行实时结果的查看。其中，-N 后的数字为使用的节点个数，-n后的为使用的总核数，可以根据实际计算情况在计算前进行修改，北京超算云中心一个节点共有64个核，本脚本使用了两个节点共128个核。采用分步进行优化，INCAR中ISIF=3，ISYM=0，计算应力张量，取消对称性，进行充分弛豫，不仅弛豫离子位置，同时弛豫晶胞的体积和形状。
2023-08-09 14:30:43
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原创 Vasp学习经验 #1
基本所有参数都在INCAR中进行设置，m@cufc的计算中，初步优化采用的k点密度为1 1 1，不考虑磁性，EDIFF=1E-4，EDIFFG=-0.08，NELM=80，ISMEAR=0，SIGMA=0.1。如果显示不能读取赝势文件，那么也可以手动生成赝势文件，首先下载赝势库，根据POSCAR中的元素种类和顺序选取相应的赝势文件，然后用输出重定向命令，如：cat POSCAR1 POSCAR2 > POSCAR，即可合成，注意赝势的顺序务必要与POSCAR文件中的元素顺序一致。N总核数，n节点核数。
2023-07-17 17:29:47
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空空如也
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