Vasp学习经验 #2(结构优化、频率计算)

20230728

在完成vasp计算所需的四个基本文件(POSCAR/KPOINTS/POTCAR/INCAR/)后,在超算平台上提交作业。

以北京超算云计算中心平台为例,将基本文件放在同一个文件夹里,运行超算平台管理员提供的提交脚本即可提交计算。北京超算云计算中心的提交脚本内容如下:

#!/bin/bash
#SBATCH -p amd_256
#SBATCH -N 2
#SBATCH -n 128
source /public1/soft/modules/module.sh
module load mpi/intel/17.0.7-thc
export PATH=/public1/home/scb6401/software-scb6401/amd-6.3.2:$PATH
srun vasp_std

其中,-N 后的数字为使用的节点个数,-n后的为使用的总核数,可以根据实际计算情况在计算前进行修改,北京超算云中心一个节点共有64个核,本脚本使用了两个节点共128个核。使用sbatch xjx.sh即可提交当前目录下的作业。

计算开始后可以用squeue查看当前队列,计算开始后,目录内会出现多个文件,其中 slurm开头的是计算所有的输出结果汇总文件,计算中可以使用tail -f 文件名进行实时结果的查看(crtl+C退出)。使用scancel 任务号可以停止任务的计算。OSZICAR中的数据为计算中出现的所有关于能量的数据。包括计算中所有电子步和离子步的信息。

若计算成功完成,达到INCAR中的收敛条件,且结构不崩溃,则可将CONCAR文件导出用vesta打开即为计算后的结构文件。

优化的INCAR设置:

ISTART=0
ICHARG=2
PREC=M
ISPIN=1

LREAL=A
ALGO=N
NELM=200
EDIFF=1E-4
ENCUT=420
NCORE=16

IVDW=11
IBRION=3
NSW=200
POTIM=0.1
ISIF=2
ISYM=0
EDIFFG=-0.08

ISMEAR=0
SIGMA=0.1

采用分步进行优化,INCAR中ISIF=3,ISYM=0,计算应力张量,取消对称性,进行充分弛豫,不仅弛豫离子位置,同时弛豫晶胞的体积和形状。

将CONCAR中非对角元的非零元素改成0确保c轴垂直于a,b轴,再ISIF=2,仅弛豫离子的位置,保持对称性。

采用一步弛豫:ISIF=3,ISYM=2,(减小POTIM的步长)对称约束下的弛豫。

VESTA中构成缺陷:删除原子,先将体系的对称性降到P1(EDIT中REMOVE SYMEETRY),再在structure中根据原子的序号进行删除,不能直接在界面上直接delete删除(没有实际删除,只是没有显示)。

20230807
结构优化后,计算原子振动频率来验证结构稳定性。

将CONCAR改成POSCAR

在INCAR里修改标签:

修改标签IBRION=5

修改标签NSW=1

(↑此两个用于做振动频率计算)

增加标签NFREE=2

增加标签POTIM=0.015

提交任务进行计算。

计算完成后   gerp "THz" OUTCAR搜索振动频率

20230808

序号                 频率                             2派×频率                   换算成波数                  能量

前21个大于0,后三个应该等于0,但由于DFT的误差,f/i小于0.3THz(或10波数以下)即可接受。

 频率信息在OUTCAR文件最后。gerp "THz" OUTCAR

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### 回答1: 要计算硅的能带结构,可以使用VASP软件。以下是一些基本的步骤: 1. 准备输入文件。这包括一个POSCAR文件,它描述了硅晶体的几何结构,以及一个INCAR文件,它包含了VASP计算的各种参数。 2. 运行VASP计算。在计算过程中,VASP将使用第一性原理方法来计算硅晶体的电子结构,包括能带结构。 3. 分析输出文件。VASP将输出一些文件,其中包括能带结构文件。使用一些可视化工具(如VESTA或XCrySDen),可以将这些文件可视化并进一步分析硅的能带结构。 需要注意的是,计算硅的能带结构需要一定的计算资源和专业知识,建议在进行计算之前进行充分的准备和学习。 ### 回答2: VASP是一种常用的第一性原理计算软件,可用于模拟材料的能带结构。硅是一种重要的半导体材料,其能带结构对于了解其电子性质非常关键。 硅的能带结构在VASP中的计算步骤如下: 1. 准备初始结构:首先,我们需要创建一个硅的初始结构。硅的晶体结构为面心立方晶格,由硅原子组成。我们可以使用实验数据或者基于晶胞参数的理论模型来进行初始结构构建。 2. 能带计算设置:接下来,我们需要定义能带计算的相关设置。这包括计算方法(如密度泛函理论)、计算质量和收敛准则等。对于硅的计算,我们可以选择使用准确的GGA近似,如PBE(Perdew-Burke-Ernzerhof)近似。 3. K点网格和布里渊区:为了计算能带结构,我们需要在准备的初始结构上进行布里渊区积分。这需要定义K点网格。硅的晶体结构对应着特定的布里渊区。我们可以在计算过程中使用自动设置或手动设置K点网格。 4. 能带计算运行:通过定义好的初始结构计算设置和K点网格,我们可以运行VASP程序进行能带计算。程序将自动使用这些参数来计算硅的能带结构。 5. 结果分析和可视化:计算完成后,我们可以通过分析VASP输出的数据来了解硅的能带结构。这些结果通常以能量-波矢图的形式表示,展示了硅的能带分布和费米能级位置。 通过以上步骤,我们可以使用VASP成功地计算硅的能带结构。这些计算结果对于理解硅的电子性质、导电性和半导体器件性能的研究非常重要。

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