间隙波导阵列天线学习笔记 1 基于新型3D打印馈网拓扑的宽带双极化间隙波导天线阵列

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分类专栏：间隙波导文章标签：阵列天线电磁理论

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摘要：

一种基于使用新型馈网拓扑的间隙波导技术的宽带双极化阵列在本文中提出用于毫米波应用。与传统的双极化间隙波导天线阵列相比，所提出的子阵列的馈网只显示了两层(极化分离层和功分器层)。两个正交极化由圆柱腔的两个正交模式激励。一个高次模腔体作为一分四功分器。所提出的2x2子阵列有着S11<-10dB,S21<-10dB且增益浮动在3dB以内的15.2dBi峰值增益的带宽。尽管子阵列的整体带宽很宽，端口隔离很低(15dB)并且优于极化分离由一层结构实现，交叉极化电平相对较高。在阵列设计中，一种高于40dB的隔离的双极化馈网使用肌间隙波导和槽间隙波导传输线实现。因为馈网是对称设计的，交叉极化也相互抵消(cancel out)。阵列的仿真交叉极化比高于50dB。基于新的馈网拓扑，实测结果证实了4x4的阵列实现了S11<-10dB,S21<-40dB和3dB增益浮动的19.8dBi增益的22.8%的带宽。所提出的天线有着双极化宽带宽，低成本和良好辐射性能的特点，对于5G毫米波应用非常适合。

关键词

3D打印，阵列天线，双极化天线，馈网，间隙波导，毫米波

引言

优于频谱资源的持续缺失，5G通信系统对于毫米波的需求在提升。因为与4G微波频率小臂在毫米波幅度次序的波长缩减，将出现高大气衰减和路径损耗。因此，高增益毫米波天线阵列是5G毫米波通信系统的关键器件之一。

在近些年，大量工作旨在寻找紧凑，低成本的阵列天线。现在，许多毫米波阵列天线基于空气填充波导，微带线，SIW，间隙波导，刺猬波导和空气填充矩形同轴线。[25]中提出了一种30GHz基于脊间隙波导的宽带，高效率和高增益的圆极化阵列天线。基于一个2x2圆极化子阵列和一个顺序旋转馈网，可以实现21.5%的3dB轴比带宽。一种新型的使用一个8x8波束形成网络的高效率8波束双极化阵列天线在[26]中被研究。这个波束形成网络使用扩散烧结技术在刺猬和空心波导技术中实施。一种在30GHz基于宽带和高效率的矩形空心填充同轴线的低损耗2维的波束形成器(四个固定波束)在[27]中提出。这些基于全金属传输线的阵列天线在效率上有很大优势。

此双极化天线对于提升无线信道的容量和通信质量很有帮助，所以高增益双极化天线与实际应用需求和系统需要更接近。

基于PCB的双极化天线阵列有着轻质量和尺寸紧凑的优势。因为微带线在毫米波频段高的辐射损耗和介电损耗，其他传输线，例如SIW,SICL,SIGW能有效减少辐射损耗。基于空气填充全金属波导的双极化天线阵列有着高效率和高功率容量的优势。在60GH频段用于双极化工作的槽阵列天线在[4]中提出，其由扩散烧结层压薄铜板加工。毫米波段的空气填充金属波导需要高加工精度，这将导致大的加工难度和成本，在近些年俩金属3D打印技术的迅速发展对于解决加工困难问题很有帮助。一种基于3D打印的空气填充差分馈腔的8x8双极化天线阵列在[2]中实现，带宽为30%,使用了直接金属激光烧结，3D打印技术的一种，来生产天线。由于金属3D打印技术的高表面粗糙度，很难把天线拓展到更高频带。复杂表面处理技术的使用可以有效减少表面粗糙度，但很难对3D打印形成天线的内部表面起作用。

间隙波导通常被分为脊间隙波导和槽间隙波导，被广泛应用于毫米波和太赫兹应用。间隙波导的无接触特性保证了在波导块之间没有完美电接触的场特性。类似地，3D打印技术也被用于间隙波导阵列。基于SIA和顺序铜板的高精度3D打印被用于[37]和[38]。此技术可以有效地减少3D打印设备的表面粗糙度，但是对于大规模多层复杂阵列的内表面铜板非常复杂。优于间隙波导的无接触特性，不需要被整体打印。在此没有复杂的内表面，避免了内表面铜板的难度。因此，铜板SLA技术对于间隙波导阵列的实现非常适用。但是，目前毫米波双极化间隙波导阵列的带宽相对较窄。

为了是读者更容易理解我们的设计。图1显示了设计四路和流程。本文种的主要工作或者创新性将如以下实现：

1) 提出了一种毫米波天线应用的高容差间隙波导，不与要严格和直接的接触。部分可以直接或宽松地(loosely )放置在一起

2) 提出了一种由脊圆柱腔激励的宽带双极化辐射单元(图1种的Ant.1)。调整脊的尺寸可以有效提升阻抗匹配。在仿真种实现了高于40dB隔离的20%的整体带宽。双极化馈网由一个相对高天线剖面的双层结构实现( $1.9\lambda_0@30GHz$ )。

3) 为了降低剖面并实现一个紧凑的结构，提出了一个联合两个馈电层的带有脊圆柱腔体的单层馈网(图1种的Ant.2)，并且剖面降低了26%。因为两个极化共享一个脊圆柱腔，天线隔离度降低了约13dB并且腔体的品质因数下降了，这导致了更宽的阻抗带宽24%(28.6-36.4GHz)。

4)一种新型的馈网被提出实现低剖面和高隔离。对称馈网设计也能减少阵列的交叉极化电平(T图1种的Ant.3)。基于这个馈网，设计了，加工并测试了一个4x4的阵列。低成本高精度的SLA铜板被用于加工馈网。实测结果显示了S1<-10dB,S21<-40dB且增益在3dB内浮动，峰值增益为19.8dBi的22.8%的重叠带宽。

本文中，第二部分给出了所提出两种双极化天线单元的结构。也引入了原理和设计方法。第三部分显示了所提出的新馈网和基于其的4x4阵列。仿真和实测结果，与以往的工作做了比较，在第四部分提出。最终，在第五部分提出结论。

第二部分宽带天线单元

A.适用脊圆柱腔的双极化单元

图2显示了有着脊圆柱腔体(Ant.1)的双极化单元的结构。间隙波导的高阻抗表面根据[36]中的原理设计。Ant.1由三层组成，其为辐射层和两个极化馈电层，如图2(a)-(c)所示。馈电方法被广泛应用于毫米波双极化阵列单元的馈网中。圆柱腔可以支持两个正交模式俩实现两组极化的分离。此外，远处在金属铣削加工中更容易实现。天线的最终参数在Ansys HFSS中被优化，如表I所示。

间隙波导通常包含高阻抗表面和电表面，并且高阻抗表面和电表面在本文的设计过程中直接接触。因为间隙波导允许两部分不接处，加工精度和装配精度可以被大幅度(sunstantially)地减少。图3显示了每层结构之间的空气间隙对于实际装配中天线S参数的影响。可以看到当 $h_{gap1},h_{gap2}$ 在 $0,20,40\mu m$ 范围内变化时，空气间隙对于天线性能影响很小，事实上，在实际加工中很难有大于 $40 \mu m$ 的空气间隙。

为了提升阻抗匹配并增加整体带宽，脊背加在圆柱腔和辐射口径内。与脊波导类似，脊腔体的谐振频率移得越低，单模带宽将会增益，其拓宽了天线的带宽。脊波导的单元长度由一个电容和电感并联的集总元件等效电路代表。理论上，脊的额外部分会增加一个谐振电并拓展阻抗带框。为了简要说明这个，我们移动Pol.2层中的脊来研究脊对于带宽的影响。图4显示了Pol.2层中的脊中的脊对于Ant.1的S参数的仿真影响。如图4所示，在Pol.2层上的脊可以创造一个谐振点。因为两个端口的隔离度，Pol.2层的变化对S11将不会有影响。

为了验证脊的影响，我们联合了脊的等效电路和没有脊的Ant.1的SNP文件并且在ADS中仿真。等效电路原理图如图5(a)所示。当电容(C1)等于0.55pF，电感(F1)等于0.144nH,并且对于反嵌入(EL1)的理想传输线的点长度为 $157^o@30GHz$ ，等效电路和HFSS仿真结果吻合得很好，如图5(b)和(c)所示。对于脊圆腔的电容和电感值的计算更为复杂，所以本文只进行定性(qualitative)分析。

图6和7显示了所提出的Ant.1的最终仿真结果。当分别给两个端口馈电时两个极化的辐射可以实现。仿真结果显示高于40dB的隔离度的20%带宽可以实现。天线的峰值增益和方向图在整个工作频带内保持稳定。

B.紧凑双极化子阵列

在大规模阵列中，双层馈电结构可以很容易实现双极化馈网。但在一些应用中，不需要非常高的增益，这种馈电方法显示出了高剖面。双极化可以共享一个馈电腔体，并且一个简单的OMT在一层结构上形成。其可以有效降低天线单元的高度。两个天线的3D视图如图8所示，并且剖面降低了26%。所提出的紧凑低剖面2x2子阵列(Ant.2)的结构如图9所示。为了简化馈网，使用了一个一分四功分腔体。类似地，脊背加载功分器腔体和圆柱腔体的耦合口径来调整阻抗匹配。Ant.2的最终参数被列在表II。

图10显示了所提出的Ant.2的仿真S参数。所提出Ant.2的仿真峰值增益和辐射效率被示意在图11。图11也显示了不同极化的在30和34GHz的功分器腔体的电场分布。在腔体内，四个高次模(TE320/TE230和TE140/TE410)被激励。所提出的2x2子阵列有着24%的整体带宽(S11<-10dB,S21<-10dB,增益浮动在3dB以内，峰值增益为15.2dBi)。

图12显示了30GHz和34GHz出的仿真辐射方向图。因为Ant.2的两个极化完全对称，只有端口1的

激励场图被示意。尽管Ant.2的阻抗带宽更宽，但很难提升两个端口之间的隔离度(如图10所示，<20dB)因为两个极化共享一个圆柱腔。此外，Ant.2的交叉极化电平相对较高，如图12所示。

Ant.1和2可以被用为双极化间隙波导阵列的阵列单元。对于Ant.1去形成阵列的馈网拓扑已经比较成熟。如[23]中所证明，这个的网络是以对称和紧凑方式给阵列馈电的最佳方法。Ant.2相比Ant.1的主要优势是其低剖面高度。为了实现低剖面的双极化间隙波导阵列，在本文中提出了一种新的馈网拓扑。此拓扑可以在最终的两个端口实现高隔离并且减少阵列方向图的交叉极化电平。线馈网将会在第三部分详细讨论。

第三部分新型双极化馈网

A.4x4馈网的结构

图13显示了所提出双极化间隙波导阵列的结构。阵列的爆炸视图如图13(a)所示。辐射层和功分腔的结构如Ant.2一样。图13(d)显示了所提出的4x4双极化馈网的3D视图。图14显示了所提出的x4双极化馈网的主要器件，包括RGW,GGW,波导到RGW过渡段。两种过渡段结构的详细视图如图14(b)和(c)所示。

RGW到GGW结构的详细结构参数如图15(a)所示。一些设计原理可以参考[23]。图15(b)显示了图15(a)种结构的S参数和相位关系。在图15种标红的结构是可以影响传输性能的而关键结构。可以从图15中看到在工作频带内可以实现良好的功分。图16(a)显示了波导到RGW过渡段的详细结构参数。在图16(a)中的结构的S参数和相位关系被示意在图16(b)中。可以从图16中看到，可以在整个Ka频带实现单端到差分的转换。

图17显示了当两个端口分别被激励时所提出馈网的电场分布。可以看到在两个端口之间有很少的能量耦合，并且四个圆柱腔被很好地激励。所提出的4x4双极化馈网的两个输出端口显示了阵列辐射的交叉极化电平非常低，隔离高。这种馈网不需要天线单元的高性能。馈网的主要工作原理将接下来描述。

B.双极化4x4馈网的原理

把端口1激励作为示例样本，并且电场矢量分布图如图18(a)所示。两个过渡段结构(波导到RGW和RGW到GGW)的每个端口的相位关系可以从前述中得到。当端口1被激励时，能量需要传过四个圆柱腔和四个节点(node) 来到达端口2.节点1和2是反相的，这将造成在GGW中穿过节点3和4的电场也是反相的。因此，从端口1耦合到端口2的能量在节点3和4被消除，这就大大提升了两个端口之间的隔离度。类似地，当端口2被激励是，能量分别在节点1和2被消除。两个端口之间的隔离度可以在图17中证明。当两个端口被分别激励时，其他端口的电场非常微弱。为了更好地说明这个过程，图18(b)显示了端口1被激励时的能量传播方向和相位分布。尽管Ant.2的端口隔离本身不是很好，可以使用提出的双极化馈网在阵列的最终输出端实现高隔离。馈网以整体轻微减少的效率为代价保持了阵列的低剖面。阵列单元的隔离度越高，阵列的整体效率越高。因为馈网是对称的，理论上可以完全消除阵列的交叉极化。

第四部分仿真与实测结果

A.LP状态下的仿真和实测结果

为了验证所提出馈网的性能，加工并测试了一个4x4的双极化间隙波导阵列。辐射层和功分器的结构相对简单，并且使用了一种机械铣削加工。因为双极化馈网包含许多精确结构，加工非常困难，并且成本也很高，所以使用了3D打印用于加工。在本文中使用了铜板SLA技术。如图19(b)所示，铜板SLA技术很好地实现了所提出馈网每部分的结构。所提出天线阵列的仿真和实测反射系数如图20所示。仿真和实测结果显示实现了高于40dB隔离度的22.8%的阻抗带宽。可以看到实测结果中35.4GHz附近隔离约为35dB，这可能是加工误差导致的谐振。尽管这个频率的隔离度略微差一些，其对于整体性能影响很小。在测试结果和仿真结果之间的差异主要是由加工误差造成的。天线阵列的仿真和实测S参数证明所提出的馈网拓扑可以有效提升端口之间的隔离。

图21显示了当两个端口分别被激励时所提出阵列的仿真和实测峰值增益。实测结果显示实现了19.8dBic的峰值增益和24.1%的3dB增益带宽。实测峰值增益略微低于仿真的，这是由连接损耗和测试误差造成的。仿真辐射效率在工作频带内大于90%。

图22显示了所提出双极化间隙波导这列的仿真和实测归一化方向图。由于测试设备的限制，我们只测试了 $-90^o-90^o$ 范围内的辐射方向图。仿真的实测副瓣约为-10dB,主要由于间隙波导阵列单元之间的大的空间间距。天线单元和馈网的小型化可以有效抑制副瓣，这也是之后研究的主要问题。所提出的双极化阵列更适用于不需要低副瓣的场景。仿真和实测交叉极化方向图如图23所示。实测结果显示交叉极化电平高于35dB。交叉极化的测试结果比仿真结果更高是由于测试设备的信噪比限制。更低的交叉极化显示所提出的馈网可以减低整体交叉极化。总的来说，实测和仿真结果吻合良好。

B.双圆极化

为了完整性，需要指出所提出的双线极化阵列可以在添加圆极化器之后实现双圆极化。类似地，在两个端口添加一个90度定向耦合器也能实现双圆极化辐射。为了方便，一个圆极化器被设计来验证阵列的双圆极化特性。圆极化器的高度为11mm。方波导的两个内角被导角，并且可以激励两个正交模式。极化器的合理长度可以生成90度的相位差来产生圆极化波。相对的理论解释可以参考[40]。图25显示了仿真S参数，峰值增益和圆极化阵列的轴比。仿真结果显示了S11<-10dB,S21<-20dB,AR<-3dB和峰值增益为21.2dBic,增益浮动在3dB以内的20.5%的带宽。图26显示了两个圆极化的仿真辐射方向图。

C.副瓣抑制

副瓣电平相对较高，并且主要原因是子阵列的大单元间距。在2x2子阵列单元之间的间距为 $0.85\lambda@32GHz$ ，并且子阵列之间的间距更大，为 $1.92\lambda@32GHz$ 。因为天线阵列是全金属结构，在功分器腔内的介质为空气，这就导致子阵列间大的距离。减少天线单元之间的距离可以有效降低阵列天线的第一副瓣。根据我们现在的研究，添加慢波结构是有效降低全金属腔体的方法，并且详细的讨论在[41]和[42]。在减少腔体尺寸的前提下(on the premise)，馈网能进一步减少来把第一副瓣等级降到更低。

在 $\theta = \pm60^o$ 附近的副瓣主要由辐射口径的表面电流造成。图27(a)显示了所提出天线阵列的仿真磁场分布。可以从图27(a)和(b)中看出由于辐射口径的相对大的表面，会生成更大的表面电流，造成 $\theta = \pm60^o$ 处的副瓣提升。

为了降低 $\theta = \pm60^o$ 处的副瓣，一个HIS可以被用于抑制表面电流效应。为了证明这个假设，1如图28所示，我们在辐射口径添加金属柱。金属柱的高度为1.5mm。柱子的体积为1x1x1.5mm，并且相邻柱子之间的距离为2mm。在添加HIS之后的电场分布如图27（c）所示。可以看到统一辐射的等相表面更为均匀，并且 $\theta = \pm60^o$ 的场强被抑制。在图29中的仿真辐射方向图也证明 $\theta = \pm60^o$ 处的栅瓣被显著抑制，减少副瓣电平超过了10dB。图30显示了有和没有HIS的天线阵列的仿真增益。可以看到HIS的使用不会影响阵列的增益带宽，并且会增益峰值增益。因为本工作主要包含一个新型的馈网拓扑，副瓣抑制方法只通过仿真设计。

D.比较和讨论

在所提出天线和其他全金属双极化天线的比较被总结在表III。可以从表I中看到大多数双极化全金属毫米波阵列的馈网主要基于空气填充波导和间隙波导。全金属加工方法主要是铣削技术。在毫米波对于空气填充波导的加工精度非常高，这会导致加工成本和困难的急剧增益。使用3D打印技术可以有效解决这个问题。尽管3D打印技术还不成熟，其有成为主流加工技术的潜能。与DMSL技术相比，铜板SLA技术可以低成本实现高加工精度。对于复杂的双极化空气填充波导阵列，其很难在馈网的内表面镀铜；铜板SLA技术对于间隙波导更为适用。同时，间隙波导的不接触特性降低了加工和装配的精度需求。因此，间隙波导阵列铜板SLA技术非常适用于毫米波应用。与空气填充波导相比，现在的双极化间隙波导阵列，通常有着更窄的带宽。在[19]中提出了一个宽带间隙波导阵列，但只支持单极化辐射。并且双极化辐射更适用于许多应用。基于加载脊技术，在本文中Ants.1和2能够适用传统馈网来实现宽带双极化辐射。因为传统馈网相对成熟，在本文中不再赘述。Ant.2可以减少天线剖面并实现更宽的阻抗带宽，但隔离相对较差。可以从表III中看出Ant.2的剖面显著降低了。为了解决这个问题，提出了一种新型的馈网拓扑。把更低隔离的Ant.2作为子阵列，基于提出的馈网实现了隔离优于40dB的4x4双极化阵列。所提出天线的结构可以视为没有介电损耗的全金属结构，所以辐射效率很高。因为相邻2x2子阵列的大周期，在有效辐射区域的条件下，观察到了高的副瓣并且峰值口径效率相对低。其由HIS提升。此外，子阵列的低隔离也轻微降低了天线效率。通过添加极化器，可以实现双圆极化辐射。与其他间隙波导阵列相比，所提出天线的带宽显著提升。

第五部分总结

一种新型的宽带双极化间隙波导阵列在本文中提出。通过加载脊，设计了两个宽带双极化辐射单元。为了实现更宽的带宽和更紧凑的结构，一种双极化间隙波导阵列馈网拓扑被提出。加工并测试了一种4x4双极化阵列并且测试结果证明了所提出馈网的性质。此外，此阵列也可以实现宽带双圆极化辐射。双极化间隙波导阵列的整体带宽由加载脊技术和使用新馈网显著提升。所提出的天线和阵列有双极化和低成本的20%带宽，其对于毫米波通信应用很有价值。