双端口RAM和多模块存储器

双端口RAM和多模块存储器

一、双端口RAM

1. 定义：双端口RAM是指同一个存储器有左右两个独立的端口，分别具有两组相互独立的地址线、数据线和读写控制线，允许两个独立的控制器同时异步地访问存储单元。
2. 缺陷：当两个端口的地址不相同时，在两个端口上进行读写操作一定不会发生冲突。两个端口同时存取存储器的同一地址单元时，会因数据冲突造成数据存储或读取错误。两个端口对同一主存操作有以下4种情况：

（1）两个端口不同时对同一地址单元存取数据；
（2）两个端口同时对同一地址单元读出数据；
（3）两个端口同时对同一地址单元写入数据；
（4）两个端口同时对同一地址单元操作，一个写入数据，另一个读出数据。
【注】（1）（2）不会出现错误，（3）会出现写入错误，（4）会出现读出错误。
解决方法：由逻辑判断决定暂时关闭一个端口，未被关闭的端口正常访问，被关闭的端口延长一个很短的时间段后再访问。

二、多模块存储器

1.单体多字存储器

特点：只有一个存储体，每个存储单元存储m个字，总线宽度为m个字，增大了存储器的带宽，提高了单体存储器的工作速度。
缺点：指令和数据在主存内必须是连续存放的，一旦遇到转移指令，或操作数不能连续存放，这种方法的效果就不明显。

2.多体并行存储器

特点：多体并行存储器由多体模块组成，每个模块都有相同的容量和存取速度，各模块都有独立的读写控制电路、地址寄存器和数据寄存器。它们既能并行工作，又能交叉工作。

多体并行存储器可以分为高位交叉编址（顺序方式）和低位交叉编址（交叉方式）两种。
（1）高位交叉编址：高位地址表示体号，低位地址为体内地址。

缺点：CPU总是按顺序访问存储模块，存储模块不能被并行访问，因而不能提高存储器的吞吐率。
【注】模块内的地址是连续的，存取方式仍是串行存取，因此这种存储器仍是顺序存储器.

（2）低位交叉编址：低位地址表示体号，高位地址为体内地址。

低位交叉编址方式下，总是把高位的体内地址送到由低位体号确定的模块内进行译码。程序连续存放在相邻模块中，因此称采用此编址方式的存储器称为交叉存储器，采用低位交叉编址后，可在不改变每个模块存取周期的前提下，采用流水线的方式并行存取，提高存储器的带宽。