前言：
本专栏旨在记录高频笔面试手撕代码题，以备数字前端秋招，本专栏所有文章提供原理分析、代码及波形，所有代码均经过本人验证。
目录如下：
10.数字IC手撕代码-数据位宽转换器（宽-窄，窄-宽转换）
13.数字IC手撕代码-流水握手（利用握手解决流水线断流、反压问题）
18.数字IC手撕代码-双端口RAM（dual-port-RAM）
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双端口RAM
这篇文章来介绍双端口RAM，目的是为后续的同步FIFO和异步FIFO打下基础，我们都知道其实FIFO就类似一个RAM，但是它对输入输出的信号做了处理，可以使得数据在跨时钟域的时候不会出错。写FIFO都是要调用RAM的，那么一个双端口RAM怎么写呢？
双端口RAM分很多种，同步双端口RAM（读写同时钟），异步双端口RAM（读写分别用读时钟和写时钟），以及每种双端口RAM又分为伪双端口RAM和真双端口RAM。伪双端口RAM是指有两个读写通道，其中一个用来读另一个用来写。而真双端口 RAM 指的是有两个读写端口,每个端口都可以独立发起读或者写。
而单端口RAM就是对一个通道又读又写。
伪双端口RAM
一个伪双端口RAM，一个通道读，一个通道写，写通道有写数据、写地址和写使能，读通道有读数据、读地址和读使能，再加上输入时钟，构成输入输出的端口。一个简单的双端口RAM可以写成如下：
用两个过程语句块描述，一个通道读，一个通道写。如果是异步的时钟，即读写不是同一时钟的话，可以修改两个过程语句块的敏感事件列表，一个改成always@（posedge clkw），另一个改成always@(posedge clkr)即可。
真双端口RAM
而对于一个真双端口RAM，两个通道即可读又可写，怎么处理呢？
真双端口RAM，每个通道都有通道使能、输入数据、输出数据、数据地址、写使能、通道时钟六个端口，所以真双端口RAM共有12个端口。通道a一套，通道b一套。
对真双端口RAM的一个通道来说，当通道使能时，如果写使能，则把值写入到RAM的addra地址，并读出RAM位于addra地址的旧的值。如果写不使能，则读出RAM位于addra地址的数据。
代码
testbench
波形
之所以输出数据会出现红线，是因为RAM的一开始数值是不确定的，所以在每次切换地址后，读取出来的RAM对应地址的旧的值是不确定的，所以是红线。过一个周期后，改地址被写入新的值，新的值被读出，所以有data_o_a/b有数据。
当然我们这里还要提一下，可能有人会问，你这里不会出现读写冲突吗。你这里怎么判断空满，写满了怎么停止写入，读空了怎么停止读出呢？
对于第一个问题，两个通道对RAM的同一块地址同时进行读写，这个的解决办法是在一开始的时候，就不要让addra=addrb，解决问题的最好办法就是不让问题发生。
对于第二个问题，关于地址指针和空满判断其实不属于RAM的范畴，RAM可以把它理解为一个存储的空间，具体的指针控制和空满判断其实是RAM外部添加的一些控制信号。不属于RAM的范畴，具体如何解决地址指针移动及空满判断问题，会在同步FIFO及异步FIFO中给出详细解答。
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