nmos高边开关电路仿真与设计

以前学习电力电子的时候,经常听他们讲双管反激电路难点在于高边nmos的开关问题。当时我模电基础很烂,对这个问题我并没有太深刻的体会。最近使用mos做电源开关的时候因为手上没有pmos了,但是又要做高端开关。于是开始仿真(踩坑)。以下经历希望对各位读者有帮助。

pmos高边开关

总所周知,pmos开关如下图所示:

开关按下时:

这个电路需要注意R1 R2取值,因为mos开关的开关条件是V_{GS}>V_{GS(th))},如果取值不对则分压不够没办法打开。

nmos 低边开关

对于nmos,我们常见的开关电路如下:

关闭时:

开启时:

nmos高边电路探索

pmos市面上少,库存有时候会不够,如果是nmos会好很多,但是低边开关是阻断地通路,如上图nmos低边开关没有开启时负载是带电的。这样如果有人乱碰电压低还好,电压高那就可能出问题。根据以上问题,最好是直接使用nmos实现高边开关。那这个怎么实现呢?

根据以上我首先想到的是直接拿nmos替换掉pmos,其电路图如下

之所以不s接vcc g接负载是因为这样就算没有打开电流也会走体二极管到负载。这样一方面不能开关,另一方面就算是导通了也有压降。这样不完美。其电路图如下:

重新回到nmos替换掉pmos的高边电路:其打开时现象如下:

为什么这里负载的电压只能到8点多,升不上去?这个电压既不是完全关断,也不是完全打开?这个情况是怎么产生的呢?

这个问题其实很简单,mos开关的条件是V_{GS}>V_{GS(th))},pmos的V_{GS}为负,nmos的V_{GS}为正。那这个电路开关没有打开时V_{GS}是多少呢?答案是+12V。这样V_{G}开关开启或关闭时电压不一样。pmos的V_{G}小于+12,nmos的V_{G}大于+12v。此电路中输出电压与输入之差正好是V_{GS(th))}。故改进如下:

那这个15v应该怎么产生呢?我个人有以下思路

1boost

2电荷泵

这里就没有仿真了。本文也到此吧。如果我弄出来了我再更新。这也是为什么双管正反激的高边驱动这么麻烦。

### NMOS晶体管作为开关的工作原理 NMOS晶体管作为一种场效应晶体管,其工作模式主要依赖于栅极(G)相对于源极(S)的电压来控制漏极(D)和源极(S)之间通道的状态。当栅极源极间的电压\( V_{GS} \)超过一定阈值电压\( V_{th} \),即形成足够的电场强度时,会在衬底表面感应出一层电子云,从而创建一条连接漏极到源极的导电路径[^3]。 对于增强型NMOS来说,如果\( V_{GS}<V_{th} \),那么几乎不会有电流流过;而一旦\( V_{GS}\geqslant V_{th} \),就会开启一个低阻抗通道让电流顺利流通。这种特性使得NMOS非常适合用于构建高效的开关电路,在此过程中充当理想的开/关角色。 ```python def nmos_switch(v_gs, v_th): """ 模拟NMOS作为开关的行为 参数: v_gs (float): 栅源电压 v_th (float): 阈值电压 返回: bool: True表示导通(ON), False表示截止(OFF) """ return v_gs >= v_th ``` ### NMOS晶体管在开关电路中的应用分析 由于NMOS具有较低的导通电阻以及易于制造的特点,因此常被选用制作高性能的开关设备。具体应用场景如下: #### 数字逻辑电路 利用NMOS的不同组合形式可实现基本逻辑运算功能,如AND、OR等门电路的设计。这类电路构成了现代计算机和其他数字系统的基石[^1]。 #### 功率管理模块 在电源管理系统里,NMOS能够高效地切换负载供电线路,帮助减少能量损耗并提高转换效率。特别是在便携式电子产品中广泛应用。 #### 电机驱动领域 为了精确控制电动机的速度及方向变化,往往借助多个NMOS组成的H桥结构来进行正反转操作。这种方式不仅简化了硬件架构还增强了可靠性。
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