基于 A7 的 DDR3 SDRAM IP 写实现

本文详细介绍了如何基于A7芯片的DDR3 SDRAM IP核实现写时序,包括理解DDR3 SDRAM IP的写命令和数据总线,以及根据Xilinx官方手册设置写控制操作。内容涵盖了写数据总线的作用,写命令和数据的逻辑关系,写控制模块的框图,以及实际的Verilog HDL代码实现。
摘要由CSDN通过智能技术生成

设计任务:

实现A7 芯片内自带的 DDR3 SDRAM 的 IP 核的写时序,以及对应的波形图和 Verilog HDL。调取的 DDR3 SDRAM 控制器给用户端预留了接口,我们可以通过这些预留的接口总线实现对该 IP 核的控制,本章节将会讲解如何根据 Xilinx 官方提供的技术参数来实现对 IP 核的写控制。

DDR3 Sdram IP 写时序:

1、写命令和写数据总线介绍 DDR3 SDRAM控制器IP核主要预留了两组总线,一组可以直接绑定到DDR3 SDRAM 芯片端口,一组是留给用户端使用的,框图如图 1 所示。

 

如图 1 所示的中间部分为我们调取的 IP 核,user FPGA Logic 为用户端逻辑, DDR2/DDR3 SDRAM 为存储芯片。其中 IP 核与存储芯片之间的总线大部分以 ddr 作为开头,这部分总线我们只需要在 top 模板设为端口即可,无需我们控制。 用户端与 IP 核之间的总线大部分以 app 作为开头,并且从用户端输出到 IP 核的 信号线需要我们产生。 在了解了大概的框架之后,下面我们首先通过以 app 为开头的总线实现对 IP 写控制操作。为了更好的了解相关的参数,我们可以登录 Xilinx 官网下载 UG586 手册,具体的下载地址如下所示: https://www.xilinx.com/support/documentation/ip_documentation/mig_7series/v4_1/u g586_7Series_MIS.pdf 通过手册我们可以了解到,为了实现写,我们需要控制 app 端的命令总线和 数据总线,下面先对 app 端命令总线作解释,此处的 input 和 output 均现对于 IP 核而言。

 

 app 端写数据总线中的每一根信号作用如下表所示,此处的 input 和 output 均现对于 IP 核而言。

 根据上表所描述,我们可以对 app 端写时序所用到的每一根信号有一点的了解,下面给出写时序的波形。图 3 中所示的①、②、④处的数据均不会被写入到 IP 中,只有③处的数据才会被 IP 接收。

 我们对 app_wdf_end 这个信号做最进一步的讲解,该信号表示的是当前突发写的最后一个数据。在 A7 DDR3 控制器 IP 核中,只存在突

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