【晶体管电路设计】一、晶体管设计概述与共射极放大电路

晶体管设计概述与共射极放大电路

一、概述

晶体管放大电路是模拟电路的核心部分，也是当下大多数集成运放的基本原理。通过学习铃木雅臣的《晶体管电路设计》，希望能对晶体管设计电路有较深入的了解，并对模拟集成电路设计打好基础。

二、晶体管放大原理

晶体管是电流控制器件，通过改变基极电流，可以对集-射极电流进行控制。在常用的电压放大场合下，这种放大效应来源于用电阻将电流转换为电压。在小信号模型分析法中，基极电流的来源是输入电压与基射极动态电阻rbe的比值。rbe通常为kΩ级，故在小信号情形下基极电流很小，可能只有零点几个mA。通过晶体管的放大作用，基极电流以β倍产生在集射极间。以共射极放大电路为例，以上关系可以表示为：
（笔误！图中Re应为Rc）

△Vi/rbe=△ib
从而，集电极产生一个β倍于ib的电流：
△ie=β△ib
进而，输出电压即可通过相对正电源电位来得到：
△Vo=VCC-△ieRc=VCC-β△ibRc=VCC-△Vi·Rc/rbe
从而，我们通过交流耦合以及控制集电极电阻Re，可以得到反相的放大的电压信号。但一般发射极会有一个控制增益的电阻，故上述公式并不实用；在非极端情况设计电路时，我们往往希望电路能对大多数通用晶体管工作，故考虑避免rbe这种依赖元件参数的参量存在于我们的计算中。
同时，在具体计算时考虑基极电流是很繁琐的事情，故在一般设计过程中，以近似计算的方式忽略基极电流的存在（但在某些电路中，虽然忽略了基极电流，但使电路工作仍需要给基级一定的电流驱动）。增益的计算也从rbe设计为外电路电阻。
此外，基射极管压降VBE也是一个非常重要的参量，一般等于0.6V（硅管）。晶体管电路的参数能够由VBE=0.6V和欧姆定律全部求出。
晶体管电路的繁琐之处还在于静态工作点的设置，通常，不仔细的设计会造成输出波形的削波失真。这个问题在设计的初期就可以完美解决。还有很多的经验数值的选取值得学习和记忆。整体设计思路是：定量确定电压和电流，来计算电阻。而且一些关键的电压和电流都有经验值或者由手册提供。

三、共射极放大电路设计

共射极放大电路是典型的反相放大器，应用广泛，效果稳定。首先先把整体设计思路展示出来，再分步骤来解释设计的目的和原理。

1、设计步骤

1. 确定供电电压VCC，根据频率曲线/噪声曲线/其他来确定静态发射极电流IE；</