晶体管电路设计

参考书目：《晶体管电路设计》——[日]铃木雅臣
0基础，纯小白，笔记

一、晶体管、FET和IC

PLD——Programmable Logic Devicem，可编程逻辑器件
ASIC——Application Specific IC，专用集成电路

1、晶体管和FET的工作原理

Q：何为放大工作？
A：大小与输入信号成正比的输出信号可以认为是从电源来的。由电源来的输出信号形状与输入信号相同，而且比输入信号的电平高。所以由外部看上去，可以看成输入信号被“放大”，这就是晶体管或FET的放大原理。（P4图1.2、1.3）（晶体管或者FET的输入信号通过器件而出来，晶体管或者FET吸收此时输入信号的振幅信息，由电源重新产生输出信号。由于该输出信号比输入信号大，可以看成将输入信号放大而成为输出信号，这就是放大的原理。）

1.1、晶体管的工作原理

1.2、FET的工作原理

FET——Field Effect Transistor，场效应晶体管
FET晶体管的一种，也叫单极晶体管，通常所说的晶体管是指双极晶体管。
FET有三个极，即栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）

P11 图2.4，双极晶体管电路与FET电路工作上最重要的不同点。
双极晶体管是由基极电流控制集电极与发射极之间电流流动的器件，是由电流控制输出的，所以叫做电流控制器件；
FET是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间的电流流动的器件，是由电压控制输出的，所以称为电压控制器件。