EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)和Flash(闪存)是两种非易失性存储器件,用于储存数据而无需外部电源供电。它们在电子设备中被广泛应用。
EEPROM是一种只读存储器(ROM)的变种,它可通过电子方式被多次擦除和重写。EEPROM通过带电隧道效应来实现数据的擦除和编程。它通常用于存储小量、频繁变更的数据,如设备配置信息、校准数据等。EEPROM的特点是可以在电子设备中直接进行数据的读写操作,但速度相对较慢。
Flash是一种闪存存储器,它使用浮栅传输门技术来进行数据的擦除和编程。Flash存储器可以通过块擦除和页编程的方式进行快速擦除和编程操作。Flash主要用于存储大容量的程序代码、操作系统、固件等数据。相比EEPROM,Flash的特点是容量大、速度快,但擦写次数有限。
Flash只能写0,不能写1。
总结起来,EEPROM适用于频繁擦写小容量数据的应用,而Flash适用于存储大容量的数据和程序代码的应用。它们在电子设备中起到了存储数据、实现数据持久化的重要作用。