6.模拟电子技术——共集电极,共基极,多极放大电路

写在前面

这个是第六次的笔记,祝大家学习愉快

笔记部分

1.共集电极放大电路

首先,我们再复习一遍组态判断:基极进,发射极出,说明是共集电极放大电路。可能读者已经知道一些结论,先抛开这些,我们一起来从头分析一遍。先来直流通路:

我们根据这个通路可以求出静态工作点,这里我们就设为已知。接下来我们画出来小信号模型。

注意输出电压的位置。

我们现在分析一下它的电压增益:

v_i = i_br_{be} + (1+\beta)i_b(R_e||R_L)\\ \\ v_o = (1+\beta)i_b(R_e||R_L)\\ \\ A_v = \frac{(1+\beta)(R_e||R_L)}{ r_{be} + (1+\beta)(R_e||R_L)}

我们我们会发现,如果并联的那组电阻远大于r_{be}的话,这个电压增益就约等于1,也就是说,这个得出来了类似于电压跟随器的效果

这个专栏好像还没有讲过电压跟随器,如果有同学在基础电路里没有学过运算放大器相关的话可以看一下相关模电教材。(华科那本好像就有)

我们接下来就看看它的输入电阻和输出电阻:

我们从输入端看进去,我们需要吧所有的电阻都折算到i_b上,也就是说,我们根据计算(可以自己算)得到这样的输入电阻:

R_b||(r_{be}+(1+\beta)(R_e||R_L))

我们再看输出电阻,我们去掉R_L和电压源,把剩下的电阻折算到i_e上,有:

R_e||\frac{(R_s||R_b)+r_{be}}{1+\beta}

我们可以看到,这个输入电阻比较大,这个输出电阻大,输出电阻小,接近理想的电压跟随器,所以共集电极放大电路也叫电压跟随器。

并且,通过与共发射极电路可以得知,共集电极电路的电压增益是正号,说明放大后的电压与放大前同相。

2.共基极放大电路

看起来很复杂,我们先画出直流通路:

我们也是默认静态工作点已知,我们来画一下交流通路:

接下来我们就可以算增益了。易得v_i = r_{be}i_b,v_o = i_c(R_c||R_L)

所以增益就是:A_v = \frac{\beta(R_c||R_L)}{r_{be}}

输入电阻:R_i = R_e||\frac{r_{be}}{1+\beta}输入电阻很小

输出电阻:R_o \approx R_c 

这种看起来比较不太接近理想的放大电路适合做电流跟随器,因为如果是电流源输入,则输入电阻小的会分走大部分电流。

这个是这三种基本放大电路的总结:

3.多级放大电路

3.1 共射-共基极放大电路

我们忽略直流通路,直接画出交流通路:

这种我们分析的时候,上一级的输出电阻是下一极的输入电阻。电压增益是两个增益之积。比如这个,我们先写出正常的共射极放大电路和共基极放大电路的增益:

因为没有R_e所以:

A_{v1} = -\frac{R_L\beta_1}{r_{be1}} A_{v2} = \frac{\beta_2R_{L2}}{r_{be2}}

根据上面的话,我们应该算出第二级的输入电阻作为R_L(注意,这个R_L泛指输出电阻,不是图里那个)R_{L2} = R_{c2}||R_L,其中,这个式子的R_L是图里那个R_L。第二级的输入电阻只能是r_{be2},也就有:

A_{v1} = -\frac{\beta_1r_{be2}}{r_{be1}(1+\beta2)}\\ \\ A_{v2} = \frac{\beta_2(R_{c2}||R_L)}{r_{be2}}

于是

由于\beta_2>>1,有:

很容易得到,输入电阻是R_b,输出电阻是R_{c2}

3.2 复合管与共基-共基放大电路

这一块记结论就行

写在后面

祝大家学习愉快!

<think>好的,我现在需要回答用户关于共基极放大电路的工作原理、分析方法的问题。首先,我应该回忆一下共基极放大电路的基本结构。共基极放大电路中,基极作为公共端,输入信号加在发射极和基极之间,输出信号从集电极和基极之间取出。这种接法的特点是输入阻抗低,输出阻抗高,适用于高频应用。 接下来,工作原理部分,需要解释当输入信号变化时,如何影响晶体管的电流,进而导致输出电压的变化。因为基极是接地的,所以发射极电流的变化直接影响集电极电流,通过负载电阻产生电压变化,从而放大信号。 然后是分析方法,可能包括直流分析和交流分析。直流分析确定静态工作点,计算基极、发射极和集电极的静态电流和电压。交流分析需要画出小信号等效电路,比如使用混合π模型,计算电压增益、输入阻抗、输出阻抗等参数。这里要注意共基极电路的特点,比如电流增益接近1,但电压增益较高,输入输出相位相同。 还要考虑到用户提到的参考引用中的内容,引用指出共基放大电路是三种基本接法之一,具有不同的特点和应用,特别是高频应用。需要结合这些信息,强调共基电路的高频性能好的原因,比如较低的输入阻抗减少了电容效应的影响。 最后,生成相关问题时要围绕共基极电路的应用、与其他放大电路的比较、分析方法的具体步骤以及高频特性等方面展开。确保问题能够帮助用户进一步深入理解该电路的结构和用途。 需要检查是否有遗漏的关键点,比如共基极放大电路的频率响应、输入输出阻抗的计算方法,以及实际应用中的例子。同时,要确保所有公式使用正确的LaTeX格式,行内公式用$...$,独立公式用$$...$$,并正确引用用户提供的参考文献。</think>### 共基极放大电路工作原理及分析方法 #### 1. 电路结构与特点 共基极放大电路以基极作为公共端,输入信号从发射极-基极间接入,输出信号从集电极-基极间取出。其特点是: - **输入阻抗低**(约几十欧姆) - **输出阻抗高**(约几百千欧姆) - **电压增益高** - **电流增益接近1**($\alpha \approx 0.98$) - **高频特性优异**,适用于射频和宽带放大[^1]。 #### 2. 工作原理 1. **直流偏置**:通过电阻网络(如$R_E$、$R_C$)设置静态工作点,使晶体管处于放大区。 2. **信号放大**: - 输入信号$v_i$引起发射极电流$i_e$变化:$$i_e = \frac{v_i}{r_e}$$,其中$r_e = \frac{V_T}{I_E}$为发射结动态电阻。 - $i_e$变化传递到集电极电流$i_c$:$$i_c = \alpha i_e$$ - 输出电压$v_o = -i_c \cdot R_C = -\alpha R_C \cdot \frac{v_i}{r_e}$ #### 3. 分析方法 **步骤1:直流分析** 计算静态工作点$Q$($I_E$, $V_{CE}$): $$I_E \approx \frac{V_{EE} - V_{BE}}{R_E}$$ $$V_{CE} = V_{CC} - I_C R_C$$ **步骤2:交流小信号分析** 使用混合π模型或T模型: - **电压增益**: $$A_v = \frac{v_o}{v_i} = \frac{\alpha R_C}{r_e} \approx \frac{g_m R_C}{1}$$ - **输入阻抗**: $$Z_{in} = r_e \parallel R_E \approx r_e$$ - **输出阻抗**: $$Z_{out} \approx R_C$$ **步骤3:频率响应分析** 因输入电容$C_{\pi}$对低输入阻抗影响小,共基电路高频截止频率显著高于共射电路。 #### 4. 典型电路示例 ``` +Vcc | Rc | C2 ----|----> Vout | BJT / \ E---Re---Vi | GND ``` #### 5. 关键公式总结 | 参数 | 公式 | |------------|--------------------------| | 电流增益 | $\alpha = \frac{I_C}{I_E}$ | | 电压增益 | $A_v \approx g_m R_C$ | | 输入阻抗 | $Z_{in} \approx r_e$ | | 输出阻抗 | $Z_{out} \approx R_C$ |
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