存储器（二）

主存

主存存储当前执行的计算任务的所需的程序数据

2.1 相关概念

主存编址：将主存的存储单元编号为地址

存储字长：一次访问操作的单元的位数

MAR 存储器地址寄存器：存储所访问的数据地址

MDR 存储器数据寄存器：存储所访问的数据

• MAR/MDR 理论上均属于主存，实际制于CPU中

存取时间 MAT：启动一次存储器操作到完成的时间

• 分有读入时间与写入时间

存取周期 MCT：连续两次独立存储器操作的最小间隔时间

• MCT大于MAT

存储容量：主存能存放信息的总位数

存储器带宽：存储器存取速度

---

2.2 主存结构

存储体：存储信息的存储元阵列

译码器：对地址信号进行译码

驱动器：驱动存储器的译码

读写电路：实现存储器的读写

控制电路：控制读写电路的读写

---

2.3 SRAM

2.3.1 基本电路

6个MOS管构成的触发器

2.3.2 SRAM芯片

2.3.3 读时序

2.3.4 写时序

---

2.4 DRAM

2.4.1 基本电路

2.4.2 DRAM芯片

行列复用

2.4.3 读时序

2.4.4 写时序

2.4.5 DRAM刷新

DRAM电容上的电荷易失，需要周期性刷新。刷新的实质是将原信息读出，再由放大器重新写入

刷新单位：以行为单位刷新DRAM

刷新周期：对全部DRAM刷新一次的时间

1）集中刷新

2）分散刷新

3）异步刷新

---

2.5 DRAM/SRAM比较

• 集成度：DRAM＞SRAM
• DRAM行列地址复用，SRAM不复用
• 功耗：DRAM＜SRAM
• 速度：SRAM＞DRAM
• DRAM需周期性刷新
• Cache多用SRAM实现，主存多用DRAM实现

---

2.6 只读存储器 ROM

传统ROM只可读不可写，现代ROM类型可读可写

1）掩膜ROM( MROM )

2）一次性编程ROM (PROM)

3）可擦除可编程ROM (EPROM)

4）电可擦除可编程ROM (EEPROM)

5）闪速存储器Flash

---

2.7 译码驱动方式

1）线选法

每个存储单元分配一根字选择线

2）重合法

每个存储单元分配两根选择线，两个选择信号同时有效时被选中

此方式减少了硬件开销

---

2.8 存储扩展连接

单片存储芯片容量有限，若干存储芯片连在一起组成存储器以扩展容量

1）位扩展

位扩展 目的为增加存储字长，芯片地址线与CS片选线连接在一起，数据线连于不同的数据总线高低位

2）字扩展

字扩展 目的为增加存储字数，芯片数据总线连在一起，地址线与CS线连于不同地址线上

3）字位扩展

同时扩展 存储字数和存储位数