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工作需要使用DRV8301,然TI芯片手册只有英文的,因觉得中文看得比较舒服,故随便译了一下,有译错的,我看得懂就行了 >_<
一、特征
- 支持6-60V的电压输入
- 电压6V到60V
- 1.7A栅极驱动电流,2.3A吸收电流
- 支持3.3V和5V接口
- 集成一个buck电源,可调节输出电压和开关频率,可对外提供1.5A电流
- 死区时间可调整、过流保护可调整、PVDD 和GVDD欠压锁定、GVDD过压锁定、过温提示/关机
- 可使用3或6个PWM输入控制
- SPI通信
二、Description
DRV8301 是一款用于三相电机驱动应用的栅极驱动器 IC。该器件提供三个半桥驱动器,每个驱动器可驱动两个 N 沟道 MOSFET。DRV8301 支持高达 1.7 A 的源电流和 2.3 A 的峰值电流。DRV8301 可在 6 V 至 60 V 的宽范围内使用单电源工作。该器件采用带涓流充电电路的自举栅极驱动器架构,支持 100% 占空比。DRV8301 在高压侧或低压侧 MOSFET 开关时使用自动握手功能,以防止电流流入。高压侧和低压侧 MOSFET 的集成 VDS 检测用于保护外部功率级免受过流条件的影响。 DRV8301 包括两个电流分流放大器,用于精确测量电流。DRV8301 还包括一个集成开关模式降压转换器,其输出和开关频率可调。SPI 提供详细的故障报告和灵活的参数设置,例如电流并联放大器的增益选项和栅极驱动器的压摆率控制。
三、 Pin Configuration and Functions
1.Pin Configuration
2.Function
Pin1:RT_CLK,input,降压稳定器的Resistor timing(定时电阻、振荡电阻)和外部时钟,为了消除噪声可能造成的潜在时钟抖动电阻应该经很短的轨迹接地
Pin2:COMP, output,降压误差放大器的输出和输出开关电流比较器的输入
Pin3:VSENSE,input,降压输出电压的反馈检测引脚
Pin4:PWRGD,output,开漏输出,需要外部上拉电阻,如果降压输出电压因过热关断、掉电、过压或 EN_BUCK 关断而变低,则赋值为低电平
Pin5:nOCTW,output,过流、过温报警指示。开漏输出,需要外部上拉电阻。可通过SPI修改寄存器来配置输出模式
Pin6:nFAULT,output,故障指示。开漏输出,需要外部上拉电阻
Pin7:DTC,input,外接一个接地的电阻来调整死区时间
Pin8:nSCS,input,SPI芯片选择
Pin9:SDI,input,SPI的输入
Pin10:SDO,output,SPI输出
Pin11:SCLK,input,SPI CLK信号输入
Pin12:DC_CAL,input,当DC_CAL拉高时,器件短路采样电流放大器的输入并断开负载。直流偏置校正可通过外部单片机实现
Pin13:GVDD,power,内部栅极驱动器电压调节器,连接电容接地
Pin14:CP1,power,充电泵的引脚1,与引脚2之间连接陶瓷电容
Pin15:CP2,power,充电泵的引脚1,与引脚1之间连接陶瓷电容
Pin16:EN_GATE,input,使能栅极驱动和采样电流放大器,控制buck通过EN_BUCK端口
Pin17:INH_A,input,半桥A的高侧PWM输入
Pin18:INL_A,input,半桥A的低侧PWM输入
Pin19:INH_B,input,半桥B的高侧PWM输入
Pin20:INL_B,input,半桥B的低侧PWM输入
Pin21:INH_C,input,半桥C的高侧PWM输入
Pin22:INL_C,input,半桥C的低侧PWM输入
Pin23:DVDD,power,内部3.3V供电。DVDD 电容应连接至 AGND,此时是一个输出端,但不用于驱动外部电路
Pin24:REF,input,设置采样电流放大器的偏置电压,该偏置电压值等于本引脚上电压的一半。连接到MCU的ADC参考电压上
Pin25:SO1,output,电流放大器1的输出
Pin26:SO2,output,电流放大器2的输出
Pin27:AVDD,power,内部6V的供电电压,AVDD 电容应连接至 AGND,此时是一个输出端,但不用于驱动外部电路
Pin28:AGND,power,模拟地,连接到地
Pin29:PVDD1,power,为栅极驱动、采样电流放大器和SPI通信提供能量。PVDD1与PVDD2相独立。PVDD1通过电容接地
Pin30:SP2,input:电流放大器 2 的输入端(连接至放大器的正输入端)。建议连接至感应电阻器的接地端,以获得最佳的共模抑制效果
Pin31:SN2,input,电流放大器 2 的输入端(连接至放大器的负输入端)
Pin32:SP1,input,电流放大器 1 的输入端(连接至放大器的正输入端)。建议连接至感应电阻器的接地端,以获得最佳的共模抑制效果
Pin33:SN1,input,电流放大器 1 的输入端(连接至放大器的负输入端)
Pin34:SL_C,input,半桥C低侧MOS的源极。在这个引脚和SH_C引脚可以测低侧的Vds
Pin35:GL_C,output,半桥C低侧MOS的栅极输出
Pin36:SH_C,input,半桥C高侧MOS的源极。在这个引脚和PVDD1引脚可以测高侧的Vds
Pin37:GH_C,output,半桥C高侧MOS的栅极输出
Pin38:BST_C,power,半桥C的自举电容
Pin39:SL_B,input,半桥B低侧MOS的源极。在这个引脚和SH_B引脚可以测低侧的Vds
Pin40:GL_B,output,半桥B低侧MOS的栅极输出
Pin41:SH_B,input,半桥B高侧MOS的源极。在这个引脚和PVDD1引脚可以测高侧的Vds
Pin42:GH_B,output,半桥B高侧MOS的栅极输出
Pin43:BST_B,power,半桥B的自举电容
Pin44:SL_A,input,半桥A低侧MOS的源极。在这个引脚和SH_A引脚可以测低侧的Vds
Pin45:GL_A,output,半桥A低侧MOS的栅极输出
Pin46:SH_A,input,半桥A高侧MOS的源极。在这个引脚和PVDD1引脚可以测高侧的Vds
Pin47:GH_A,output,半桥A高侧MOS的栅极输出
Pin48:BST_A,power,半桥A的自举电容
Pin49:VDD_SPI,input,SPI供电,可提供3.3V或5V。与MCU用于SPI的电源相连接
Pin50.51:PH,output,接到buck转换器内部的高侧MOSFET上,外面需要电感、二极管电路来构成完整的buck电路
Pin52:BST_BK,power,buck转换器的自举电容
Pin53.54:PVDD2,power,为buck转换器提供能量,PVDD2电容应该接地
Pin55:EN_BUCK,input,使能buck转换器。内部上拉电流源,拉至 1.2 V 以下禁用。通过两个电阻调整输入欠压锁定
Pin56:SS_TR,input,Buck软启动和跟踪。连接到此引脚的外部电容设置输出上升时间。因为这个引脚上的电压覆盖内部参考,它可以用于跟踪和排序。通过电容接地
Pin57:GND
六、 Specifications
1. 绝对最大额定值
超过绝对最大额定值下所列的应力可能会对设备造成永久性损坏。这些仅为理论上的额定值,并不意味着器件在这些条件下或超出 "建议工作条件 "下所示条件的任何其他条件下都能正常工作,长期暴露在此条件下可能会影响器件的可靠性。
2. ESD 额定值
3. 建议的运行条件
4. 热学参数
5. 电气特性
6. 采样电流放大器特性
7. buck特性
8. SPI定时器特性(仅限从模式下)
9. 栅极时间和保护开关特性
死区时间编程定义:从 GH_X 下降沿到 GL_X 上升沿以及从 GL_X 下降沿到 GH_X 上升沿的可调延迟。在 6-PWM 输入模式下,该可调值是微控制器从外部设置的输入之间的时序延迟相加。
10. 典型特征
七、 Detailed Description
1. Overview
DRV8301 是一款 6 V 至 60 V 栅极驱动器 IC,适用于三相电机驱动应用。该器件集成了三个半桥驱动器、两个电流分流放大器和一个开关降压转换器,从而减少了外部元件数量。DRV8301 提供过流、过热和欠压保护。除 SPI 寄存器外,还可通过 nFAULT 和 nOCTW 引脚显示故障情况。 可通过对外部 MOSFET 的开关进行微调来调节死区时间和峰值栅极驱动电流。DRV8301通过外部 MOSFET 的 VDS 检测过流情况并做出适当响应。单个 MOSFET 过流情况通过 SPI 状态寄存器进行报告。 高度可配置的buck可支持多种输出选项,这使得 DRV8301 能够为控制器和低电压元件提供电压。
2. FunctionalBlockDiagram
3. 功能描述
3.1. Three-PhaseGateDriver
每个半桥配置为驱动两个 NMOS,一个用于高压侧,一个用于低压侧。每个半桥可配置为驱动两个 NMOS,一个用于高电平侧,一个用于低电平侧。峰值门控驱动电流通过寄存器设置来设定,而死区时间则通过 DTC 引脚上的外部电阻来调整。
当 MOSQg=25nC 时,可支持高达 200kHz 的开关频率。每个 MOS逻辑驱动器都具有用于过流保护的VDS 检测电路。该检测电路测量在启用 MOS时从漏极到外部 MOS源极的电压,并将该电压与编程基准点进行比较,以确定是否发生过流。高电平侧检测位于 PVDD1 和 SSH_X 引脚之间,低电平侧检测位于 SSH_X 和 SSL_X 引脚之间。 确保这些线路与外部 MOS的差分、低阻抗连接将有助于提供准确的VDS 检测。DRV8301 允许通过寄存器设置 6-PWM 和 3-PWM 控制。
Vcc为MCU供电。
3.2. 采样电流放大器
DRV8301包括两个高性能的电流放大器,用于精确的电流测量。
电流放大器通过SPI寄存器有四个可编程增益设置,分别是10、20、40和80 V/V。
电流放大器提供高达3V的输出偏置,以支持双向电流检测。偏移量被设置为参考引脚(REF)上电压的一半。
为了减小直流偏置和漂移超温,提供了一种通过DC_CAL引脚或SPI寄存器进行校准的方法。当直流校准启用时,设备将短路电流放大器的输入并断开负载。直流校准可以在任何时候完成,甚至在MOSFET开关期间,因为负载是断开的。为了获得最好的结果,在无负载时,在开关OFF期间进行直流校准,以减少潜在的噪声对放大器的影响。
采样电流放大器的输出可计算为:
其中,Vref是REF引脚的参考电压;G是放大器的增益(10, 20, 40, or 80 V/V);SNx 和 SPXx是通道 x 的输入端。SPx 应连接到检测电阻器的接地端,以获得最佳的共模抑制效果。
3.3. buck
3.4. Protection Features
3.4.1. OCP
为了保护功率级免受过大电流的损坏,DRV8301 中采用了 Vds检测电路。根据外部 MOS的 Rds(on)和允许的最大 Ids,可以确定一个电压阈值,以在超过该阈值时触发过流保护功能。电压阈值通过 SPI 寄存器进行编程。过流保护只能作为一种保护方案,而不能作为一种精确的电流调节方案。Vds 跳闸点的跨通道容差可达 20%。
Vds = Ids× Rds(on)
VDS 检测电路测量 MOSFET 启用时从漏极到外部 MOSFET 源极的电压。高压侧检测位于 PVDD1 和 SH_X 引脚之间。低压侧检测介于 SH_X 和 SL_X 引脚之间。确保这些线路与外部 MOSFET 的差分、低阻抗连接有助于提供精确的 VDS 检测。 可通过 SPI 寄存器设置四种不同的过流模式 (OC_MODE)。OC 状态位以锁存模式工作。当发生过流情况时,相应的 OC 状态位将锁存在 DRV8301 寄存器中,直到下一条 SPI 读取命令。读取命令发出后,OC 状态位将从寄存器中清除,直到再次发生过流情况。
- 限流模式
在限流模式下,器件在发生过流事件时使用电流限制而不是器件关断。 在该模式下,器件通过 nOCTW 引脚报告过流事件。nOCTW 引脚将在最长 64µs 的时间内(内部定时器)保持低电平,或直到下一个 PWM 周期。如果在前一个过流事件期间,另一个 MOSFET 触发了另一个过流事件,则报告将持续另一个 64µs 周期(内部定时器将重新启动)或直到两个 PWM 信号循环。检测到过流的 MOSFET 将断言相关状态位。 限流模式下有两种电流控制设置。它们由 SPI 寄存器中的一个位设置。默认模式是逐周期模式(CBC):在 CBC 模式下,检测到过流的 MOSFET 将关闭,直到下一个 PWM 周期:关断时间控制模式:在关断时间模式下,检测到过流的 MOSFET 将在 64 微秒的时间内被关断(由内部定时器设定)。如果在另一个 MOSFET 中检测到过流,定时器将在另一个 64µs 时间段内重置,两个 MOSFET 都将在这段时间内禁用。在此期间,可通过相应的 PWM 周期恢复特定 MOSFET 的正常运行。 - 过流锁定关闭模式
发生过流事件时,相应半桥中的高压侧和低压侧 MOSFET 都将被禁用。nFAULT 引脚和 nFAULT 状态位将与检测到过流的 MOSFET 的相关状态位一起断言。OC 状态位将锁存,直至下一条 SPI 读取命令。nFAULT 引脚和 nFAULT 状态位将被锁存,直到通过 GATE_RESET 位或快速 EN_GATE 复位脉冲接收到复位信号为止。 - 仅报告模式
在此模式下,发生过流事件时不会采取任何保护措施。过流事件将通过 nOCTW 引脚(64µs 脉冲)和 SPI 状态寄存器报告。外部 MCU 应根据自己的控制算法采取行动。 - OC禁用模式
设备将忽略并不报告所有过流检测结果。
3.4.2. 欠压保护(PVDD_UV and GVDD_UV)
为了在启动、关机和其他可能的欠压条件下保护功率输出级,DRV8301 在 PVDD 或 GVDD 低于其欠压阈值 (PVDD_UV/GVDD_UV) 时将栅极驱动输出 (GH_X, GL_X) 驱动为低电平,从而提供欠压保护。这将使外部 MOSFET 处于高阻抗状态。当器件处于 PVDD_UV 状态时,它将不响应 SPI 命令,SPI 寄存器将恢复为默认设置。 13 µs 至 15 µs 的特定 PVDD1 欠压瞬态掉电可导致 DRV8301 在完全通电之前对外部输入无响应。瞬态条件包括 PVDD1 大于 PVDD_UV 电平,然后 PVDD1 在 13 µs 至 15 µs 的特定时间内降至 PVDD_UV 电平以下。短于或长于 13 至 15 µs 的瞬态不会影响欠压保护的正常工作。可在 PVDD1 上添加额外的体电容,以降低欠压瞬态。
3.4.3. 过压保护(GVDD_OV)
如果 GVDD 电压超过 GVDD_OV 门限,器件将同时关闭栅极驱动器和电荷泵,以防止出现与 GVDD 引脚或电荷泵相关的潜在问题(如外部 GVDD 电容或电荷泵短路)。该故障为锁存故障,只能通过 EN_GATE 引脚上的复位转换复位。
3.4.4. 过温保护
实现了两级过温检测电路:
- :过温警告(OTW) 在默认设置下,OTW 通过 nOCTW 引脚报告(过流和/或过温警告)。 OCTW 引脚可通过 SPI 寄存器设置为仅报告 OTW 或 OCW。请参阅 SPI 寄存器部分。
- :栅极驱动器和充电泵的过温锁定关机 (OTSD_GATE) OTSD_GATE 通过 nFAULT 引脚报告。这是一种锁定关断,因此即使不再存在过温条件,栅极驱动器也不会自动恢复。当温度低于预设值 tOTSD_CLR 时,需要 EN_GATE 复位或 SPI (RESET_GATE) 才能使栅极驱动器恢复正常工作。只要 PVDD1 在定义的工作范围内,SPI 操作仍然可用,并且在 OTSD 工作期间,寄存器设置将保留在器件中。
3.4.5. 故障和保护处理
nFAULT 引脚指示何时发生关机事件。这些事件包括过流、过热、过压或欠压。请注意,nFAULT 是一个漏极开路信号。 当栅极驱动器在启动过程中准备好接受 PWM 输入时,nFAULT 将变为高电平。 nOCTW 引脚指示何时发生过流事件或过温事件。这些事件并不一定与关机有关。
3.5. 开关顺序
上电期间,所有栅极驱动输出均保持低电平。通过将 EN_GATE 从低电平状态切换到高电平状态,可以启动栅极驱动器和电流分流放大器的正常工作。如果不存在错误,DRV8301 即可接受 PWM 输入。只要 PVDD 在功能区域内,即使在栅极禁用模式下,栅极驱动器也始终可以控制功率 FET。 SDO 到 VDD_SPI 之间有一个内部二极管,因此 VDD_SPI 需要始终与其他 SPI 器件(如果有来自其他器件的 SDO 信号)的电源电平相同。在 SDO 引脚出现任何信号之前,应首先为 VDD_SPI 供电,并在 SDO 引脚完成所有通信后断电。
4. 器件功能
4.1. EN_GATE
EN_GATE 低电平用于将栅极驱动器、电荷泵、电流分流放大器和内部稳压器模块置于低功耗模式,以节省能耗。在此状态下不支持 SPI 通信,SPI 寄存器将在 EN_GATE 复位后恢复默认设置。只要 PVDD 仍然存在,器件就会将 MOSFET 输出级置于高阻抗模式。 当 EN_GATE 引脚由低电平变为高电平时,它将经历一个上电序列,启用栅极驱动器、电流放大器、充电泵、内部稳压器等,并复位所有与栅极驱动器模块相关的锁存故障。EN_GATE 还将复位 SPI 表中的状态寄存器。当 EN_GATE 从高电平变为低电平时,它将立即关闭栅极驱动器模块,这样栅极输出就可以将外部 FET 置为高阻抗模式。然后等待 10 µs 后再完全关闭其余模块。快速故障复位模式可通过在极短的时间内(小于 10 µs )拨动 EN_GATE 引脚来实现,这将防止器件关闭其他功能块(如充电泵和内部稳压器),从而实现更快、更简单的故障恢复。在这种快速 EN_GATE 复位模式下,SPI 仍能正常工作。要执行完全复位,EN_GATE 的切换时间应超过 20 µs。EN_GATE 复位脉冲(高电平 → 低电平 → 高电平)从 10 到 20 µs 不应作用于 EN_GATE 引脚。DRV8301 从快速复位模式到完全复位模式之间有一个过渡区,该过渡区会导致器件在完全电源周期之前对外部输入无响应。如果预计 EN_GATE 引脚上会出现这个周期的复位脉冲,可在该引脚外部添加一个 RC 滤波器。 复位所有故障的另一种方法是使用 SPI 命令 (RESET_GATE),该命令只会复位栅极驱动器块和所有 SPI 状态寄存器,而不会关闭其他功能块。 复位 GVDD_OV 故障是一个例外。快速 EN_GATE 故障复位或 SPI 命令复位对 GVDD_OV 故障不起作用。复位 GVDD_OV 故障需要完整的 EN_GATE,低电平保持时间超过 20 µs。TI 强烈建议在发生 GVDD_OV 时检查系统和电路板。
4.2. DTC
死区时间可通过 DTC 引脚进行编程。应在 DTC 与地之间连接一个电阻来控制死区时间。死区时间控制范围为 50 ns 至 500 ns。将 DTC 引脚短接至地将提供最短的死区时间(50 ns)。电阻器范围为 0 至 150 kΩ。死区时间在此电阻范围内线性设置。 器件将始终启用电流击穿保护,不受死区时间设置和输入模式设置的影响。
4.3. VDD_SPI
VDD_SPI 是为 SDO 引脚供电的电源。它必须连接到 MCU 用于 SPI 操作的相同电源(3.3 V 或 5 V)上。 在上电或断电瞬态期间,VDD_SPI 引脚短时间内可能为零电压。在此期间,系统中任何其他设备的 SDO 引脚都不应出现 SDO 信号,因为这会导致 DRV8301 中的寄生二极管从 SDO 短路到 VDD_SPI 引脚。在系统电源顺序设计中应考虑并防止出现这种情况。
5.Programming
5.1. SPI通信
5.1.1. SPI
DRV8301 SPI 作为从设备运行。SPI 输入 (SDI) 数据格式由一个 16 位字组成,包含 1 个读写位、4 个地址位和 11 个数据位。SPI 输出 (SDO) 数据格式由一个 16 位字组成,包含 1 个帧故障位、4 个地址位和 11 个数据位。当一个帧无效时,帧故障位将置 1,其余位移出为 0。
有效帧必须满足以下条件:
- 当 nSCS 为低电平时,时钟必须为低电平。
- 应该有16个完整的时钟周期
- nSCS 高电平时时钟必须为低电平
当 nSCS 为高电平时,SCLK 和 SDI 引脚上的任何信号都将被忽略,SDO 将被迫进入高阻抗状态。当 nSCS 从高电平转为低电平时,SDO 被启用,SDO 响应字根据上一个 SPI 输入字加载到移位寄存器中。 当 nSCS 转为低电平时,SCLK 引脚必须为低电平。当 nSCS 为低电平时,在时钟的每个上升沿,响应字在 SDO 引脚上串行移出,MSB 先移出。 当 SCS 为低电平时,在时钟的每个下降沿,新输入字在 SDI 引脚上采样。对 SPI 输入字进行解码,以确定寄存器地址和访问类型(读或写)。MSB 将首先移入。只要 nSCS 保持低电平有效,位与位之间可以有任何时间间隔。这样就可以使用两个 8 位字。如果发送到 SDI 的输入字小于 16 位或大于 16 位,则视为帧错误。如果是写入命令,数据将被忽略。在第 16 个时钟周期后或当 nSCS 从低电平转为高电平时,SDI 移位寄存器数据将被转入锁存器,输入字将在锁存器中被解码。
对于发送到 SDI 的 "读取 "命令(第 N 个周期),SDO 将在下一个周期响应指定地址的数据。
对于发送到 SDI 的写入命令(第 N 个周期),SDO 将在下一个周期(N+1)内响应状态寄存器 1 (0x00) 中的数据。该功能的目的是在有多个写入命令时最大限度地提高 SPI 通信效率。
5.1.2. SPI Format
SDI有16个字节:
• 1 read/write bit W [15],0表示写,1表示读。
• 4 address bits A [14:11]
• 11 data bits D [10:0]
SDO也有16个字节:
• 1 fault frame bit F [15]
• 4 address bits A [14:11]
• 11 data bits D [10:0]
SDO 输出字(第 N 个周期)是对上一个 SDI 输入字(第 N-1 个周期)的响应。 因此,每个 SPI 查询/响应对需要两个完整的 16 位移位周期才能完成。
6. Register Maps
6.1. Read / Write Bit
SDI 输入字的 MSB 位(W0)是读/写位。当 W0 = 0 时,输入字是写命令。 当 W0 = 1 时,输入字是读命令。
6.2. Address Bits
6.3. SPI Data Bits
6.3.1. Status Registers
6.3.2. Control Registers