DSP28335 Flash Memory笔记-2

Flash programming流程

将程序加载到Flash中会比加载到内部RAM中更加困难；原因在于Flash基于浮栅技术，为了存储0/1，栅极需要加载与卸载电子；“浮栅”意味着栅极是隔离的，并没有直接的电气连接，依靠的是通过电荷泵来完成热电子发射以及电子隧穿实现。

一般来讲可以分为两种方式加载Flash Utility Code：

1. CCS：->Tools->On Chip Flash
2. 通过在笔记1中提到的不同的boot loader方式

如下图所示，Flash Utility Code必须在F2833x中的SARAM内执行

Flash Progamming分为三步：擦除、编写、核对（可以不用）；擦除时是一个片区一个片区完成的，而编写是一位一位进行的；在烧写Flash时一定不能掉电，有可能会锁住DSP。

Flash Programming所需装备

1. CCS+JTAG（通用情况）
2. 第三方JTAG
3. SDFlash串口方式，通过SCI Boot模式program
4. Gang Programmers，通过GPIO Boot模式program
5. 自定义装备（其他ROM bootloader方式，Flash API算法...）

在CCS中配置Flash并烧写程序

1. 实际操作非常简单，首先添加必要的文件，包括：

• DSP2833x_SysCtrl.c
• DSP2833x_CodeStartBranch.asm (用于将Flash 入口地址跳转到“c_int00")
• DSP2833x_Headers_nonBIOS.cmd
• F28335.cmd（如果之前有F28335_RAM_Ink.cmd，需要将其Exclude from build）

2. 紧接着，修改主函数中的代码，在"InitSysCtrl()"之后，和调用"InitFlash()"之前添加下面一句代码：
memcpy(&RamfuncsRunStart, &RamfuncsLoadStart,&RamfuncsLoadEnd - &RamfuncsLoadStart);

这行代码是在 C 语言中使用的 `memcpy` 函数。这个函数用于将一块内存区域的内容复制到另一块内存区域。下面是对这行代码中的参数的解释：

•  `&RamfuncsRunStart`: 这是目标内存区域的起始地址。通常情况下，`RamfuncsRunStart` 是一个指针，指向程序要执行的代码在 RAM 中的起始地址。
• `&RamfuncsLoadStart`: 这是源内存区域的起始地址。通常情况下，`RamfuncsLoadStart` 是一个指针，指向程序要执行的代码在 Flash 中的起始地址。
• `&RamfuncsLoadEnd - &RamfuncsLoadStart`: 这是要复制的字节数。通过计算两个指针的差值，可以得到要复制的内存区域的大小，即 Flash 中待复制代码的长度。

因此，这行代码的作用是将 Flash 存储器中的一段代码从 `RamfuncsLoadStart` 开始的位置复制到 RAM 存储器中的 `RamfuncsRunStart` 开始的位置，复制的长度由 `RamfuncsLoadEnd - RamfuncsLoadStart` 来确定。这样做的目的通常是为了在 RAM 中运行代码，以提高执行速度或者满足其他特定的需求。

因此，在调用这些指针前，需要在程序开头进行声明：

extern unsigned int RamfuncsLoadStart;
extern unsigned int RamfuncsLoadEnd;
extern unsigned int RamfuncsRunStart;
 

3. 最后下载程序，可以看到CCS对不同片区的擦除过程，断电重新上电即可观察到烧写成功！