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RSS订阅原创 巧记pn结静电特性——hebut考试版
为了帮助各位器件学习的初学者更好地应对考试，用最少的时间经历掌握住pn结静电特性的考核重点公式，本文在不细纠原理的前提下巧妙地将pn结静电特性中的系列核心公式与初高中数学，考研数学的基本知识进行巧妙联系，以便于读者更好地记忆重点公式。本文涉及到的内容比较基础和简单，适用于新人小白，高手请自行跳过。
2023-04-27 01:53:13
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原创 pn结的三种常见击穿现象
PN结的击穿特性是再 PN 结器件中非常重要，它通常用来描述 PN 结在反向电压作用下的破坏性故障。了解和掌握 PN 结的击穿特性，对于设计、制造和使用 PN 结器件具有很大的意义。因此该部分内容也常常作为期末考、考研笔试、保研面试、考研复试的高频简答题。
2023-04-12 00:37:19
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原创 pn结的静电特性、I-V特性与小信号导纳-hebut版
文章绝大多数公式推来自Robert F.Pierret所著书籍《Semiconductor Device Fundamentals》，主要对pn结的静电特性、I-V特性和小信号导纳部分的基本公式进行了推导和梳理。
2023-04-10 13:32:27
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原创 两管单元至六管单元的TTL电路分析--hebut版
T5管饱和后，T6管也逐渐饱和，对T5管进行分流，使T5管饱和度变浅，从而加速了T5管的退饱和速度）。输出端从低电平向高电平转换的瞬间，D所在支路会有瞬态大电流流过，由于D的PN结内有大量存储电荷，且电路上没有泄放回路，只能靠自身的复合而消失，这必将会影响到电路的开关速度。D的作用：使T3的集电结电压钳位在0.4V左右，控制了T3的饱和度，使其不会进入深饱和，从而加快了T3的退饱和；输入全为高电平或浮空：T1反向有源，T2、T5、T6饱和，T3正向导通，T4截止，输出低电平。
2023-04-09 12:19:47
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空空如也
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