巧记pn结静电特性——hebut考试版


前言

为了帮助各位器件学习的初学者更好地应对考试,用最少的时间经历掌握住pn结静电特性的考核重点公式,本文在不细纠原理的前提下巧妙地将pn结静电特性中的系列核心公式与初高中数学,考研数学的基本知识进行巧妙联系,以便于读者更好地记忆重点公式。本文涉及到的内容比较基础和简单,适用于新人小白,高手请自行跳过。


一、pn结结构图与基础数学知识

在这里插入图片描述
对于什么都不懂的新人小白,只需记住以下几点即可:
1.o左侧为p区,右侧为n区
2.-xp<x<o的区域和o<x<xn的区域叫做空间电荷区,也叫耗尽区(里面没有载流子,所以叫耗尽了嘛。。。)
3.常数的不定积分是一次函数,一次函数的不定积分是二次函数

二、pn结静电特性中的三大件

为了帮助基础不太好的uu们更好理解pn结静电特性的三大件,我们先交代出在小注入和耗尽层近似下(别管,考试都是这种情况)的一些结论,可以结合下述三者的关系图进行说明。
在这里插入图片描述
1.电荷密度是常数,只不过在-xp<x<0和0<x<xn时不相等罢了,所以要分p区和n区进行讨论。
2.电荷密度积分后得电场强度(有个系数而已,后面再说),即常数的积分是直线,用斜率-横截距表示后面会更简单哦!
3.电场强度积分后得电压/电势(填个负号而已,后面再说),即直线的积分是二次函数,用顶点式表示后面会更简单哦!(Q:那个C是啥呀?A:不定积分要加C!)

好的,下面我们就要开始用初中数学+考研数学的入门知识秒杀pn结静电特性公式的记忆了!

1.电荷密度

简单来说,电荷密度就是电荷量乘以掺杂浓度,p区空穴(+)多,所以它会把空穴分享给n区(专业点就叫扩散),断舍离了一个(+),自身自然就变(-)了嘛。
同样地,n区电子(-)多,为了礼尚往来,它会把电子分享给p区,电子(-)送出去了,自己就变成(+)了。到这里我想你应该知道电荷密度ρ在p区和n区的正负情况了。
ρ = { − q N A    − x p < x < 0 q N D    0 < x < x n 0 x < − x p , x > x n \rho =\begin{cases} -qN_A\,\, -x_p<x<0\\ qN_D\,\, 0<x<x_n\\ 0 x<-x_p,x>x_n\\ \end{cases} ρ= qNAxp<x<0qND0<x<xn0x<xp,x>xn没错,就是上面这个式子,说白了就是个分段的常数,一正一负罢了,挺好记的!

2.电场强度

然后来说说电场强度这个一次函数,
初中老师告诉我们要想确定一条直线,只需要知道它的斜率和横截距,
高中老师告诉我们直线的斜率就是它的导数,
现在,泊松方程又告诉我们电场强度这个一次函数的斜率就是电荷密度除以了一个介电常数。
d E → d x = ρ K S ε 0 \frac{d\overrightarrow{E}}{dx}=\frac{\rho}{K_S\varepsilon _0} dxdE =KSε0ρ电荷密度已经有了,貌似再给个横截距,初中生都能直接就能手搓pn结静电电场强度了。
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考虑到有些小学生也想学习一番,我们再具体说一下电场强度的表达式。
-xp<x<0时,横截距为-xp;0<x<xn,横截距为xn,根据直线斜截式方程,立即推:
E ( x ) = { − q N A K S ε 0 ( x + x p )        − x p < x < 0 q N D K S ε 0 ( x − x n )                 0 < x < x n E\left( x \right) =\begin{cases} -\frac{qN_A}{K_S\varepsilon _0}\left( x+x_p \right) \,\,\,\,\,\, -x_p<x<0\\ \\ \frac{qN_D}{K_S\varepsilon _0}\left( x-x_n \right) \,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,\,0<x<x_n\\ \end{cases} E(x)= KSε0qNA(x+xp)xp<x<0

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