两管单元TTL与非门
输入全为高电平或浮空:T1反向有源,T2饱和,输出低电平。
输入至少有一个低电平:T1深饱和,T2截止,输出高电平。
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存在的问题:
- 输入端抗干扰能力差,低电平噪声容限VNML低。
- 输入端负载能力太弱,输出管基极驱动电流太小。
- IB2太小,电路导通延迟时间改善不大。
三管单元TTL与非门
输入全为高电平或浮空:T1反向有源,T2、T3饱和,输出低电平。
输入至少有一个低电平:T1深饱和,T2、T3截止,输出高电平。
---------------------------------------------功能分析-----------------------------------------------
T2管的作用:使得VNML提高了0.7V,增强了抗干扰能力;使T3的基极电流增大,加快了导通速度。
D的作用:使T3的集电结电压钳位在0.4V左右,控制了T3的饱和度,使其不会进入深饱和,从而加快了T3的退饱和;
R3的作用:R3所在支路为T3提供泄放回路。
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