pn结的三种常见击穿现象

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前言

pn结的击穿特性在 pn 结器件中非常重要，它通常用来描述 pn 结在反向电压作用下的破坏性故障。了解和掌握 pn 结的击穿特性，对于设计、制造和使用 pn 结器件具有很大的意义。

因此该部分内容也常常作为期末考、考研笔试、保研面试、考研复试的高频简答题。

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一、雪崩击穿

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雪崩击穿（Avalanche Breakdown）是一种常见的pn结击穿模式，其击穿原理为：

随着反向偏压的增大，空间电荷区展宽，将使得耗尽区内积累更多的电离施主和电离受主，电场线由电离施主对应的正电荷出发，终止于结另一侧电离受主对应的负电荷，使得的电场强度（电场线数密度）增大，载流子在电场中的受力增大，加速度增大，所以将会获得更大的动能。

当其自身动能足够大以至于与晶格原子碰撞时可以将其价电子“撞离”出原子核的束缚，即克服共价键键能时，将会额外产生一组电子-空穴对。而新产生的这对电子-空穴又将在电场作用下进行加速运动。上述的结果不断演绎，最终载流子的浓度将如同滚雪球般增加，与发生雪崩的过程类似，因此称为雪崩击穿。

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二、齐纳击穿

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齐纳击穿（Zener Breakdown）是另一种pn结的击穿模式，又名隧道击穿，在重掺杂的pn结二极管中常占主导地位，其击穿原理为：

在反向偏置的p+n+结二极管中，随着偏压的增大，在能带图上p型区的价带将与n型区的导带平齐甚至略高于。而由于p型区价带中有大量的电子，n型区导带中有大量的空位，且在重掺杂的条件下，反偏下的势垒厚度较小。

根据量子力学中的隧穿效应，p型区价带的载流子可以不再克服势垒高度，而是直接隧穿到n型区的导带中，进而引发器件的击穿。

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三、热击穿

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与上述二者产生的电击穿不同，热击穿（Thermal Runaway）具有不可逆性，其击穿原理为：

载流子在较高的反向偏压下获得能量，再将获得的能量通过碰撞传递给晶格，使晶格能量增加，从而使pn结的温度升高。

由于温度升高后本征载流子的浓度迅速增加，这便导致反向的饱和电流迅速增加。反向饱和电流的增加又将促使pn结的温度进一步升高，由此形成了正反馈，使得电流和温度无限增大，最终致使器件烧毁。

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四、考题分析

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问：为什么pn结雪崩击穿具有正温度系数特性，而齐纳击穿具有负温度特性？

参考答案:
对于雪崩击穿，温度升高时晶格散射作用增强，载流子的平均自由程减少，为满足击穿条件则需要一个更大的临界电场，因此会有一个更高的击穿电压。

对于齐纳击穿，温度升高时，半导体材料的禁带宽度（以硅为例）下降，势垒宽度随之下降，隧穿几率升高，从而导致有更多的载流子穿过势垒，因此击穿电压将会降低。

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五、公式补充

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该部分是上述问题中一些物理过程的定量理论公式，了解即可。
长纵声学波的散射几率：
$$P_s\propto T^{3/2}$$隧穿几率：
P = exp ⁡ [ − 8 π 3 ( 2 m n ∗ h 2 ) 1 / 2 E