计算机组成原理(静态随机存取存取器)

本文深入探讨了静态随机存取存储器(SRAM),包括其由MOS电路构成的双稳触发器、优缺点、与动态RAM(DRAM)的区别。内容涵盖SRAM的基本存储元阵列、地址线、数据线和控制线,以及读写周期的工作原理。通过Intel 2114芯片为例,解析了双译码方式和存储器操作的时间参数。
摘要由CSDN通过智能技术生成

3.2 SRAM存储器

主存储器的构成

静态RAM(SRAM)

由MOS电路构成的双稳触发器保存二进制信息;

优点:访问速度快,只要不掉电可以永久保存信息;

缺点:集成度低,功耗大,价格高;

动态RAM(DRAM)

由MOS电路中的栅极电容保存二进制信息;

优点:集成度高,功耗约为SRAM的1/6,价格低;

缺点:访问速度慢,电容的放电作用会使信息丢失,要长期保存数据必须定期刷新存储单元;

主要种类有:SDRAM、DDR SDRAM

基本的静态存储元阵列

基本存储元

6个MOS管形成一位存储元;

64×4位的SRAM结构图

存储体排列成存储元阵列,不一定以存储单元形式组织;

芯片封装后,3种外部信号线

地址线:2n个单元,对应有n根地址线;

地址信号经过译码电路,产生每个单元的字线选通信号;

数据线:每个单元m位,对应有m根数据线;

控制线:

读写控制信号 :1——读,0——写;

片选控制信号 :1——未选通,0——选通;

评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值