3.2 SRAM存储器
主存储器的构成
静态RAM(SRAM)
由MOS电路构成的双稳触发器保存二进制信息;
优点:访问速度快,只要不掉电可以永久保存信息;
缺点:集成度低,功耗大,价格高;
动态RAM(DRAM)
由MOS电路中的栅极电容保存二进制信息;
优点:集成度高,功耗约为SRAM的1/6,价格低;
缺点:访问速度慢,电容的放电作用会使信息丢失,要长期保存数据必须定期刷新存储单元;
主要种类有:SDRAM、DDR SDRAM
基本的静态存储元阵列
基本存储元
6个MOS管形成一位存储元;
64×4位的SRAM结构图
存储体排列成存储元阵列,不一定以存储单元形式组织;
芯片封装后,3种外部信号线
地址线:2n个单元,对应有n根地址线;
地址信号经过译码电路,产生每个单元的字线选通信号;
数据线:每个单元m位,对应有m根数据线;
控制线:
读写控制信号 :1——读,0——写;
片选控制信号 :1——未选通,0——选通;