随机存取存储器之静态RAM

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分类专栏： 计算机组成原理 文章标签： 计算机组成原理
于 2022-03-04 20:05:04 首次发布
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本文介绍了静态RAM的基本电路，包括触发器构成的存储元件，以及读操作和写操作的详细过程。在读操作中，数据经过行和列开关到达写放大器；在写操作中，通过相反信号写入触发器两端。以Intel 2114为例，展示了4K存储容量的64×64矩阵结构，说明了读写操作的具体实现。

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基本电路

触发器用来存储0/1
在这里插入图片描述
T1~T4：触发器。一端为0，一端为1。
A触发器原端，A‘ 触发器非端
T5、T6：行开关
T7、T8：列开关
上图是一个存储元件，如果放到芯片中，那么就不止一个。T7和T8是一列上共用的控制开关。同时，行地址选择会继续延续，被选中时，这一行的T5、T6会都被打开。

读操作

在这里插入图片描述
触发器的非端也会有数据传输，但是经过T5、T7，到达写放大器后就会截至。

写操作

在这里插入图片描述
左侧取非。触发器两端写入相反信号。

 

静态RAM芯片举例

Intel 2114
在这里插入图片描述
存储容量为4K，为64×64的矩阵

读操作

在这里插入图片描述
64列分为四组，每组16列
假设行地址和列地址都选中0，那么选中的元件就是0、16、32、48。
WE给出高电平（读信号）、CS片选信号，通过读写电路向外输出

写操作

写和读类似
在这里插入图片描述
假设行地址和列地址都选中0，那么选中的元件就是0、16、32、48。
WE给出低电平（写信号）、CS片选信号，通过读写电路开始写操作。

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