bandgap电路设计与仿真

1.电路图

        带隙基准电路主要由具有负温度特性的三极管、以电流镜做负载的5管OTA和启动电路构成，工艺采用的是0.18um工艺。（具体电路也可参考拉扎维模拟coms集成电路第十一章带隙基准）。

2.直流仿真

        扫描温度-40℃~105℃，进行直流DC仿真，可见温度在25℃时候是温度变化最小的位置，即抛物线顶点。（抛物线顶点是可以通过调节电阻值来移动抛物线，使得抛物线顶点在25℃左右）

        温度系数：4.49 ppm

        温度系数=（（最高温度-最低温度)/两点中间电压/总的温度范围）×  ppm

 3.频率响应参数分析

        3.1 添加analoglib库中的iprobe在放大器的输出端用于频率仿真，可以同时仿真出正反馈回路与负反馈回路。

        相位裕度：77.6

        3.2 通过密勒补偿可以改善相位裕度，设计中在运算放大器输出端添加密勒补偿电容，改善相位裕度。

  

         3.3 环路增益和相位裕度（关乎稳定性，至少大于45度）

 4.噪声分析

        4.1 低频噪声大

         4.2  1khz（低频）噪声来源主要是M5、M6的1/f噪声，M5、M6就是输入管的尾电流源，对整个电路的噪声贡献最大，可以加大沟道长度L，来减少1/f噪声。增大电流也可以减少噪声。4.瞬态分析

        在VDD上电到3V后，bandgap电压（紫色）稳定在1.2V。

4.交流仿真分析

        电源抑制比PSRR