经典LDO设计电路

本文详细介绍了低压差线性稳压器(LDO)的设计原理,包括误差放大器和功率管的工作机制,以及如何通过反馈网络调整输出电压。文中还进行了直流仿真、瞬态仿真和稳定性(stb)仿真,分析了相位裕度和噪声特性,并探讨了动态偏置结构对性能的影响。

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电源管理芯片之低压差线性稳压器(LDO)设计

工作原理:误差放大器正端接,负端接,当vout高于LDO输出稳定值的时候,反馈网络的反馈电压会升高,导致误差放大器升高,最终功率管输出电流会减小从而使得vout电压减小。

同理:vout低于LDO输出稳定值的时候,反馈网络的反馈电压会降低,导致误差放大器降低,最终功率管输出电流会增大从而使得vout电压增大。最终达到稳定的输出电压的作用。

1.整体电路图

工艺采用simc0.18um,该LDO电路主要由误差放大器、功率管与反馈网络构成。其中直流偏置采用理想电流源,误差放大器第一级采用以nmos做负载的cascode结构,第二级采用源级跟随器,功率管采用pmos管(小的栅极电压就能产生大电流输出),并且采用动态偏置电流结构减小误差放大器的输出极点(原理解释1:利用pmos栅极电压相同拷贝功率管poms的电流,使得误差放大器的输出极点随着功率管输出极点变化而变化,也就是极点-极点频率补偿方法。

原理解释2:利用加入的pmos减小误差放大器第二级源级跟随器的输出电阻,将误差放大器第二级输出极点进一步推向高频率处)

2.仿真测试电路

偏置电流为5uA,电源电压为3.3V,暂时没做bandgap电路,使用的是理想电流源代替。控制信号为高电平,让LDO能够正常工作。

3.直流仿真(确保每个晶体管工作状态正常)

直流状态下out输出电压(红线)以及反馈电压(绿线),通过扫描温度可以发现产生的电压为正温度系数。

4.瞬态仿真

首先是vout输出电压稳定在2.42V,并且出现纹波,这是因为LDO的稳压原理决定的。可以通过改变反馈网络的电阻来改变输出电压。

 其次就是反馈回路电压稳定在1.21V左右

5.stb仿真

相位裕度:PM=74.82,主要是因为片外电容(C=4.7uF)的很大,使得相位裕度很好

iprobe探针加在输出端和反馈端上进行stb仿真 

 

 环路增益,由于片外滤波电容比较大的影响,使得频率响应特性比较好。

6.噪声特性

低频噪声大,噪声主要贡献为输入管的闪烁噪声。

 

7.动态偏置结构 

 

误差放大器第二级利用小信号模型计算输出电阻Rout:

 

 

 

 

低功耗高瞬态无片外电容(Low Dropout, LDO)是一种主要用于电源管理领域的集成电路。它的设计旨在提供稳定的输出电压,同时具有低功耗和适应瞬态负载的能力。 下面是一个设计实例: 该LDO的输入电压范围为2.7V至3.6V,输出电压为1.8V。输入电压到输出电压之间的压差为0.9V,因此需要在LDO中实现一个低压降的稳压器。 首先,设计选择了一个具有较低的开启电压和较低的静态功耗的P通道MOSFET作为主控开关。这样可以提供较低的输入电压丢失,从而获得高效的电源传输。 其次,为了提供所需的稳定输出电压,设计采用了一个误差放大器来比较输出电压和一个参考电压,并通过控制MOSFET的栅极电压来调节输出电压。 此外,为了适应高瞬态负载,设计在放大器反馈环路中引入了频率补偿电容。该电容可以提供额外的相位裕度,以确保输出电压在瞬态负载变化时保持稳定。 最后,为了提高系统的稳定性和可靠性,设计还添加了输出电容和输入电容。这些电容可以帮助平滑输出电压,并提供储备能量来处理瞬态负载。 总的来说,该LDO设计实例兼顾了低功耗和高瞬态负载的需求。通过选择合适的MOSFET开关、误差放大器和引入频率补偿电容,设计实现了稳定的输出电压,并通过添加输出电容和输入电容来提高系统的稳定性和可靠性。
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