模拟电路学习1：2020.3.20

模拟电路学习：2020.3.20

• PN结的消耗层（空间电荷区）、微变等效

1. 消耗层在反向电压下会增大：反向电压让PN两部分的多子朝着PN结的两端移动，使得空间电荷区的宽度增大，也因此更难以导电（外电压与空间电荷区的电压通向，起到加强的作用，因而由U=Ed，宽度增大）
2. 微变等效：将一个小小的交流电压信号变成小交流信号输出：直接输出不行，因为远远打不到导通的电压，而且交流电有一般的时间会使得PN结截止–>因此需要有一个恒流的电压源将其抬升到可以导通的电压范围（也相当于把坐标系原点进行了平移），而可以用该点的切线斜率（iu图）表示出该PN结的等效电阻，使得交变电压源的电流可以直接输出

• 三极管（二极晶体管）–>以NPN型三级管为例：

1. 放大状态：be端导通（b点的电位高于e点的电位且电位差达到PN结导通的电压，约为600~700mv），而bc端截止，即c点的电位高于b点的电位（利用外部的Vcc拉高c点的电位）

​ a. 放大效果有限度，ic的最大值被Vcc和限流电阻Rc所限制：icmax = Vcc / Rc，随着ib的不断增大，Uce会不断减小，最终当ic = icmax时，即Uce = 0时，三级管达到饱和状态，即如果ib再大（Ub再大），P点的电势就会比C点更高，PN结也就会处于导通的状态

2. ***导通状态（开关的开）***：上下的两个PN结都处于导通的状态，相当于一块导体，也就能实现开关的开功能。成立的条件：B点的电势比C点和E点都高

​ a.如果Ubb和Ucc的电压值都相同，也可以利用限流电阻大小的不同来控制B点和C点的电位，例如在C回路接一个电阻值更大的电阻，会使得C点的电位比B点电位低，从而该处的PN结处于导通的状态

3. ***截止状态（开关的关）***：上下两个PN结都处于截止的状态，即CE两点的电位都比B点要搞，可以实现开关关的功能

• 场效应管（FET）->以NMOS为例

1. 增强型绝缘栅（MOS）管：表面有SiO2绝缘层，其中源极（S）与基极（B）以导线相连，栅极（G）连接在绝缘的SiO2板上，GS之间连接电压（G点的电势较高），同时在B和漏极（D）之间也连接一个电压源

​ a.在G极加电压使得P衬底的多子空穴下移，使得耗尽层变厚，同时少子被吸引，在上侧聚集，形成了N型沟道，此沟道可以看作是一个电阻。此电子带的宽度受到GB间电压控制，UGB越大，电子带越宽，电阻也就越小（相当于是一个压控电阻），UGS> UGS(th)的时候才能出现沟带

​ b.在BD电压不断增加的过程中，高电位的一端沟道反而会变窄（因为下侧的电势被加高，因而G和下侧的电势差减小，电势差减小自然会使得沟道宽度减小）

​ c.沟道宽度减小到极限就会出现预夹断（但不是真正的夹断，如果真正的夹断，那么BD两点的电势又会相等且为0，则GS之间的电势差又会将沟道恢复）而预夹断之后继续增大DS之间的电压，会使得沟道的有更多的地方变窄，而沟道的变窄使得电阻增大，但却可以保证电流的恒定，此恒定电流也同样由UGS来决定（由UGS决定的恒定电流）

2. 耗尽型绝缘栅（MOS）管：在SiO2内聚集了大量的正电荷，因而天然形成了UGS，所以此类MOS管的G极可以加入反向的电压将N型沟道关闭，这个电压也称为UGS（off），其余的用法和原理与增强型的MOS管完全相同
3. 结型场效应管：中部为一块衬底（以P为例），而左右两边融合两块N，SD两极分别在衬底的上方和下方（且等电位），而左右两侧的N等电位且为G极，则此时在GS只能输入反向电压，使得PN结的耗尽层宽度变大，中间可以导电的部分变窄，最终会发生夹断

​ a.此类场效应管GS端不可以输入正向的电流，否则P端的电位就会高于N端的电位，从而PN结导通，导致场效应管失效，甚至被破坏