实验(二):存储器实验

一、实验内容与目的

        实验要求:

        利用 CP226 实验仪上的 K16..K23 开关做为 DBUS 的数据,其它开关做为控制信号,实现主存储器 EM 的读写操作;利用 CP226 实验仪上的小键盘将程序输入主存储器 EM,实现程序的自动运行。

        实验目的:

        了解模型机中程序存储器 EM 的工作原理及控制方法;掌握模型机存储程序的基本原理以及模型机执行程序的过程。

二、实验步骤

2.1 实验一:主存储器 EM 读写实验

连接信号孔接入孔作用状态说明
1PCOE

实验者

自定义

连接到

16 个

拨动开关

K15~K0

的任何

一个

PC 输出地址使能低电平有效
2MAROE--MAR 输出地址使能低电平有效
3MARENMAR 写使能低电平有效
4EMEN存储器使能信号低电平有效
5EMRD存储器读信号低电平有效
6EMWR存储器写信号低电平有效
7X0寄存器输出选择见 2.4 表格
8X1寄存器输出选择
9X2寄存器输出选择
10AENA 寄存器写使能低电平有效

本模型机中,指令寻址时,由 PC 给出地址访问主存储器 EM,数据寻址时,由 MAR给出地址访问主存储器 EM,不允许 PC 和 MAR 同时输出地址。

(1)主存储器 EM 写入数据

存储器的写入数据的步骤描述如下:

第一步:将数据地址送 MAR,MAR 输出地址驱动地址总线指示内存写入单元。

第二步:存储器控制信号有效,包括使能信号和写信号。

第三步:将指定部件的数据输出至数据总线。

第四步:数据总线的数据写入地址总线指定的内存单元。

下面的操作将数据开关 K23~K16 送出的数据 55H 送入存储器的 10H 单元。

将地址 10H 写入 MAR

二进制开关 K23-K16 数据 10H,为MAR 送数据地址。

K23K22K21K20K19K18K17K16
00010000

置控制信号为(未给出的控制信号置为“1”):

X2X1X0MAREN
0000

按住 STEP 脉冲键,按键按下时,输入端口 IN 的红色选择指示灯亮,表明数据源端是 IN,主存地址寄存器 MAR 的黄色选择指示灯亮,表明选择 MAR 寄存器。放开 STEP 键,电路产生一个上升沿,数据地址 10H 被写入 MAR 寄存器。

注意:一次操作完成后,所有的控制信号复位至无效状态“1”。

将数据 55H 写入 EM[10H]

置控制信号为:

X2X1X0MAROEEMENEMWR
000000

二进制开关 K23-K16 数据 55H,通过输入端口 IN 送数据总线。

K23K22K21K20K19K18K17K16
01010101

按 STEP 键, 将数据 55H 写入 EM[10H]。此时 MAR 寄存器数码管显示 10H,主存储器 EM 的数码管显示 55H。当控制信号复位之后,主存储器 EM 的数码管显示 FFH,此时数据已经存入指定主存单元,由于没有地址和存储器的控制信号,数码管不再显示数据。

(2)主存储器 EM 读出数据

存储器的读出数据的步骤描述如下:

第一步:将数据地址送 MAR,MAR 输出地址驱动地址总线指示内存读出单元。

第二步:存储器控制信号有效,包括使能信号和读信号。

第三步:指定部件的数据作为数据的接收端。

第四步:内存数据读出到数据总线写入指定部件。

下面的操作将存储器的 10H 单元的数据 55H 读出送到累加器 A。

将地址 10H 写入 MAR

二进制开关 K23-K16 数据 10H,为MAR 送数据地址。

K23K22K21K20K19K18K17K16
00010000

置控制信号为(未给出的控制信号置为“1”):

X2X1X0MAREN
0000

按住 STEP 脉冲键,数据地址 10H 被写入 MAR 寄存器。

将 EM[10H]的数据 55H 读出到累加器 A

置控制信号为:

MAROEEMENEMRDAEN
0000

按住 STEP 脉冲键,EM[10H]的数据 55H 读出到累加器 A。

实验习题

将两位实验者学号的最后两位写入分别主存储器 EM 的 10H 和 11H 单元,读出到 A寄存器和 W 寄存器(注意学号本身是 10 进制)。

三、实验过程分析

2.1 实验一

(1)主存储器 EM 写入数据

将地址 10H 写入 MAR,如图1所示。

图1 将地址 10H 写入 MAR

将数据 55H 写入 EM[10H] ,如图2、图3所示。

图2 数据 55H 写入 EM

图3 控制信号复位之后

2)主存储器 EM 读出数据

将地址 10H 写入 MAR,如图4所示。

4 将地址 10H 写入 MAR

将 EM[10H]的数据 55H 读出到累加器 A,如图5所示。

图5 读出到累加器 A

实验习题

将两位实验者学号的最后两位写入分别主存储器 EM 的 10H 和 11H 单元,读出到 A寄存器和 W 寄存器(注意学号本身是 10 进制),如图6所示。

图5 读出到累加器 A

四、实验总结

本次实验是一次非常有意义的实践学习,通过实验,我对计算机组成原理和计算机系统设计有了更深入的认识,同时也提高了自己的实践能力和问题解决能力。

在实验过程中,我首先需要正确连接实验仪器,设置控制信号,输入程序,进行读写操作和程序运行。这需要我认真阅读实验指导书,仔细理解实验要求和步骤,并按照要求逐步操作。在实验中,我发现一些问题,例如在设置控制信号时出现了错误,导致读写操作失败。通过仔细检查,我发现错误的原因,并及时予以纠正,最终成功完成实验。

通过实验,我深入了解了计算机系统的组成和工作原理,掌握了模型机存储程序的基本原理和控制方法,提高了计算机系统设计和编程能力。同时,我也意识到了实践操作的重要性,只有通过实践才能真正理解和掌握理论知识,只有不断实践才能提高自己的实践能力和问题解决能力。在实验中,我不仅需要按照指导书上的步骤进行实验,同时也需要理解实验的原理和意义,从而更好地掌握实验内容和方法。

最后,本次实验让我充分认识到了计算机系统的复杂性和重要性,了解到计算机系统中各个组成部分之间的相互作用和控制方法,也提高了我对计算机系统设计和编程的兴趣。我相信,在今后的学习和实践中,我会不断加强自己的能力,深入学习计算机系统的各个方面,探索计算机科学和技术的更多领域。

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一. 实验目的 1. 了解存储器的组成结构,原理和读写控制方法 2. 了解主存储器工作过程中各信号的时序关系 3. 了解挂总线的逻辑器件的特征 4. 了解和掌握总线传送的逻辑实现方法 . 实验原理 1.基本操作:读写操作 读操作是从指定的存储单元读取信息的过程;写操作是将信息写入存储器指定的存储单元的过程 2.读写操作过程 首先要由地址总线给出地址信号,选择要进行读写操作的存储单元,然后,做写操作时,先从数据总线输入要存储在该单元的数据,通过控制总线发出相应的写使能和写控制信号,这时,数据保存在该单元中;做读操作时,只要通过总线发出相应的读控制信号。该数据就出现在总线上了 3. 总线传送 计算机的工作过程,实际上也就是信息的传送和处理过程,而信息的传送在计算机里面频度极高,采用总线传送必不可少,它可减少传输线路、节省器件、提高传送能力和可靠性。总线传送器件中大量使用的是三态门。三态门(ST门)主要用在应用于多个门输出共享数据总线,为避免多个门输出同时占用数据总线,这些门的使能信号(EN)中只允许有一个为有效电平(如低电平),由于三态门的输出是推拉式的低阻输出,且不需接上拉(负载)电阻,所以开关速度比OC门快,常用三态门作为输出缓冲器。其中74LS244是专用做挂总线用的三态门器件之一。
Mars是一款基于RISC-V架构的处理器,其存储器设计可以参考以下步骤: 1. 确定存储器类型:Mars处理器可以使用多种类型的存储器,如SRAM、DRAM、ROM等。在设计存储器时,需要根据实际应用场景和需求选择最合适的存储器类型。 2. 确定存储器容量:根据应用程序的需求,确定Mars处理器所需的存储器容量。可以根据程序的代码大小、数据量以及程序执行过程中的堆栈大小等因素来确定存储器容量。 3. 确定存储器访问速度:存储器访问速度对于Mars处理器的性能有着重要影响。在设计存储器时,需要根据处理器的时钟频率和应用程序的需求来确定存储器的访问速度。 4. 确定存储器连接方式:Mars处理器可以使用多种连接方式来连接存储器,如串行连接和并行连接等。在设计存储器时,需要根据存储器类型和应用程序的需求来选择最合适的连接方式。 5. 进行存储器接口设计:根据存储器类型和连接方式,设计存储器的接口电路。在接口电路中,需要包括地址线、数据线、控制信号等元素。 6. 进行存储器芯片选型:在完成存储器接口设计之后,根据接口电路的要求选择合适的存储器芯片。 7. 进行存储器测试和调试:在完成存储器设计之后,需要进行存储器测试和调试。通过测试和调试,可以确保存储器的性能和可靠性符合设计要求。 以上是Mars存储器设计的一些基本步骤,希望能够帮助你进行实验

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