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电容谐振频率_半弦月丨的博客-CSDN博客
电容基础3——阻抗和容抗 - 知乎
电容简介
当频率很高时，电容不再被当做集总参数看待，寄生参数的影响不可忽略。寄生参数包括Rs，等效串联电阻（ESR）和Ls等效串联电感（ESL）。电容器实际等效电路如图1所示，其中C为静电容，1Rp为泄漏电阻，也称为绝缘电阻，值越大（通常在GΩ级以上），漏电越小，性能也就越可靠。因为Pp通常很大（GΩ级以上），所以在实际应用中可以忽略，Cda和Rda分别为介质吸收电容和介质吸收电阻。介质吸收是一种有滞后性质的内部电荷分布，它使快速放电后处于开路状态的电容器恢复一部分电荷。
ESR和ESL对电容的高频特性影响最大，所以常用如图1（b）所示的串联RLC简化模型，可以计算出谐振频率和等效阻抗：
图1 去耦电容模型图
电容器串联RLC模型的频域阻抗图如图2所示，电容器在谐振频率以下表现为容性；在谐振频率以上时表现为感性，此时的电容器的去耦作用逐渐减弱。同时还发现，电容器的等效阻抗随着频率的增大先减小后增大，等效阻抗最小值为发生在串联谐振频率处的ESR。
图2 电容器串联RLC模型的频域阻抗图
由谐振频率式（4－8）可得出，容值大小和ESL值的变化都会影响电容器的谐振频率，如图3所示。由于电容在谐振点的阻抗最低，所以设计时尽量选用fR和实际工作频率相近的电容。在工作频率变化范围很大的环境中，可以同时考虑一些fR较小的大电容与fR较大的小电容混合使用。
图3 容值和ESL的变化对电容器频率特性的影响
当频率很高时，电容不再被当做集总参数看待，寄生参数的影响不可忽略。寄生参数包括Rs，等效串联电阻（ESR）和Ls等效串联电感（ESL）。电容器实际等效电路如图1所示，其中C为静电容，1Rp为泄漏电阻，也称为绝缘电阻，值越大（通常在GΩ级以上），漏电越小，性能也就越可靠。因为Pp通常很大（GΩ级以上），所以在实际应用中可以忽略，Cda和Rda分别为介质吸收电容和介质吸收电阻。介质吸收是一种有滞后性质的内部电荷分布，它使快速放电后处于开路状态的电容器恢复一部分电荷。
ESR和ESL对电容的高频特性影响最大，所以常用如图1（b）所示的串联RLC简化模型，可以计算出谐振频率和等效阻抗：
图1 去耦电容模型图
电容器串联RLC模型的频域阻抗图如图2所示，电容器在谐振频率以下表现为容性；在谐振频率以上时表现为感性，此时的电容器的去耦作用逐渐减弱。同时还发现，电容器的等效阻抗随着频率的增大先减小后增大，等效阻抗最小值为发生在串联谐振频率处的ESR。
图2 电容器串联RLC模型的频域阻抗图
由谐振频率式（4－8）可得出，容值大小和ESL值的变化都会影响电容器的谐振频率，如图3所示。由于电容在谐振点的阻抗最低，所以设计时尽量选用fR和实际工作频率相近的电容。在工作频率变化范围很大的环境中，可以同时考虑一些fR较小的大电容与fR较大的小电容混合使用。
图3 容值和ESL的变化对电容器频率特性的影响
电容原理和作用
除电阻外，电容（Capacitor）是第二种最常用的元件。电容的主要物理特征是储存电荷。由于电荷的储存意味着能的储存，因此也可说电容器是一个储能元件，确切的说是储存电能。两个平行的金属板即构成一个电容器。电容也有多种多样，它包括固定电容，可变电容，电解电容，瓷片电容，云母电容，涤纶电容，钽电容等，其中钽电容特别稳定。电容有固定电容和可变电容之分。固定电容在电路中常常用来做为耦合，滤波，积分，微分，与电阻一起构成RC充放电电路，与电感一起构成LC振荡电路等。可变电容由于其容量在一定范围内可以任意改变，所以当它和电感一起构成LC回路时，回路的谐振频率就会随着可变电容器容量的变化而变化。一般接受机电路就是利用这样一个原理来改变接收机的接收频率的。
所谓电容，就是容纳和释放电荷的电子元器件。电容的基本工作原理就是充电放电，
当然还有整流、振荡以及其它的作用。另外电容的结构非常简单，主要由两块正负电极和
夹在中间的绝缘介质组成，所以电容类型主要是由电极和绝缘介质决定的。电容的用途非常多，主要有如下几种：
1．隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。
2．旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。
3．耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路
4．滤波：这个对DIY而言很重要，显卡上的电容基本都是这个作用。
5．温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。
6．计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。
7．调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。
8．整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。
9．储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。（如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准，一个电容储存的电能可以供一个手机使用一天。
片上电容简介
电容有MOM电容，MIM电容，MOS电容
电阻有Poly电阻，OD电阻，还有现在最常用的氮化钛电阻。
ic里的模拟部分有大量的电容，电阻。电容量级在pF量级，电阻的话几百Kohm。
电容选取原则
ESR是电容的串联等效电阻，ESL是电容的串联等效电感，C才是真正的理想电容。ESR和ESL是由电容的制造工艺和材料决定的，没法消除。那这两个东西对电路有什么影响？ESR影响电源的纹波，ESL影响电容的滤波频率特性。
公式
电容的容抗：Zc=1/ωC
电感的感抗：ZL=ωL，ω=2πf
实际电容的复阻抗为：
Z=ESR+j(ωL-1/ωC)=ESR+j(2πf L-1/2πf C）
链接：https://www.zhihu.com/question/403177004/answer/2349237905
EPR与电极间的绝缘电阻IR或电极间有漏电流的具有相同的意义。可能一般多使用“IR”。
谐振频率为：
容值越小、ESL越低的电容器，谐振频率越高。如果将其应用于噪声消除，则容值越小、ESL越低的电容器，频率越高，阻抗越低，因此可以很好地消除高频噪声。
不过使用电容器降低噪声的对策，是利用了电容器“交流通过时频率越高越容易通过”这个基本特性，将不需要的噪声（交流分量）经由信号、电源线旁路到GND等。
可见，当频率很低的时候是电容起作用，而频率高到一定程度电感的作用就不可忽视了；再高的时候电感就起主导作用了，电容就失去滤波的作用了。所以记住，高频的时候电容就不是单纯的电容了。实际电容的滤波曲线
电容频率特性
在容性区域，容值越大，阻抗越低。另外，容值越小，谐振频率越高，在感性区域阻抗越低。
- 容值和ESL越小，谐振频率越高，高频区域的阻抗越低。
- 容值越大，容性区域的阻抗越低。
- ESR越小，谐振频率的阻抗越低。
- ESL越小，感性区域的阻抗越低。
简单来说，阻抗低的电容器具有出色的噪声消除能力，不同的电容器其阻抗的频率特性也不同，所以这一特性是非常重要的确认要点。选择降噪用电容器时，请根据阻抗的频率特性来选型（而非容值）。
- 选择降噪用电容器时，确认频率特性需要意识到连接的是LC的串联谐振电路（而非电容）。
电容的等效串联电感是由电容的制造工艺和材料决定的。
- 实际的贴片陶瓷电容，ESL从零点几nH到几个nH不等，封装越小ESL就越小。
- 从上图中看出，电容的滤波曲线并不是平坦的，它像一个’V’，也就是说有选频特性。有时候我们希望它越平越好（前级的板级滤波），而有时候希望它越尖越好（滤波或陷波）。
品质因素
影响这个特性的是电容的品质因素Q：
Q=1/ωCESR
ESR越大，Q就越小，曲线就越平坦；反之ESR越小，Q就越大，曲线就越尖。
通常钽电容和铝电解有比较小的ESL，而ESR大，所以钽电容和铝电解具有很宽的有效频率范围，非常适合前级的板级滤波。
频率和容值
在DC/DC或者LDO的输入级，常常用较大容量的钽电容来滤波。而在靠近芯片的地方放一些10uF和0.1uF的电容来去耦，陶瓷电容有很低的ESR。
电容阻抗-频率曲线图
上图是一个典型的电容的阻抗频率曲线图，为什么说它非常重要呢？首先它非常直观，横轴上是频率，纵轴是阻抗，我们能很清楚的看出在各个频率点上，电容的总阻抗是多少。也能知道它在哪个频率点上谐振， ESR是多少。而这些内容，都是我们在选择电容时所必须要了解的。
曲线图的来源
那么，电容曲线图为什么是这样的呢？这是因为电容都不是理想的，它会存在寄生参数，可用简化模型表示。
ESR是等效串联电阻，ESL是等效串联电感，C为理想电容。因此实际电容的阻抗可以用数学公式表示
我们画出这个公式的曲线，就是的到一个曲线图。
在频率很低的时候，可以看到，感抗远小于容抗，并且复阻抗的相位为负值，说明电流超前电压，这是典型的电容充电特性，所以说，电容在低频主要表现为容性。
而在高频的时候，感抗远大于容抗，复阻抗的相位为正值，说明电压超前电流，是典型的电感施加电压时的行为特征，所以说，电容在高频时表现为电感特性。
而在谐振时，容抗和感抗相抵为0，此时电容的总阻抗最小，复阻抗相位为0，表现为纯电阻特性，这个点就是电容的自谐振频率。在谐振频率左边，电容主要呈容性，在谐振频率右边，电容主要呈感性。
滤波电容如何选择
电容最广泛的用途就是滤波，那么如何看曲线选电容呢？ 其实就是选阻抗最低的。
我们知道，整个阻抗曲线呈大V型，只有在谐振频率点附近的阻抗才比较低。所以，实际的去耦电容都有一定的工作频率范围，只有在谐振频率附近，电容才有很好的去耦作用。
可能有人会觉得，在频率比谐振频率高一点的时候，电容都成感性了，都不是电容了，所以不能让噪声的频率大于电容的谐振频率。其实这是错误的，去耦就是要选阻抗低的，阻抗低，在电容上产生的电压波动就小，也就是噪声会小。
常规的MLCC陶瓷电容的曲线图
来看下常规的MLCC陶瓷电容的曲线图。可以看出，不同的电容，曲线是不同的，容量大的ESR要小写，谐振频率低些，主要滤低频。容量小的ESR要大些，谐振频率要高些，主要滤高频。
两种方式组合滤波
实际电路中我们需要去耦的频率范围会比较宽，因此呢一个电容搞不定，那怎么办呢？我们经常有两种方法来解决，一种是使用一个大电容和一个小电容并联，还有一种是使用多个相同的电容并联。那么这两种方法达到的效果分别是怎样的呢？
首先来看大小电容并联。大小两个电容分别有各自的谐振频率f1和f2。
当频率比较低的时候，两个电容都成容性，在频率比较高的时候，两个电容都呈感性，并联后总体阻抗曲线都会保持原来的变化趋势，因此，数值上会比任意一个电容都小。
但是，当频率大于f1并小于f2时，大电容呈感性小电容呈容性，两者并联，就像是一个电感和一个电容并联，构成了LC并联谐振电路，并在某一个频率点发生并联谐振，导致该处阻抗很大。如果负载芯片的电流需求正好落在这个频率，那么会导致电压波动超标。所以，我们需要选好电容的搭配情况。
再来看看相同电容并联的情况，n个相同的电容并联，谐振频率和单个电容一样，但是在谐振点处的阻抗是原来的n分之一，因此，多个相同的电容并联后，阻抗曲线整体形状不变，但是各个频点的整体阻抗变小。
片上电感
谐振
RLC串并联谐振特性
串联谐振
串联RLC电路在谐振点处有如下特征：
●等效阻抗最小；
●等效阻抗等于电阻；
●相位差为0；
●电流最大；
●能量转换（功率）最大。
并联谐振
并联谐振电路取代串联电路为负载将拒绝被选定的频率。图6-4为并联RLC谐振电路，它的振荡频率和串联RLC电路的相同。
并联RLC电路在谐振点处有如下特征：
●等效阻抗最大；
●等效阻抗等于电阻；
●相位差为O；
●电流最小；
●能量转换（功率）最小。
不同电容谐振频率
表贴电容的自谐振频率相对较高，当然在实际虚用中，它的连接线的寄生电感也会减小其原来的优势。表贴电容有较高的自谐振频率是因为小包装尺寸的径向的和轴向的电容的引线电感较小。据统计，不同封装尺寸的表贴电容，随着封装的引线电感的变化，它的自谐振频率的变化在±(2～5) MHz之内。
插件的电容只不过是表贴器件加上插脚引线的结果。对于典型的插件电容，它的引线的电感平均为2. 5nH/O. Olin。表贴电容.
一些笔记
输入信号为40-200Hz
设电路工作的频率是f0，那电容此时的容抗为1/W0*C 。
隔直电容，顾名思义，交流是需要等效为短路，直流是可视为开路，起到 隔直 的作用。这就对电容的电容值有要求。一般电容的截止频率 fc 为1/5 fo，这样电路工作在 fo 是 电容的容抗便足够的小，可以满足 前面的要求了。
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