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原创以太网MDI信号PCB EMC设计要点

5. 限制MDI走线的弯曲程度可有效降低不同线路区段间的串扰效应，减少MDI轨迹上引入的噪声，尽量不要有弯曲，走线弯曲会破坏差分对的理想平行结构，导致相邻信号路径出现不对称的电磁耦合区域。5. R//C接地隔离或其他接地路径电路需要与MDI走线位于相反的层上，确保大部分EMI噪声可以在MDI走线的另一侧流动，并最大限度地减少对MDI走线的接地噪声干扰。7. 变压器下方避免铺铜，防止在EMI事件期间变压器的噪声直接注入下方的铺铜区域，同时变压器下的铺铜会降低变压器的隔离功能，变压器下方挖空如下图所示。

2025-06-11 21:15:00 1192

原创 TI以太网PHY收发器晶体选择和规格

以太网物理层（PHY）收发器需要一个外部25MHz时钟源，为内部电路提供时钟参考，该电路生成设备数据传输和接收所需的所有时钟。大多数PHY支持跨XI和XO引脚连接的外部晶体谐振器，或仅连接到XI引脚的外部CMOS振荡器，建议使用晶体谐振器作为低成本系统设计的时钟源。根据IEEE 802.3的要求，外部参考时钟产生的频率的总精度必须优于±100ppm，PHY才能正常工作。该公差包括与晶体或电路相关的所有误差源。参考时钟的过度变化可能会导致MDI或MII上的数据损坏。

2025-06-10 22:00:00 1111

原创以太网PHY布局布线指南

对于以太网布局布线遵循以下准则很重要，因为这将有助于减少信号发射，最大程度地减少噪声，确保器件作用，最大程度地减少泄漏并提高信号质量。

2025-06-09 20:00:00 1711

原创电压型PHY芯片MDI接口设计

电压型PHY芯片是指将数字信号转换为模拟电压进行传输，使用电压来表示0和1数据。通过输出电压驱动器，改变电压的大小，以区分0和1。当电压大于某个阈值时，表示1；当电压小于某个阈值时，表示0。电压型PHY功耗低，产生的热量少，适用于短距离、低功耗场景。长距离传输时容易受到干扰，信号易失真，传播速度相对较慢，不适用于高速数据传输。**中心抽头（Center Taps）‌不可直接短接至其他中心抽头或直接接地。如果将中心抽头（Center Taps）‌正确地通过电容连接到地，

2025-06-08 08:00:00 606

原创电流型PHY芯片MDI接口设计

电流型PHY芯片是指将数字信号转换为模拟电流进行传输，使用电流来表示0和1数据。通过输出电流驱动器，改变电流的大小，以区分0和1。电流型PHY由于采用电流信号传输数据，所以抗干扰能力强，减少信号失真，传播速度较快，适用于高速数据传输。但电流型PHY功耗高，产生的热量多，传输距离相对较远。在PHY侧附近添加外部共模扼流圈CMC可以防止从地面到MDI线路的任何进一步噪声，或者从周围环境到PHY和变压器区域之间的MDI线路的噪声。以TI的DP83822芯片为例，该芯片为电流型PHY，如下图所示。

2025-06-07 10:41:25 1162

原创选择正确的电平转换解决方案

在目前大多数电子系统中，对电压电平转换的需求非常普遍。例如， ASIC可能在电源电压 VCCA 下工作，而I/O器件可能在电源电压VCCB下工作。为了使这些器件间能够互相通信，需要如下图所示的电平转换解决方案。电子器件的输入电压阈值和输出电压电平可能随着所使用的器件技术和电源电压的不同而有所不同。下图显示了不同电源电压和器件技术的阈值电平。为了成功连接两个器件，必须符合以下要求：1. 驱动器的VOH必须高于接收器的VIH。2. 驱动器的VOL必须低于接收器的VIL。

2025-06-03 20:30:00 1796

原创 Δ-Σ ADC的工作原理

基础的Δ-Σ ADC模数转换器是一个1位采样系统。施加到转换器输入端的模拟信号需要相对较慢，以便转换器可以对其进行多次采样，这种技术称为过采样。采样率要比输出端口的数字结果快数百倍。每个单独的样本随着时间的推移而累积，并通过数字滤波器或抽取滤波器与其他输入信号样本“平均”处理。Δ-Σ ADC模数转换器的主要内部单元是Δ-Σ调制器和数字/抽取滤波器。下图所示的内部Δ-Σ调制器以非常高的速率将输入信号粗略地采样为1比特数据流，然后，数字/抽取滤波器将采样数据转换为高分辨率、较慢的数字代码。

2025-05-28 18:00:55 1246

原创宽VIN过压和欠压监控器有哪些常见应用？

这种监控器支持多种可能的配置，例如使用高电源电压监控高检测电压、使用低电源电压监控高检测电压、使用高电源电压监控低检测电压，以及使用低电源电压监控低检测电压。这个（这些）监控器的检测和复位延迟可用于设置该序列的时序，并确保在前一个电源轨稳定之前不会启动后续的电源轨。如果在应用中需要较大的迟滞值或每个通道需要不同的迟滞值，则可以使用外部电阻来调整监控器的迟滞，如下图所示。为了获得最大的容错能力，用于监控下游电源轨的监控器必须由源高压电源进行供电，这样即使下游电源发生故障，监控器也能继续运行。

2025-05-26 18:05:53 936

原创 Class-D音频功放LC滤波器设计

D类输出LC低通滤波器中的电容器对于放大器的频率响应至关重要。AD、BD调制的D类单端滤波器如下图所示：由于温度、电压、电流或其他因素引起的电容变化会影响音频频率的位置，并最终影响音频性能。LC滤波器频率响应如下图所示：为了选择适当的电容器，下图显示了经过D类LC滤波器后的音频正弦波信号和相应的电压，D类LC滤波器输出如下图所示：其中：Vmax是包括交流和直流输出电压的最大峰值电压，单位为VDC。VAC是交流音频峰峰电压，单位为Vpp。

2025-05-22 21:12:20 2609 1

原创单个振荡器驱动多个负载的设计原则

以上指导原则可作为在系统中驱动多个负载的基本原则。通过减少负载数量、缩短分支布线长度并减少总寄生和接收器电容，系统能够最大限度减轻使用单个振荡器驱动多个负载所带来的负面影响。星型线路拓扑是最符合这种布线情况的模型。如果需要优先考虑实现绝对最佳性能，那么绝不能将布线分成多个负载，而是使用多通道时钟缓冲器来扇出时钟信号并驱动多个负载。

2025-02-05 10:50:07 227

原创如何选择TVS二极管？

电子产品系统保护最重要的部分之一是输入TVS二极管保护。输入TVS二极管旨在保护脆弱的系统输入免受附近机器、雷击或浪涌引起的大瞬态尖峰的影响。这些浪涌由IEC 61000-4-5进行建模，规定了系统必须满足的保护要求，以确保产品暴露于这些瞬态情况时不会出现故障。那么，如何正确的选择TVS二极管呢？本文将介绍TVS二极管，并与其他瞬态保护解决方案进行比较，探讨关键规格，然后举例说明。设计师确保产品的稳健性是最关键、最困难的任务之一。

2025-01-23 20:00:00 2568

原创 LDO稳定性与输出电容ESR的关系

LDO电路结构简单，所以在设计过程中可能会忽略一些问题，如忽略输出电容的ESR要求，结果可能导致LDO工作不稳定，从而影响系统功能。那么输出电容的ESR是如何影响LDO稳定性的呢？如何判断LDO是否稳定呢？当使用较旧的LDO线性稳压器进行设计，选择输出电容器时，ESR非常重要。因为ESR是频率相关，因此在模拟时使用最小ESR。较新的LDO，如TPS7A26器件，本质上是采用陶瓷电容器稳定的，这有助于提高性能，无需过分关心输出电容的ESR。

2024-12-27 14:58:56 2220

原创如何快速估算PCB寄生参数？

PCB设计完成后，会自然地产生各种寄生参数，如不同地线宽，会导致不同地直流电阻，不同直径地过孔也会产生不同地直流电阻以及寄生电感。那么如何快速地估算这些参数呢？

2024-12-26 13:20:37 952

原创 D类音频应用EMI管理

对于EMI，首先需要理解天线。频率和波长之间的关系，如下图所示。作为有效天线所需的最短长度是λ/4。在空气中，介电常数是1，但是在FR4或玻璃环氧PCB的情况下，介电常数大约4.8。这种效应会导致信号在FR4材料介质包围的导线中传播速度变慢，本质上是一种 “波长缩短” 的效应。例如，200MHz信号的四分之一波长为16.7cm，但在内层PCB走线中，波长是: 16.7/√4.8=7.6cm。即使长度小于λ/4，PCB走线也可以充当无意的天线，从而增加了麻烦和敏感性。

2024-12-26 09:06:31 1464

原创 ESD保护布局布线指南

ESD保护对电子设备的可靠工作起着至关重要的作用，外部的静电无处不在，如果没有ESD保护，电子设备的故障率将大幅提升。在原理图设计时，会对端口保护选择合适的ESD保护器件，那么辛辛苦苦选出来的ESD器件是否能起到相应的保护作用呢？PCB设计的布局布线就起到了决定性的作用，一个好的Layout设计，可以有效地预防静电干扰，一个差的Layout设计，即使ESD器件选型再成功，也于事无补。所以究竟该如何对ESD保护器件布局布线呢？

2024-12-24 20:01:35 2864

原创 LDO电源输入端口为什么加入串联电阻？

RθJA值越大，表示此封装的散热效率越低，而值越小，表示器件散热效率越高。封装尺寸越小，RθJA 值通常越大。例如TPS732 根据封装不同而具有不同的热阻值：小外形晶体管 (SOT)-23 (2.9mm x 1.6mm) 封装的热阻为205.9°C/W，而SOT-223 (6.5mm x 3.5mm) 封装的热阻为 53.1°C/W。其中TJ为结温，TA为环境温度，RθJA为热阻，PD 为功耗，Iground 为接地电流。选择散热器时，底板的尺寸应与其所连接的器件的尺寸相似，有助于在散热器表面均匀散热。

2024-12-22 10:58:54 2512 2

原创为什么温度对半导体器件影响很大？

以硅为例，每个硅原子最外层具有4个电子，这种结构不够稳定，稳定的结构是最外层有8个电子，所以每个硅原子4个电子和周围的4个硅原子的各自最外层4个电子组成4个共价键，这样每个硅原子都是最外层8个电子的稳定结构，每个共价键同时受到两个原子的束缚，共价键中的两个电子称为价电子。本征半导体在获得能量后，如受到光照、加热、电场力而获得能量，发生本征激发，共价键可能断裂，共价键中的价电子会挣脱原子核的束缚，成为自由电子，同时共价键中留下一个空位，称为空穴。本征半导体中存在大量的共价键，载流子的数量极少，导电性能很差。

2024-12-21 09:53:30 1213

原创 LDO输入电压不满足最小压差时输出会怎样？

Vdo的值不是定值，会随着负载电流的变化而变化。以TI公司的TPS7A20U为例，下图展示了Vdo随Iout变化而变化。那么如果Vin不满足最小压差时，输出电压会是怎样的呢？

2024-12-20 20:56:58 1322

原创深入理解电容

电容器广泛应用于电子产品中，那么对于电容器真的了解吗？电容器是用于储存电荷的器件，其中包含一对或多对由绝缘体分隔的导体，而电容是指电容器储存电荷的能力。电容器能储存多少电荷的标准叫做电容值。电容的单位是F（法拉），定义将1V电压（电位差）给予某导体，储存1C（库伦）的电荷时，电容值为1F。

2024-12-20 08:58:48 1475 2

原创 LDO的电源抑制比PSRR

选型LDO时，电源抑制比PSRR是一个很重要的技术参数。PSRR规定了输入电源变化量（以伏为单位）与输出电源变化量（以伏为单位）的比值，常用dB表示。PSRR表示为：由上述公式可知，PSRR的值越大，对电源纹波的衰减程度越高，抑制纹波越有效。大多数的LDO数据手册中常给出某个频率点的PSRR值，如120Hz或1KHz，但是，单单看这几个给定的频率点处的PSRR值，是无法确定给定的LDO是否满足具体的滤波要求。那么究竟该如何确定合适的PSRR值呢？

2024-12-19 08:48:07 2409

原创 LDO输入输出级之间为什么加入二极管？

电路设计如下图所示。设计LDO电路时，必须考虑反向电流问题，现在有些LDO制造厂家通过芯片工艺，在制造芯片时已经考虑反向电流保护措施，对于这些LDO芯片无需进行外部防反向电流保护设计，但有些LDO芯片内部无反向电流保护措施，此时LDO电路需考虑设计反向电流保护电路。LDO正常工作时，电流方向是从Vin流向Vout，当出现某种意外情况，如输入短路、下电时输出电压放电慢等，均有可能出现Vout电压比Vin电压高的情况，此时，就会产生反向电流，电流方向是从Vout流向Vin。电路设计如下图所示。

2024-12-18 11:49:34 1497

原创高速接口布局布线指南

在常见的PCB材料上布局差分信号时，由于构成PCB的玻璃纤维织物（"Ɛr约为6）和环氧树脂（Ɛr约为3）的静态介电常数Ɛr的差异，差分对中的每条迹线将经历不同的介电常数和相应的信号速度。如计算出的走线宽度为6mil，那么PCB设计时要求高速差分对之间的间距至少为30mil，且在整个走线长度上，对任何其他信号保持至少30mil的隔离区域。匹配差分对布线的长度。为了尽量减少与这些元件在差分信号走线上放置相关的不连续性，建议将SMD安装焊盘对应正下方的参考平面100%挖空，挖空深度应至少有PCB的两层深。

2024-12-17 17:03:29 2543

原创铁氧体磁珠使噪声恶化?

铁氧体磁珠是一种无源器件，以热量的形式从电路中去除噪声能量。铁氧体磁珠在较宽频率范围内产生阻抗，可消除该频率范围内所有或部分不期望的噪声能量。阻抗与所使用的材料 (磁导率) 、铁氧体磁珠的尺寸、绕组的数量和绕组结构有关。对于给定的外壳尺寸及特定材料，绕组越多，阻抗越高，但由于内线圈的物理长度更长，所以也将产生更高的DC电阻，意味着额定电流越小，额定电流与DC电阻成反比。铁氧体磁珠用于EMI整改时，必须使磁珠处于电阻级状态。即“R” (交流电阻) 必须大于 “XL” (感抗)。

2024-12-03 13:17:07 1034