浅谈电容（基础）

最新推荐文章于 2024-06-18 19:16:32 发布

在下编号9527

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文章标签：硬件工程

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电容分类

一类陶瓷介质：NP0，C0G容量多在1000pF以下，温度特性平稳，该类电容器低功耗涉及的主要性能指标是损耗角正切值tanδ(DF)；NP0电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一；在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC0

二类陶瓷介质：容量主要集中在1nF以上，该类电容器低功耗主要涉及的性能指标是等效串联电阻(ESR)，我司常用的为X7R、X5R；

I类瓷：顺电体，线性温度系数，热稳定型或热补偿型，如C0G：0±30ppm/℃
II类瓷：铁电体，非线性温度特性，高比体积电容，小型化，如X5R：-55~+85 ℃ ，±15%

X6*：-55~+105 ℃ ；X7*： -55~+125 ℃

陶瓷电容的温度特性

温度特性>> 二类瓷由于铁电体晶体结构的原因，陶瓷电容器在温度变化下分子结构会发生变化，导致容量值出现波动。如曲线图所示，二类瓷（X5R//X6S/X7R/X7T）的铁电晶体结构在温度区间内容值变化较大，一类瓷（C0G）由于晶体结构为顺电体，在温度区间内容值依然保持稳定。

X7R在125℃的容量变化约为15%，相当于降一个精度档位，再加上X7R电容的本身精度一般是K档，容量损失已经达到了25%，而NP0电容一般用J档，且温度变化对容量基本没有影响，故NP0的容量损失约为5%。再考虑到X7R电压-容量变化超过50%，因此，两者容量差异最大超过70%。同时考虑到NP0电容的容量一般较小，且应用在耦合电路等对容量稳定性要求较高的电路，在容量稳定性要求超过5%的情况，X7R代替NP0是不可行，容量稳定性要求超过25%的，优先选用X7R，没有必要选NP0。

以104电容为例，从图2可以看出，X5R在105℃，容值变化较小，可以代替X6S，但X5R在125℃的容量变化约为20%左右，X7R在125℃容量变化约为15%，结合X5R和X7R的MTTF值，寿命约为1/4，不能替代。

老化特性>> 第二类陶瓷的容量会随时间而变化，这种现象我们成为老化。老化现象的出现时由于当温度在居里温度点以下时，陶瓷介质中立方晶体结构的对称性降低，从而导致容量减少。

不同封装直流偏压特性：直流偏压特性由电容内部分子结构决定，外在表现和电容封装与电容额定电压呈关联关系。同参数下电容电容封装减小，直流偏压特性增强；电容额定电压增大，直流偏压特性减弱。

mlcc的容量和电压是决定电路能量的主要因素（电压*容量＝能量），因此在需要损耗同等能量情况，如容量随电压降低得越少，电路使用的电容容值越低，数量也越少。因此，mlcc的直流偏压特性是非常重要的一个参数。

同规格不同额定电压的直流偏压特性

从上述直流偏压曲线可以得出：1）电容容量选用降额到50%，2）电压高代低是可以的，3）电压跨档一个档位替代也可行，但考虑使用寿命，MTTF会减少为原来的1/4左右，针对消费级别的需求可以考虑替代。

同规格不同尺寸的直流偏压特性

从上述直流偏压曲线对比可以得出：1）尺寸越大，电压升高，电容容值降低越慢；2）小尺寸代替大尺寸，由于每相邻一个封装级别电压升高容量降低10%左右，故一般使用小电容数量需要增加。

电容各项参数

标称电压	耐电压
≤50V（一类瓷）	3.0Ur
≤50V（二类瓷）	2.5Ur
100V~250V	2.0Ur
500V~1000V	1.5Ur
＞1000V	1.2Ur

失效电容典型切片形态，因受高电压击穿，导致电容内部短路，持续供电导致电容大面积熔融，并烧黑PCB周边部分。

MLCC的寿命计算

MTTF=Lx-y=n*La-b*At*Av

其中

n：安排寿命试验的样品数量

Lx-y：使用温度x，使用电压y下的寿命为Lx-y

La-b：寿命试验温度a，寿命试验电压b下的试验时间为La-b

At: 温度加速项，其计算公式为At=exp[eA/K(1/Tu-1/Ts)]

K=（8.62×10）-5 玻尔兹曼常数

eA=1.1(单位为eV) 主动作用能量

Tu=使用温度+273（开尔文常数）

Ts=上限温度+273（开尔文常数），如X7R的上限温度为125℃

Av:电压加速项，其计算公式为Av=（V2/V1）3

V1=额定电压 V2=使用电压

关于电容应用环境，我司建议应用工作电压不超过0.7Ur，应用工作温度≤Tmax-20℃；以便电容更好的保持长时间稳定工作

MLCC(片式多层陶瓷电容器)自谐振频率：

低于自谐振频率点的部分，容抗起主要作用；

高于自谐振点的部分，电容表现为感性，

在自谐振点处，容抗Xc=Xl，表现为纯电阻ESR。

ESR和|Z|是会随频率发生变化的，自谐振频率点(SRF)处，|Z|=ESR

MLCC四大失效模式

机械应力裂：PCB弯曲，PCB扭曲，SMT nozzle冲击、SMT chucking冲击；热冲击裂：电击穿失效、碰撞损失失效、其他；

应用

MLCC一般应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能的作用。

滤波：电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。高容MLCC通低频，低容MLCC通高频，电容的作用就是通高频阻低频。由于电容的两端电压不会突变，信号频率越高则衰减越大，它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。

旁路：将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分旁路滤掉的电容，称做“旁路电容”。旁路电容产生一个交流分路，从而消去进入易感区的那些不需要的能量，即当混有高频和低频的信号经过放大器被放大时，要求通过某一级时只允许低频信号输入到下一级，而不需要高频信号进入，则在该级的输入端加一个适当大小的接地电容，使较高频率的信号很容易通过此电容被旁路掉（这是因为电容对高频阻抗小），而低频信号由于电容对它的阻抗较大而被输送到下一级放大。

去耦：从电路来说，可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源，这应该是他们的本质区别（参考如下）。