NMOS管和PMOS管使用区别之一

最新推荐文章于 2024-07-25 02:15:20 发布

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NMOS管在电路中常做下管使用，PMOS管在电路中常做上管使用。

VCC叫上，GND叫下。

NMOS管在电路中常做下管使用：S端接GND,D端接负载,负载再接VCC.

PMOS管在电路中常做上管使用：S端接VCC,D端接负载,负载再接GND.

无论做上管还是下管，S极都接电源（VCC和GND都称为电源）

电流的方向是逆着体二极管方向.

另外如何区分NMOS和PMOS，只需要看箭头，箭头指向G则是NMOS,

箭头从G指出来则是PMOS

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MOS管当开关控制时为什么一般用PMOS做上管NMOS做下管

07-07

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。

NMOS管与PMOS管的区别与总结

weixin_43491077的博客

11-16

8万+

对MOS管的理解 MOS管的管脚有三个：源极S（source）、栅极G（Gate）和漏极（Drain），但是实际工程应用中，经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。 MOS管有两种：一个是PMOS管，一个是NMOS管；PMOS管就是positive管，是积极的管，而NMOS管是negative管，是消极的管。积极的管就是顺应潮流，顺势而为；消极的管就是违背趋势，逆流而上。很显然，电流从源极（输入端）到漏极（输出端），那就是顺势而为，因为源极就是源头嘛，因此这种管就是PMOS

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PMOS、NMOS 驱动电路和使用方法

最新发布

qq_41544116的博客

07-25

1373

下图就是 PMOS 和 NMOS 的简单使用方法。D2 是指示灯，NMOS 的 G 连接单片机 IO，PMOS 的 D 连接 24V 继电器，PMOS 的体二极管作为继电器的反向电动势的吸收二极管PMOS 和 NMOS 不一样，在远超单片机电压下控制 PMOS 必须依靠一个 NMOS，不能用单片机的 IO 直接代替这里的 NMOS 作控制，不然高压会直接击穿单片机也许可以这么理解：PMOS 用于发送正电压，NMOS 用于接收正电压。

PMOS管的简单应用

DXPhelp的博客

07-23

5399

PMOS管的简单应用应用原理介绍寄生参数选型应用防反接电路高端驱动应用相比于NMOS，PMOS应用较少，主要原因有导通电阻大于NMOS导通电阻，型号少，价格贵等，但在一些特殊的场合也有应用。原理介绍 PMOS全称是P型金属氧化物半导体(positive channel Metal Oxide Semiconductor)，MOSFET为压控型器件。当电压Vgs低于阈值Vth时，PMOS在场强的作用下导通，当Vgs高于Vth时，内部沟道截止。导通时，电流的方向是可以从D到S，从S到D也可。由于PMO

NMOS与PMOS的导通条件与使用方法

qq_62361151的博客

04-15

2万+

如果MOS管用作开关时，（不论N沟道还是P沟道），一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或接地。否则就无法实现开关功能了。所以，N沟道一定是D极接输入，S极接输出或地。P沟道则相反，一定是S极接输入，D极接输出

PMOS和NMOS

m0_66746512的博客

05-12

1548

又根据场效应原理的不同，分为（当栅压为零时有较大漏极电流）和（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流，VGS>VGS(th)的时候才会导通）两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。

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07-14

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GodArtemis的博客

06-26

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四是GS之间的寄生电容Cgs，所有的NMOS管都有，这是制造工艺的问题无法被避免，Cgs影响NMOS管的打开速度，因为栅极处的电压会首先给Cgs充电，导致GS之间的电压不能一下子到达给定值，有一个爬升的过程，当然因为Cgs比较小，所以我们平时感觉不到它，但Cgs对高速的PWM控制场景是致命的，当PWM的周期接近于这个爬升时间时，波形就会失真，Cgs与Rds之间成反比。NMOS管和PMOS管最主要的区别就是当栅极G为高电平时，NMOS管导通，为低电平时，NMOS管关闭，而PMOS管恰恰相反。

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记得诚

07-22

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大家好，我是记得诚。在电路中，NMOS经常用作下管，S极接地，用G极来控制管子的导通截止，很方便。 NMOS用作上管时，因为S极电平不确定，即G极电平也不好确定，很不方便。 PMOS经常用作上管，S极接固定的VCC，用G极来控制管子的导通截止。用作下管时，因为S极电源不确定，无法确定G极电压来控制管子的导通截止。今天的问题并不是这个，而是说DC-DC上管为什么用NMOS的多，而不是PMOS。上管用NMOS，还要用到自举电容，麻烦还增加成本。关于自举电容，可以看这篇文章：DC-DC BUCK自举

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ktd007的专栏

11-24

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【1】NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）【2】PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V（S电位比G电位高）下面以导通压差6V为例： NMOS管使用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压固定值6V即可导通；若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，MOS管截止时为低电平，导通时...

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我会不断分享实战经验。包括：开关电源、整流器、逆变器、单片机、晶体管、PWM电路、反馈电路、变压器设计、储能、BMS原理、传感器、电路原理图设计、PCB电路板的设计等，360°无死角、全方位为大家剖析：BUCK（降压）、BOOST（升压）、Flyback(反激)、QR-Flyback（准谐振）、APFC（有源功率因数校正）、LLC（谐振半桥）、PSFB（移相全桥）、BMS（电池管理系统）、单片机（包括C51、STM32系列）都是已经大批量生产的资料、而且现在正热卖的产品原理图、PCB等，帮助广大电子爱好者。

NMOS和PMOS使用总结

weixin_46283037的博客

02-02

2234

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撞上电子

11-14

5043

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