NMOS和PMOS的简单介绍

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	场效应管在电路中一般作为开关存在，和三极管一样场效应管也有三级（G栅极，S源极，D漏极）

一、NMOS管的介绍
在NMOS管中，栅极G作为控制级，当GS之间电压高于某个值的时候，漏极D和源极S之间就导通，这个电压值叫Vgsth，是每一个NMOS管的固有属性。NMOS管可以等效为一个由电压控制的电阻模型，当GS之间的电压低于Vgsth时，DS之间的电阻就无穷大，当GS之间的电压高于Vgsth时，DS之间的电阻接近于零（接近于零但不为零，此时RS之间的电阻值称为Rdson，NMOS管的Rdson值越小越好，值越小其分压越低，发热越少）

NMOS管有四个重要的参数，一是封装，NOMS管有许多不同的封装，一般封装越大，其能承受的电流就越大；二是GS之间的电压值Vgsth；三是NMOS管导通是DS之间的电阻值Rdson；

四是GS之间的寄生电容Cgs，所有的NMOS管都有，这是制造工艺的问题无法被避免，Cgs影响NMOS管的打开速度，因为栅极处的电压会首先给Cgs充电，导致GS之间的电压不能一下子到达给定值，有一个爬升的过程，当然因为Cgs比较小，所以我们平时感觉不到它，但Cgs对高速的PWM控制场景是致命的，当PWM的周期接近于这个爬升时间时，波形就会失真，Cgs与Rds之间成反比


二、NMOS管和PMOS管的区别
NMOS管和PMOS管最主要的区别就是当栅极G为高电平时，NMOS管导通，为低电平时，NMOS管关闭，而PMOS管恰恰相反
对于灯泡、电机这种无源器件，我们一般使用NMOS管作为下管控制（当NMOS作为上管，DS之间想维持导通，栅极G就需要提供Vsource+Vgsth的电压，大于系统电压VCC，需要另外给栅极提供一个直流电压源，并不方便），对于芯片这种有源器件，我们一般使用PMOS管作为上管控制（当芯片在MOS管上方，芯片的GND与地之间隔了一个MOS管，没有直接接地，当MOS管打开时，芯片没有办法与其他芯片良好的共地，可能会有通信混乱的问题，并且在MOS关闭时，VCC与电源相连，电流可能会从芯片的IO引脚跑出，芯片进入一个未知的状态）(讨论题，PMOS能作下管控制吗？）
在能使用NMOS管的情况下最好使用NMOS管，因为NMOS管的Rdson比PMOS低，价格也比PMOS低，型号比PMOS多。

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三、三极管与MOS管之间的区别
三极管和MOS管之间的控制原理差不多，但是三极管是电流控制元件，MOS管是电压控制元件，三极管只有在be间存在持续的电流才会被打开，而MOS管只有在寄生电容Cgs被充电时存在电流。所以MOS管有省电的优势，而且MOS管打开时等效于一个小于10毫欧的电阻，三极管打开时等效于一个0.4V的稳压二极管，如果流过10A的电流，则MOS的功耗只有1W，三极管则达到了4W。总的来说MOS管的优势在于静态电流小以及导通阻抗低，三极管的优势则在于其价格低廉、耐高压，现在的电路应用主要是用MOS管，三极管在小电流驱动的场景下（比如运行电流小于100mA的LED灯、小功率电机，此时三极管的功耗=0.4V*0.1A=0.04W）应用较多。

四、同为开关，继电器与MOS的区别

首先是开关速度，继电器的开关速度是毫秒级别的（继电器的本质是一个电磁铁，），但MOS管的开关速度能达到纳秒级别，MOS管一秒钟能开关几万次，继电器一秒钟只能开关几十次，所以继电器更适合那种常开常闭的场景。
然后是电流的比较，因为继电器的本质是一个电磁铁，所以驱动继电器开关至少需要几十毫安的电流，单片机的IO口的驱动能力不满足继电器的需求，所以单片机想控制继电器的开关，通常还需要串联一个MOS管或三极管，而MOS管几乎不需要电流，所以单片机能直接控制MOS管。
其次由于体二极管的原因，MOS管只能指控单方向的直流电，而继电器交流电直流电都能控制
继电器的控制端与被控制端可以使用俩套独立的控制电源，地线可以不用接在一起，这样就可以作隔离，不存在电磁干扰的问题，但是MOS管的控制端与被控制端共地，可能存在被控制端干扰控制端的问题。
MOS管开关的声音比继电器小很多，体积和价格也都比继电器低。