利用IV分析仪测量二极管的伏安特性

本文介绍了使用Multisim软件仿真二极管伏安特性的方法,并通过改变直流电流观察了二极管直流与交流特性变化。实验表明,随着直流电流增加,直流管压降增大而交流等效电阻减小。

视频链接

https://v.youku.com/v_show/id_XNTkxNTA0NTg2MA==.html?x&sharefrom=android&sharekey=4f49e77d2cb39843f0ef12bd92c460880

测量方法及步骤

1.选择元件:选择元件:在 Multisim 主界面的左侧元器件栏中选择某种型号的二极管( Diode ),如1N4148.并将某拖至电路图窗口。2.选择仪器:在右侧仪器仪表栏中选择 IV 分析仪( IV - Analysis ),也将其拖至电路图窗口。

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 3.将线路连接起来

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 4.打开 IV 分析仪,在仪器的 Conponents 栏选择 Diode , IV 分析仪的右下角将显示出二极管管脚所接端子。

5.完成测试:单击 Sim _ Param ,设置仪器参数;闭合仿真开关,即可得到伏安特性曲线。移动光标,可以读出管压降及其对应的电流值。151fac1e25514a9db6534385fa335f33.png

Multisim官方示例Multisim仿真例程基础电路范例135例合集: Chapter 1 - RLC Circuits Chapter 2 - Diodes Chapter 3 - Transistors Chapter 4 - Amplifiers Chapter 5 - Opamps Chapter 6 - Filters Chapter 7 - Miscellaneous Circuits Fundamental Circuits.pdf 004 Parallel DC Circuits.ms10 005 Series-Parrallel DC Circuit.ms10 006 Current Analysis.ms10 007 Millmans Theorem 1.ms10 008 Millmans Theorem 2.ms10 009 Kirchhoff's Current Law.ms10 010 Thevenin's Theorem.ms10 011 Superposition Principle.ms10 012 Nortons Theorem and Source Conversion.ms10 013 AC Voltage Measurement.ms10 014 Frequency Response of the Series RL Network.ms10 015 RL High and Low Pass Filter.ms10 016 Frequency Response of the Series RC Network.ms10 017 RC High and Low Pass Filter.ms10 019 Center-Tapped Full-Wave Rectifier.ms10 020 Bridge Rectifier.ms10 021 Capacitor-Input Rectifier Filter.ms10 022 Diode Clipper (Limiter).ms10 023 Diode Clipper.ms10 024 Diode Clamper (DC Restorer).ms10 025 Diode Voltage Doubler.ms10 026 Zener Diode and Voltage Regulation 1.ms10 027 Zener Diode and Voltage Regulation 2.ms10 028 Zener Diode and Voltage Regulation 3.ms10 105 TTL Inverter.ms10 107 TTL Gate.ms10 109 OR Gate Circuit.ms10 111 Over-Damp Circuit.ms10 113 Critical-Damp Circuit.ms10 115 Series RLC Circuit 1.ms10 117 Clapp Oscillator.ms10 119 Differential Amplifier 1.ms10 121 Differential Amplifier in Common Mode.ms10 123 LC Oscillator with Unity Gain Buffer.ms10 125 Notch Filter.ms10 127 PNP Differential Pair.ms10 129 Crossover Network.ms10 131 Second-Order High-Pass Chebyshev Filter.ms10 133 Third-Order High-Pass Chebyshev Filter.ms10 135 Fifth-Order High-Pass Filter.ms10
### 在Multisim中使用IV分析仪的方法 在Multisim中,IV分析仪是一种非常有用的工具,可以帮助用户快速测量半导体器件(如二极管、三极管等)的伏安特性曲线。以下是关于如何在Multisim中使用IV分析仪的具体说明: #### 1. 打开Multisim软件 启动Multisim应用程序并创建一个新的电路设计文件。 #### 2. 添加目标元件 从左侧的元器件库中选择所需的半导体器件,例如二极管(如1N4148),将其放置到电路图编辑区[^3]。 #### 3. 插入IV分析仪 在右侧的仪器仪表栏找到 **IV Analysis** 工具,并将其拖放到电路图中。此时,IV分析仪会自动识别所连接的目标元件,并显示其引脚信息[^2]。 #### 4. 连接电路 将选定的半导体器件与IV分析仪正确相连。通常情况下,只需简单地把两者放在一起即可完成默认连接;如果需要特殊配置,则手动调整连线方式以满足特定需求[^1]。 #### 5. 设置参数 双击已加入的IV分析仪图标进入属性对话框,在这里可以根据实际情况设定扫描电压范围(Voltage Range)以及步长(Current Step Size)[^2]: - Voltage Range: 定义施加于待测件两端的最大最小值区间; - Current Step Size: 控制每次增量计算时使用的电流间隔大小。 #### 6. 开始仿真 确认所有设置无误之后,单击“Simulate Parameters”按钮执行仿真过程。等待片刻后,屏幕上会出现一条描绘出当前被检测对象I-V特性的曲线图表。 #### 7. 数据读取 通过鼠标指针悬停或者标记功能可以直接获取曲线上任一点处对应输入输出变量的实际数值[^2]。 --- ```python # 示例代码:基于Python Matplotlib模拟简单的IV特性曲线绘制 import numpy as np import matplotlib.pyplot as plt def diode_iv_curve(voltages, Is=1e-12, n=1, Vt=0.026): """理想二极管方程""" return Is * (np.exp(voltages / (n * Vt)) - 1) voltages = np.linspace(-1, 1, 500) currents = diode_iv_curve(voltages) plt.figure(figsize=(8, 6)) plt.plot(voltages, currents, label="Ideal Diode Equation", color='blue') plt.axhline(y=0, color='black', linewidth=0.8, linestyle='--') # X轴辅助线 plt.axvline(x=0, color='black', linewidth=0.8, linestyle='--') # Y轴辅助线 plt.title("Diode IV Characteristic Curve Simulation") plt.xlabel("Voltage (V)") plt.ylabel("Current (A)") plt.grid(True) plt.legend() plt.show() ``` 此段伪代码仅作为理论参考用途,实际操作仍需依靠专用EDA工具如Multisim来进行真实物理模型级别的精确仿真[^4]。
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