该文详细介绍了如何利用Multisim软件进行半导体器件特性曲线的测量，特别是二极管的伏安特性。通过选择二极管元件，连接IV分析仪，设置参数并进行仿真，可以获取二极管的管压降和电流值。此外，文章还探讨了二极管在直流量和交流量下的不同表现，揭示了二极管的动态电阻特性。
Multisim应用举例实验
一、实验原理：以Window为基础的仿真工具，适用于板级的模拟/数字电路板的设计工作。它包含了电路原理图的图形输入、电路硬件描述语言输入方式，具有丰富的仿真分析能力。
二、半导体器件特性曲线测试方法的研究
利用IV分析仪测量二极管的伏安特性的测量方法及步骤
（1）选择元件:在Multisim主界面的元器件栏中选择某种型号的二极管（Diode）1N4149，并将某拖至电路图窗口。
（2）选择仪器:在右侧仪器仪表栏中选择IV分析仪(IV - Analysis)，也将其拖至电路图窗口；将其导线进行连接，如图所示：
（3）打开IV分析仪，设置仪器参数;闭合仿真开关,即可得到伏安特性曲光标，可以读出管压降及其对应的电流值。如图所示：
举一反三实验
利用IV分析仪测试二极管的伏安特性简单易行,而且可以推而广之，采用同样方法测出晶体三极管和各种场效应管的特性曲线。如图
最低0.47元/天 解锁文章
扫一扫
754
被折叠的 条评论
为什么被折叠?
到【灌水乐园】发言
