模拟ic入门——设计一个比较器（一）比较器的基本指标和架构

一、比较器的基本概念

比较器作为 SAR ADC 中的核心模块，其性能决定着 SAR ADC 的功耗、速度和精度等性能。

二、比较器的基本指标

主要分为静态特性和动态特性，也称为精度指标和速度指标。静态包括增益、精度、 失调电压、输入共模范围以及噪声；动态特性主要体现在建立时间

增益：在实际设计中比较器具有有限的增益，增益越大，对输入信号差值识别能力越强。比较器的增益是最为重要的特性，决定了比较器能在两个二进制数字之间转换所需的最小输入变化量，也就是定义了比较器的精度。与adc的LSB紧密相关

失调电压Voffset：输入电压差值在一个大于零的值时输出才发生变化，这个大于零的差值为比较器的输入失调电压Voffset，输入失调电压越小则精度越高。理想的输入失调电压为0V，但受生产工艺的偏差、环境以及工作点设置的影响，目前设计的比较器结构其输入失调电压基本不能达到0V

输入共模范围：在比较器工作在连续得出比较结果的状态下输入的电压范围称为输入共模范围

回踢噪声：由于MOS管电荷馈通，比较器的输出数字逻辑信号会对输入电压信号的影响产生的噪声。回踢噪声会在比较器引入一部分失调电压，应用在SAR ADC中会进一步影响其精度

建立时间：很重要的动态参数，建立时间就是比较器对阶跃信号的响应时间，从阶跃信号输入到比较器输出稳定值的时间长度。在比较器中，建立时间，响应时间，传输时延是一个意思

三、比较器的架构

从工作原理我们可把比较器划分为开环比较器和可再生比较器（锁存比较器）。

开环比较器是基于非补偿运算放大器，而可再生比较器应用类似于传放大器或触发器的正反馈来完成对两个信号幅度的比较，可再生比较器又称为锁存比较器。开环比较器由两级或两级以上放大器开环使用，通常开环放大器容易实现高精度，但开环比较器的功耗相对于可再生比较器较大。

可再生比较器传输时延低，由于存在锁存器，容易设计为超高速比较器，但它的输出失调电压较大，因此不容易实现高精度。若将上述两种比较器级联，则该比较器可应用在逐次逼近型模数转换器中，既满足精度要求又可实现高速

（1）开环比较器

这里介绍两种高精度的比较器

带有正反馈环路的源极交叉耦合差分对

这里交叉耦合对提供负阻2/gm，当M6和M8接近时可以认为增益接近正无穷，但此时要考虑M4的ro，这是一个问题，所以在实际中也很难做到无穷的增益。这个电路优点是diode连接不需要稳定共模点（可以看Sansen的书）

四种提高增益的方法（Sansen Chapter#2&3） - 知乎

折叠式Cascode

这个结构应该很熟悉了，可以很轻松写出其增益，也不需要提供共模点

优点：具有高增益，没有时钟不会有回踢噪声，可以把失调电压做的很小

缺点：一直存在静态功耗，高增益下高带宽很难设计，具有记忆性

（2）动态锁存器

关于StrongARM网上有很多资料，具体原理可以参考下面三篇，第一篇是一个up主对于结构的解读，基于Razavi的论文，第二篇附上论文原文，第三篇也是介绍latch的

StrongARM Latch比较器设计 - 知乎

The StrongARM Latch [A Circuit for All Seasons] | IEEE Journals & Magazine | IEEE Xplore

SAR ADC设计17：LATCH比较器_sar型adc设计实例-CSDN博客

LATCH比较器结构：
        M1、M2 是锁存器输入对管，M3-M4 、M5-M6 构成互咬的反相器。
        M7 是尾电流源，同时也用于锁存器复位。M8-M11 构成复位开关（有时不加M10-M11）

工作原理：
        LATCH比较器利用两个背靠背的反相器正反馈实现两个信号的比较。
        比较器复位阶段：CLK='0，M8/M9/M10/M11导通，将Vop和Von复位至高电平。
        比较器比较阶段：CLK上升沿触发比较，LATCH比较器开始工作

后面加反相器可以增大驱动能力（我个人理解有两个原因，一是有阈值损失，加反相器可以拉到轨到轨；二是减少前级带来的寄生电等效应），可以加一级两级甚至三级

优点：由时钟控制，仅仅在一个CLK相位中比较，功耗比较低，不具有记忆性

缺点：时钟会带来回踢噪声，可能存在亚稳态，Latch的输入失调电压比较大

（3）pre-AMP+Latch

这是几种典型的pre-AMP+Latch的结构，优点是充分利用两者的优势，没有静态电流，用于低功耗场景（下图摘自李福乐老师PPT）

四、电路仿真

我们选择上面的StrongARM结构进行仿真

仿真结果如图所示

（1）先仿一下输入输出信号

从仿真结果可以非常清晰看出加入反相器的作用，不加反相器毛刺会很大

（2）蒙特卡洛仿真

仿一下失调电压，结合失调电压的定义，我们希望当vip穿过vin的时候，VOP也正好跳变，但这是不可能的，总会存在失调，也就是VOP向左或向右的偏差（考虑VON也可以）。我们以上图中的Von为例来测一下失调电压

选择vno右键send to calculator即可，选择cross函数，threshold value设置0.9，表示从0.9穿过，Edge number选1表示向上穿过

打开ADE L，再打开ADE XL，这样可以把ADE L仿真下的一些参数传递过来，可以看到和ADE L的界面几乎是一模一样，选择左侧Corners下面Click to add corner，新建一个Corner

Model Files选Click to add，选择Import from Tests，保持默认，点OK

对于工艺角仿真我们一般选ff或ss等，而对蒙卡仿真一般选一个mc就可以，点OK，可以看到左侧mc已经添加进去了。关于工艺角和蒙卡的区别，工艺角比如tt,ff,ss是一个固定的工艺，蒙卡是一个概率分布，一个采样

同一栏可以设置其参数，Process和Mismatch都进行仿真跑50个点，点OK，然后直接跑。有时候可能会报错，可能是对应的工艺库没有相关的蒙卡模型，比如电阻电容，我们可以进行替换，这个具体问题具体分析，但是我用的SMIC0.18的库是都支持的

可以实时查看仿真进度，仿真完成点击，可以看到失调误差大概在

可以看到失调电压为7.7uV，但这个值显然不对，因为我们在做蒙特卡洛仿真时应该选择ckt模型而不是普通模型，这里仅做个示范

后来发现不是ckt的问题，是输出接了电容负载，按照eetop上别人的总结，在输出端加了理想比较器以及D触发器，仿真出来结果如下，10.3u左右，可以通过增大输入对管的尺寸或采用多级放大结构来减小失调电压

参考动态比较器失调电压仿真-CSDN博客