模拟ic入门——设计一个两级运放（三）电路仿真实例

模拟ic入门——设计一个两级运放（一）两级运算放大器设计基础-CSDN博客​​​​​​​

模拟ic入门——设计一个两级运放（二）两级运算放大器结构确定与参数计算-CSDN博客

本节我们来通过virtuoso仿真上节计算的电路参数，分为三个部分DC仿真的，AC仿真以及trans分析

一、DC仿真

（1）静态工作点

在电路各个部分全部设计完成后，首先进行 dc 仿真，查看电路静态工作点是否正确，MOS 管是否饱和，如图所示

从图中可以看出，电路中每个 MOS 管都工作在饱和区，其中流经M6的电流为328.887uA， M1 与 M2 的跨导 gm 为 1.29mS ，高于设计值。这是由于设计基准电流源时采用的gm/ID与过驱动电压之间的近似计算，以及未考虑MOS 管的二级效应产生的

如果我们需要将M6的电流固定为209uA,怎么办呢？

我们可以通过修改电阻R1的大小，可以使基准电流源产生的电流更加准确。在本设计中，在选择合适的电阻R1大小我们仍然选择通过仿真器来进行操作

具体操作为：

首先设置电阻 R1 的大小为一个变量“R” ；然后再 ADE 仿真工具中选择 dc直流分析， “Sweep Variable“ 选择”Design Variable “ ；然后设计变量选择”R“ 后，设置一个合适的扫描范围进行扫描分析，而输出选择流经M12与 M13 的漏源电流，全部设置完成后，进行仿真。如图所 示，就可以在曲线图中找到最合适的电阻大小，从而产生所需的电流值。

这里有一个技巧：输出可能是电流和电压值，电压选线，电流选点！详见这个博主写的

关于Cadence Virtuoso ADE L仿真时纵坐标为电流而不是电压的问题_virtuoso trans仿真看电流-CSDN博客 当电流大小为209μA时，两条支路的电流并不相同，为了减小误差，取两种情况下电阻的中间值，设电阻R1为994.5Ω ，对电路再次进行直流仿真

从仿真图 可以看出，M6的漏电流大小为 207.4μA ，已经非常接近理论计算值

（2）静态功耗仿真

修改电阻 R1 后，再次对电路进行仿真查看电路的静态功耗，其中仿真电路图如图 所示

仿真成功运行后，点击ADE仿真环境菜单栏“Results” 中 “Print” 中的 “DC Operating Points” ，再点击运放电路的电压源信号

以得出电路工作的静态电流大小为2.72396mA，所以电路的静态功耗3V*2.72396mA=8.17189mW，符合设计指标的要求

二、AC仿真

（1）增益与相位裕度仿真

交流小信号分析，可以得到电路的增益以及相位关系。运放的输入端接共模电压1.5V、交

流电压幅值为 1V ，相位相反的电压源

增益达到了93.56 dB ，单位增益带宽GBW 为 55MHz ，而相位裕度为69.4 ° ，均达到了设计要求

（2）共模抑制比CMRR仿真

对运放的共模抑制比进行仿真，可以将运放连接成单位增益负反馈形式。首先对反相输入端接一

个交流电压幅值为 1V 的电压源并连接至输出端，正相输入端则接一个共模电压为1.5V 、交流电压

幅值为1V 的电压源，仿真所用的电路图如图 所示

对电路进行 ac仿真，可以看出，运放的共模抑制比为90.7396dB ，达到了指标要求

如果还想要增大CMRR，怎么办？

观察差分输入级中的电流源，若想提高共模抑制比则需减小电流失配，其中过驱动电压VOD 与 gm/ID值已经确定，因此应尽量不考虑修改电流源晶体管的过驱动电压。除了增大过驱动电压可以增强电流镜的匹配性，还可以增大沟道长度L ，而本设计所采用的电流源MOS 管的L为 600nm ，为了减小失配，选择将所有的电流源MOS 管的 L 增大两倍，同样其W 也要增大两倍

（3）电源抑制比 PSRR 仿真

对电路的电源信号处叠加一个交流电压为1V 的电压源，将运放的正相输入端直接接输出端，反相输入端接共模电压1.5V

低频时电源抑制比为97.0811dB，满足设计指标

三、trans分析

测SR大小

输出信号在上升阶段的 SR 为 28.1042M

在下降阶段的 SR 为53.8410 M

因此运放的压摆率 SR为28.1042M，满足设计指标的要求

本节我们通过virtuoso仿真上节计算的电路参数，均满足要求。至此，一个简单的Miller补偿二级运放电路就设计完成了，后续会有版图和DRC,LVS等