模拟ic入门——设计一个两级运放（二）两级运算放大器结构确定与参数计算

模拟ic入门——设计一个两级运放（一）两级运算放大器设计基础-CSDN博客

模拟ic入门——设计一个两级运放（三）电路仿真实例-CSDN博客

上一节中我们介绍了两级运放的结构，着重介绍了gm/Id法的应用，本节我们就应用gm/Id法来确定电路结构和参数选择

一、两级运放设计目标

使用 SMIC 0.18μm 工艺，设计一款两级运算放大器，其中放大器的设计指标如下表所示：

二、 确定电路结构

通过观察上文中指标对增益、带宽、相位裕度等要求，首先可以明确该电路指标中的增益以及功耗对两级运算放大器的要求并不苛刻，可以通过比较常见的结构来满足要求

（1）输入级——高增益

输入级采用最简单的五管差分放大单元（OTA）就可以满足要求

（2）输出级——大摆幅

输出级采用共源极结构，因为共源极能提供较大的输出摆幅。要求摆幅＞2.4V，而电源电压为3V。将电压余度分配到MOS管上0.6V，这大约是两个MOS管的过驱动电压，对于折叠式共源共栅结构以及共源共栅结构都很难达到要求

结论：因此本设计选用了经典五管差分输入单元来用作两级放大器的输入级，而输出级选择共源放大器作为第二级，从而提高电压摆幅，电路的整体结构图如下图所示

三、选择gm/ID参数大小

利用优值系数 FoM 来反映不同 g m / I D 大小对 MOS 管性能的影响，令

f T 反映了 MOS 管的工作速度

g m / I D 则反映了 MOS 管的跨导产生效率

通过对 gm/ID 进行扫描，得到 关系图。从图中可以看出，当gm/ID范围取 6 ~ 14 之间，MOS 管的综合性能表现最好

FoM 与 gm/ID 的关系图

具体到为电路中的每一个 MOS 管时选取gm/ID值时，就需要考虑到电路的指标，通过分析不同的指标对gm/ID 的要求，并进行一定的折中，最终确定不同MOS 管的gm/ID值

（1）噪声

此时选择一个较大的g m 值能够减小电流噪声，即为用作放大器的 MOS 管选

择一个较大的 g m / I D 值

（2） 过驱动电压V OD

如果需要一个较大的输出摆幅，那么作为电流源工作的晶体管要有一个较小的过驱

动电压，由 ，则需要选择一个较大的gm/ID值

（3）失配

失配是导致高失调和低共模抑制比CMRR 、低电源抑制比PSRR 的主要原因。通常在对差动放大器进行分析时都是建立在电路完全对称的情况下。但实际情况下，完全相同的两个器件也可能存在着失配现象。

对于上图 的差分输入电路，经过计算，我们得出其直流失调电压为

输入差分对的失调电压与过驱动电压成正比，因此在设计时，对于电流一定的情况下，过驱动电压越大，gm/ID 越小，其输入失调电压越小，这就意味着输入管的gm/ID 不能太大，否则会增强电路的非线性

而对于电流镜的电流失配，用平均电流值归一化后可以表示为

对于电流镜的电流失配，通过 可以看出，增大过驱动电压可以减小电流适配，即在选择电流镜的gm/ID 时应尽量选择一个较小的值

（4）功耗

假如电路要求功耗非常低，则必须为电路中的MOS 管选择较大的 gm/ID 值，如图所示

（5）速度

如果对电路有速度的要求，则需尽可能减小MOS 管的 gm/ID 值，如图所示

结论：在最终进行选择gm/ID时，应对多方影响因素进行权衡，尤其是考虑gm/ID对这些性能参数影响的优先级

四、 电路具体参数的确定

在本设计中，考虑到电路的速度大小、过驱动电压的选取以及功耗，选择统一为电路中的放大管设置g m / I D 值为 12 ，作为电流源工作的晶体管其 g m / I D 值为 6

（ 1 ）输入管 gm 的确定

已知指标GB 要求不小于 40MHz

对于本章节所设计的两级运算放大器， g m 即差分输入对管 M 1 与 M 2 的跨导g m1 与 g m2 ，公式中的 C L 为第一级的负载电容

在一些设计中，为了方便会直接取米勒电容Cc 作为 C L ，这其中存在一定的误差，在计算时，考虑到前后两级电路中输入输出寄生电容的影响，一般会取电容值稍大于Cc 来作为C L1 。根据模拟设计经验，米勒电容 Cc 一般为 0.25 ~ 0.5 倍的 C L ，此时的相位裕度对应为60 ° ~ 90 ° ，假设电路中米勒补偿电容 Cc 为 4pF ，那么取 C L1 稍大于 Cc ，令 C L =5pF ，将其代入公式 中进行计算，得到

作为两级放大器，电路往往需要进行频率补偿，在电路引入米勒补偿后，电路极点发生了分裂，形成了单极点近似，为了让电路更加稳定，电路的非主极点ω p2 ，即第二级运放电路带来的极点，要求大于单位增益带宽 ω u ，一般取2~3 倍，即

而 Cc   =0.4 C L ，取最小值计算，最终算得 g m5 =7.5 g m1 。也就是 g m5 至少要大于7.5倍的 g m1 ，在本设计里令 g m5 =10 g m1 ，即 g m5 =12.56mA/V

（ 2 ） MOS 管尺寸的确定

两级运放电路，其增益为： ， 表现为 dB 格式为 。

其中电路指标要求增益要大于 70dB ，求得电路放大倍数为 3162 ，电路总增益为第一级与第二级增益的乘积，令两级的放大倍数都为57 ，通过分析电路可以看出，第一级放大器增益为

即令 gm2ro2 ＞114，再通过查阅PMOS管的self_gain-gmoverid曲线（或自己绘制，可参照博文 gmid曲线绘制(IC617)_pmos gmid-CSDN博客)

），当self_gain大于114时，取L最小长度0.6μm就可以满足增益要求

​

再查看晶体管的 idoverw_gmoverid曲线图，如图 所示，当L=0.6μm， gm/ID 为 12 时，查阅曲线可以得出ID/W 的值为 1.20953

​

上文已经确定了 M1 、 M2 的 gm/ID等于12 ，把之前求得的 gm 代进去，计算出ID=104.66μA 。确定了 MOS管的L以及gm/ID的大小，再通过查阅曲线图得出ID/W 为 1.20953 ，将ID代入进去，就求出第一级放大器的输入管M1 与 M2 的宽长比为W/L=86.5μm/0.6μm

而对于第一级放大器中的电流镜的M3 和 M4 ，为了让电路有较小的噪声，令其gm/ID 为 6 ，再查看 NMOS管的 self_gain-gmoverid 曲线图，当self_gain 大于 117 时，同样取L=0.6μm

​

 

再查看图 5-14 中 NMOS 管的idoverw-gmoverid函数关系，当gm/ID=6时， L=0.6μm ，此时ID/W=20.8589，而 ID=104.66μA ，和输入管M1 的电流相等，代入后求出M3 与 M4 的宽 W 为 5μm

​

确定了第一级放大器的四个管的宽长比，接下来设计输出级放大电路的MOS 管。根据电路的原理

图，对于第一级的 M4 和第二级的M5 它们的直流工作点是一致的，即V GS 值是相等的。通过对电路进行直流仿真，如图所示，发现V GS 为 765mV

观察 NMOS 的 gmoverid-vgs 曲线，如下图 所示，发现当 VGS 等于765mV时， gmoverid 的值大约为 6（或者可以认为M5和M4其实VGS一样，所以gm/Id的值也一样，都为6）

​

确定晶体管 M5 的 gmoverid 的值为 6 ，接下来我们再查看NMOS 管的gmoverid-self_gain的曲线，不难发现当self_gain 大于 117 时，最小栅长L 为 0.6μm ，故 M5 的 L 就设为0.6μm

​

而 g m /I D =6 ，在前边已经求出gm5=12.56mS，将 gm5 代入后就可以求出I D =2.09mA ，再查看 NMOS 管的idoverw-gmoverid 的曲线图。如图5-17所示，当 g m /I D =6 时，ID /W=20.8582 ，可以求出其W=100.298μm，而本设计所采用的工艺库W 限制了其最大尺寸为100μm，为了减小寄生参数，不妨取W=50μm ， Multiplier=2

​

（ 3 ）偏置电路设计

本设计电路中，偏置电路是一个由两个PMOS 管、四个 NMOS 管与一个电阻R组成的共源共栅Widlar 电流镜

​

M12 与 M13 相比，源极添加了电阻R1，构成了一个微电流源， M8 与M9、 M10 与 M11 的宽长比应该相同。

两级运放中的 M6 、 M7 根据电流镜比例公式可以产生比例电流，其中流经M6 的电流在前边已经计算出为209μA（104.6*2） ，那么不妨令电流镜的输出电流也为209μA 。

对于基准电流源同样可以采用 gm/ID 设计方法。首先通过分析 电路原理图，我们可以得到以下关系式

​

又因为 ​

​

将下面两式带入上式得

​

通过选取M12和M13的gm/Id的值就可以求出电阻R1，其中Iref已经设定为209μA，不妨设M12的gm/ID大小为12，M13的gm/ID大小为6，代入上式得R=797Ω

设计电流镜的 MOS 管尺寸也可以采用gm/ID 设计方法，即通过查阅晶体管的idoverw-gmoverid 曲线图来确定MOS 管的宽长比

​

M6 可以采用两倍的M1的宽长比，在设计中选择将M6的Multiplier 直接变为 2 ，这样就相当于两个M1 尺寸的 PMOS 管并联

同样 M7 的 Multiplier 改为 20 ，就可以直接获得2.09mA 的电流

M8 与 M9 的漏电流与 M6 的漏电流相等，所以直接复制M6 的尺寸给M8与 M9

M10 与 M11 的漏电流等于两倍的 M3与M4 的漏电流，所以采用相同的方法直接复制M3 的宽长比给 M10 与M11，并将这两个 MOS 管的Multiplier设为 2

对于 M 12 与 M 13 ，采用 g m /I D 设计方法，通过查阅idoverw-gmoverid 曲线图可以得出其W 0 令 M 12 与 M 13 的 L 都为0.6μm ，通过图 5-19 可以得出gm /I D 为 6 和 12 时， I D /W 分别为20.8589与 4.83269 ，将 I D =209μA 代入后可以分别得出M 12 的 W 为43.25μm， M 13 的 W 为 10μm

器件参数最终如下表所示

​

本节介绍了两级运算放大器结构确定与参数计算，下一节介绍两级运放的电路仿真