1、首先场效应管一般分为2种:
• 结型场效应管(junction FET—JFET)
• 金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)
常说的mos管就是指的第2种
2、mos管的分类
• 按沟道 mos管分为 P-mos和N-mos
• 按材料分为 增强型和耗尽型
因此组合起来就有4种mos管。其中增强型和耗尽型的区别是:
增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止。
所以实际一般使用的是增强型P-mos和增强型N-mos。
3、mos管图示及导通条件,导通后电流方向。
monfet拥有3个极,即G:栅极(Gate),D:漏极(Drain),S:源极(Source)
图示:
1)无论是P沟道还是N沟道,两条线相交的都是S极。
2)N沟道箭头朝内,P沟道箭头朝外。
3)寄生二极管的方向,按照图示,与小箭头出发的方向一致。
4)注意D和S,第1张图S极在上面,第2张图S极在下面。本质是一样的。
5)G极输入有一个间隙,图示,表明这里是用了一层SiO2,绝缘材料说明输入阻抗无限大。
导通条件:
MOS管是压控型,导通由G和S极之间压差决定。
• Nmos的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况
• Pmos的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况
这个一定的值就是阈值电压。所谓COMS就是NMOS和PMOS的组合。
导通之后,如果在 D 极和 S 极之间加上一定的电压,就会有电流产生。
这个时候需要注意电流是经过mos管还是其寄生二极管。正常情况下,如下图所示:mos管导通,寄生二极管截至。
反接情况时,寄生二极管导通,电流流过。
所以mos管导通后的电流方向可以从D到S,也可以从S到D,具体要根据电路情况确定。
4、mos管的特点小结
1)输入阻抗无限大
2)只容许从信号源取少量电流的情况下,选用MOS管;在信号电压较低,有容许从信号源取较多电流的条件下,选用三极管。