STM32F103学习笔记 一起加油

stm32F103VET6系统框图

驱动单元 被动单元

ICode总线读取Flash Flash存程序转换成的指令和常量

DCode总线读SRAM和Flash SRAM存变量

System总线读寄存器

DMA总线把数据搬到寄存器

DCode总线和DMA总线同时读取数据，总线总裁的作用就出来了

FSMC接外存

AHB系统总线接RCC SDIO外设

桥接器连APB1 APB2接外设

STM32F103VET6的存储器映射

ST给存储器分配地址叫存储器映射

8个512MB BANK块

BANK0是Flash用64KB BANK1是SRAM用64KB BANK2是外设 

BANK3 BANK4 BANK5是FSMC  BANK6不用 

BANK7是Cortex-M3内外设

编程：sbit是重命名 要有= 空格 给每一位重命名

寄存器映射：sfr也是重命名 也要有= 空格 将寄存器地址命名一个名字

GPIO框图解读：

I/O引脚不能直接接电机要用驱动电路隔离不然整个芯片烧坏，当输入电压高于3.3伏会流向上面的二极管而不会流入里面防烧坏，当I/O引脚低于0伏时下面的二极管流出引脚

推挽输出：数据寄存器相应位为1时，反向器变为0，上面的MOS管导通推到GPIO为VDD高电平，数据寄存器为0时，反向器变为1，下面的MOS管导通把GPIO拉到和VSS一样为低电平，

开漏输出：上面MOS管禁止，当数据寄存器为0时，变为1，下面MOS把I/O口拉为低电平，当为1时，变为0，I/O口为高阻态，如果要输入高电平要外接上拉电阻和电源VDD，比如传感器要5V驱动，VDD就要接5V

位设置/清除寄存器会写入输出数据寄存器，高16位全写1让ODR清0，低16位全写1让ODR置1，同时写1低16位优先

配置低寄存器和高寄存器同时控制GPIO的输入输出模式，4位对应1个GPIO端口，比如GPIOB有16个引脚，每4位控制1个端口

复用功能输出来自UART串口的数据寄存器

上拉输入/下拉输入配置通过端口配置低高寄存器和位设置/清除寄存器，上拉输入位设置全1，就是低16位全1，下拉输入位清除全1，就是高16位全1

高于2V施密特触发器就选择1，低于1.2V施密特触发器就选择0到输入，就是转换为高低电平，复用功能输入经过施密特触发器，模拟输入不经过施密特触发器，这两个功能未知