计算机组成原理（九）

第四章 存储子系统-1

一.概述

计算机的重要特点之一是具有存储能力，这是它能够自动连续执行程序，进行广泛信息处理的重要基础。

本章需解决的主要问题：

（1）存储器如何存储信息？

（2）在实际应用中如何用存储芯片组成具有一定容 量的存储器？

（存储器是用来存放大量程序与数据的计算机部件）

存储系统特别是主存储器与CPU之间有大量的信息交换操作，因此对存储器最基本的要求有三点：       存储容量大、存取速度快、成本价格低

计算机的工作表现为读取与执行指令：     

1.执行指令是在CPU内完成，  

   2.读取指令是在存储器中完成的， 但因两者速度不匹配，造成了所谓的“瓶颈”问题。

如何解决?

1）再努力改进制造工艺，寻求新的存储机理，以提高存储器的性能；

2）采用存储器分层结构来满足计算机系统对存储器不同方面的要求。     

典型的三级存储体系结构，分为“高速缓冲存储器-主存-外存”三个层次。(主要)

1.存储器的层次结构 

1.主存储

定义：能由CPU直接编程访问的存储器，它存放当前CPU需要执行的程序与需要处理的数据。，通常与CPU位于同一个主机范围之内，通常被称为“内存”。

特点：存取速度快，容量有限

对主存储器的基本要求有三条：   

 (1)随机访问     (2)工作速度快     (3)具有一定的存储容量

补充：

主存储器一般由动态随机存储器(DRAM)组成，其特点是单片存储容量大，但存取速率较慢，且需要动态刷新。

常用的动态随机存储器主要有：早期的快速页面模式DRAM(FPMDRAM),具有检错纠错功能的 DRAM*ECCDRAM) ,扩展输出的DRAM(EDODRAM),同步DRAM(SDRAM),以及后续发展起来的双倍数据率SDARAM(DDRSDRAM)等。现代微型机系统的主存都已普遍采用DDR2和DDR3SDRAM技术，以上技术将在后面介绍。
除了大量采用动态随机存储器的主存，计算机系统中还有少量用于保存固化程序和数据的只读存储器(ROM),这些只读存储器通常用EPROM、E2PROM或FLASH来充当。现代微型机系统中一般使用ROM来存储固化程序和数据，如BIOS中的存储芯片。这些只读存储器中保存的程序和数据一般只在系统启动时才会调用运行。（了解）

2.外存储器

由于主存容量有限，大多数的计算机系统的大容量存储器来作为对主存的后援补充，用来存放需要联机保存但暂不使用的大量程序与数据。

特点：存取速度较慢，容量很大

PS：程序与数据只有进入主存才能真正运行，而外存储器是作为后援的。    

3、高速缓存（Cache）：

高速缓存中存放的是最近要使用的程序与数据，作为主存中当前活跃信息的副本。

特点：存取速度块，容量小

Cache作为现代计算机系统的一部分，主要是为了缓解CPU和主存之间的存取速率上面的不匹配的问题，一般由存取速率比较高的静态随机访问存储器（SRAM）来完成

4、层次结构(考试不要求)

1）主存-Cache层次  需解决：

① 地址映射

a. 直接映射：     主存的每一块只能映射到Cache的固定块中。

b. 全相联映射     主存的每一块可以映射到Cache的任一块。

c. 组相联映射     主存的每一块可以映射到Cache的多个固定块。

② 访问命中

③ Cache内容替换 ④ 数据一致性（Cache读写过程）

2）主存-外存层次

虚拟存储：主存+部分外存→虚存(用户编程空间)

       用户可在这个大空间里自由编程，不受主存容量限制，也不必考虑所编的程序将来在主存中的实际位置。
      CPU执行程序时，按照程序提供的虚地址访问主存。因此，需解决：

① 存储空间分配  ② 程序调度  ③虚-实地址转换

 2.存储器的分类

分类方式：

1.按存储介质（物理存储机制）分类

凡是明显具有并能保持两种稳定状态的物质和器件，如果能够方便地与电信号进行转换，就可以作为存储介质。

2.按存取方式分类

 1、存储介质种类：

（1）磁芯存储器 基本单位：微型磁环，上世纪50年代---70年代。

（2）半导体存储器 利用集成电路工艺制成存储芯片，是构成高速缓存、主存的单元。现在的主存储器普遍采用半导体存储器的方式。利用大规模、超大规模的集成电路的工艺。又分为静态（双极）和动态存储器（MOS）

1）静态存储器：是依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存 信息。

2）动态存储器：是依靠电容上的存储电荷暂存信息。

（3）磁表面存储器 利用磁层上不同方向的磁化区域表示信息。容量大，非破坏性读出，长期保存信息，速度慢，作外存。 是构成外存的单元之一，分为：磁卡、磁鼓、磁带、磁盘等。

（4）光盘存储器 利用光斑的有无表示信息。容量很大，非破坏性读出，长期保存信息，速度慢，作外存。

eg：

1）只读型光盘（CD-ROM）

2）写入式（只能写一次）光盘（WORM）

3）可擦除/重写型（可逆式）光盘

3.存取方式

（1）随机存取存储器（RAM/ROM）：random access memory

主存与高速缓存Cache是CPU可以直接编址访问的存储器，这就要求它们采取随机访问的存取方式。

随机存取的含义有两点：

① 可按地址随机地访问任一存储单元，如可直接访问0000单元，也可直接访问FFFF单元；CPU可按字节或字存取数据，进行处理。

② 访问各存储单元所需的读/写时间相同，与地址无关 ；可用读/写周期（存取周期）表明RAM的工作速度。

速度指标：存取周期或读/写周期。

用作主存、高速缓存。

2、只读存储器（ROM）:read only memory

只读存储器在正常工作中只能读出，不能写入。主存中常采用部分ROM固化系统软件中的核心部分、已调试好不再改变的应用软件、汉字字库一类信息。

3、顺序存取存储器（SAM）:sequential access memory

顺序存取存储器的信息是按记录块组织、顺序存放的，访问时间与信息存放位置有关。磁带是采取顺序存取方式的存储器。

4.直接存取存储器（DM）:direct access memory

访问时读/写部件先直接指向一个小区域，再在该区域内顺序查找。访问时间与数据位置有关。

二.半导体存储器

（一）.静态MOS存储单元与芯片（SRAM）

1、组成

   1.T1和T3、T2和T4,分别是两组MOS反相器，这两个反相器通过彼此的交叉反馈，构成一个双稳态触发器。

   2.T3和T4是两个控制门K管，由字线控制它们的通断。

   3.当字线Z加高电平时，T3与T2导通，通过一组位线W、,可对双稳态电路进行读写操2作。当字线Z为低电平时，T3和T4断开，位线与内部电路脱离，双稳态电路因此进入信息保持状态。

2 、定义

若T1通导而T2截止，存入信息为0；若T1截止而T2导通，存入信息为1。

3、工作

1）写入：

首先字线Z加高电平时，T5、T6 导通，选中该单元。

写“0”, W ̅低电平，W高电平：

a. W ̅加低电平，若W ̅电压＞VA 

则: W ̅ →T5→A→T1→对地放电，使A1变为低电平→T2截止；

b. 同时，W加高电平，通过W →T6→B→B1加高电平，使T1导通。

写”1” , W ̅高电平，W低电平：

a. W加低电平，若W电压＞VB1

则W →T6→B→T2→对地放电， 使B1变为低电平→T1截止；

b.  W ̅加高电平,通过W ̅ →T5→A→A1加高电平, 使T2导通；

2）读出：

先对位线W、 W ̅充电至高电平, 该电平是浮动的,可随充放电而变；然后对字线Z加高电平,使 T5、T6导通。

读”0”（即T1导通）：

位线W ̅上的W ̅电压＞ VA的电压,则W ̅ →T5→A→T1→地，形成放电回路，即有电流经W ̅ →T1，经放大为“0”信号,表明原存储信息为0。此时T2截止(VA1=VA=0)， W上无电流。

读”1”（即T2导通） ：

位线W上的W电压＞VB的电压，则W →T6→B→T2→地，形成放电回路，即有电流经W →T2，经放大为“1”信号，表明原存储信息为1。此时T1截止(Vb1=Vb=0)， W ̅上无电流。

3）保持：

字线Z加低电平，门管T5与T6断开，位线与双稳态电路隔离,双稳态电路依靠自身的交叉反馈保持原有状态不变。

总之， W ̅上有电流为0， W上有电流为1。上述读出过程并不改变双稳态电路原有状态，属于非破坏性读出。

4、存储芯片

例如：SRAM芯片2114    （1K×4位）外部特性

地址端：A9~A0（入） 数据端：D3~D0（入/出）

（二）.动态MOS存储单元与存储芯片

1、动态MOS存储器的基本存储原理

是将存储信息以电荷形式存于电容之中，这种电容可以是MOS管栅极电容，或者是专用的MOS电容，通常定义电容充电至高电平时为1；放电至低电平时为0。

2、概念

1）刷新：在MOS管断开之后，电容内部总存在泄漏通路，难以使泄漏电阻达到无穷大。时间过长，电容上的电荷会通过泄漏电路放电，使所存储的信息丢失。为此，经过一定时间后就需要对存储内容重写一遍，也就是对存1的电容重新充电，称为刷新。

2）重写(再生)：

对于单管动态MOS存储单元而言，读操作后电容C上的电荷 将发生变化，属于破坏性读出，需要读后对存1的电容补充电荷，称为重写(再生)。这一过程，由芯片内的外围电路自动实现。

3、动态MOS四管存储单元电路（非双稳态电路） 

1）组成

T1、T2：记忆管

C1、C2：柵极电容

T3、T4：控制门管

Z：字线

𝑾 、 𝑾 _：位线

2）定义

“0”：T1导通，T2截止（C1有电荷，C2无电荷）；

“1”：T1截止，T2导通（C1无电荷，C2有电荷）。

3）工作(跟前面的SRAM很相似，就不画图了（真的很累）)

（注意C1、C2是电容的充放电的问题）

① 写入

首先字线Z加高电平时， T3、T4导通。’

写”0”：

a. W ̅加低电平,若VA1＞VA，则C2→A1→A→T1→对地放电，(使VA1变为低电平→T2截止；)    C2→A1→A→T3→ W ̅放电（瞬间）

b. W加高电平，通过W →T4→B→B1→C1充电至高电平，使T1导通。

写”1”：

a. W ̅加高电平, W ̅ →T3→A→A1→C2充电至高电平,使T2 导通。

b. W加低电平,若VB1>VB,则C1→B1→B→T2→对地放电, （使VB1变为低电平→T1截止；）C1→B1→B→T4→对W 放电（瞬间）。

②保持

字线Z加低电平时，T3、T4断开，基本上无放电回路，仅存在泄漏电流，信息可暂存数毫秒。

③读出

先对位线W 、 W ̅充电至高电平, 该电平是浮动的；然后对字线 Z加高电平，使T3、T4导通。

读”0”：

C1上有电荷 ,VB1为高电平,T1导通, W ̅ →T3→A→T1→对地放电，即W ̅上有电流通过，放大后作为0信号读出； 同时， W →T4→B→B1→C1充电至高电平，补充泄漏掉的电荷四管单元为非破坏性读出，且读出过程为刷新过程。

读”1”： C2上有电荷,VA1为高电平,T2导通, W →T4→B→T2→对地放电，即W上有电流通过，放大后作为1信号读出； 同时, W ̅ →T3→A→A1→C2充电至高电平，补充泄漏掉 的电荷四管单元为非破坏性读出，且读出过程为刷新过程。

刷新：时间过长，电容上的电荷会通过泄漏电路放电，使所存储的信息丢失。为此，经过一定时间后就需要对存储内容重写一遍，也就是对存1的电容重新充电，称为刷新。

注：动态MOS四管存储单元电路读出过程就是刷新过程。

4.单管单元

1）组成

C：记忆单元    T：控制门管   Z：字线    W：位线

2）定义     “0”：C无电荷，电平V0（低）

                  “1”：C有电荷，电平V1（高）

3）工作     写入：Z加高电平，T导通.               

                 写0：在位线W上加低电平；  

                 写1：在位线W上加高电平。

保持：Z加低电平，T截止，该单元未选中，保持原状态。

读出：    

W先对分布电容C充电预充电，使C的电位Vm =(V1+V0)/2，断开充电回路。 Z加高电平，T导通，据W线电位变化, 读出1/0。 若原有信息为0, 则W通过T向C充电, 使位线W的电平下降;  若原有信息为1, 则C通过T向位线W放电,使W的电平上升。根据位线W电平变化的方向和幅度判断是“0”或“1”。     单管单元是破坏性读出，读出后需重写。