半导体基础知识

本文介绍了半导体材料的基础概念,包括本征半导体的结构、载流子类型及其浓度、杂质半导体(N型和P型)的形成及其特性。重点讲解了PN结的形成、动态平衡、单向导电性(正向偏置和反向偏置)以及伏安特性,包括齐纳击穿和雪崩击穿两种基本的反向击穿现象。

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1.本征半导体

  • 半导体

指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。

为什么采用半导体材料制作电子元件?

物质的导电性取决于原子结构,而半导体材料的最外层电子既不像导体那样容易摆脱原子核的束缚,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧,因而其导电性介于二者之间。在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂志元素时,导电性能可以有几百万倍的增长,因此导电性能具有可控性;并且在光照和热辐射条件下,其导电性能还有明显的变化;这些特殊性质决定了半导体可以制成各种电子器件。

  • 本征半导体

指纯净的具有晶体结构的半导体。晶体中的原子在空间中形成排列整齐的点阵,称之为晶格

本征半导体的两种载流子:

自由电子:最外层电子(价电子)由于热运动(热激发)获得足够能量,挣脱共价键的束缚而形成。  此时原子核因失去一个电子而带正电。

空穴:自由电子形成后,共价键中留有的一个空余位置。因此,在本征半导体中,自由电子和空穴是成对存在的。

若在本征半导体两端外加一电场,一方面自由电子在电场力作用下定向移动,形成电子电流。另一方面,在自由电子移动的过程中,由于空穴的存在,部分自由电子将填补空穴,即:空穴也将产生定向移动,形成空穴电流。本征半导体中的电流是这两种电流之和

载流子:指运载电荷的粒子。故在本征半导体中,自由电子和空穴均为载流子。

  • 本征半导体载流子浓度

本征激发

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