半导体基础知识

1.本征半导体

• 半导体

指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。

为什么采用半导体材料制作电子元件？

物质的导电性取决于原子结构，而半导体材料的最外层电子既不像导体那样容易摆脱原子核的束缚，也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧，因而其导电性介于二者之间。在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂志元素时，导电性能可以有几百万倍的增长，因此导电性能具有可控性；并且在光照和热辐射条件下，其导电性能还有明显的变化；这些特殊性质决定了半导体可以制成各种电子器件。

• 本征半导体

指纯净的具有晶体结构的半导体。晶体中的原子在空间中形成排列整齐的点阵，称之为晶格。

本征半导体的两种载流子：

自由电子：最外层电子（价电子）由于热运动（热激发）获得足够能量，挣脱共价键的束缚而形成。  此时原子核因失去一个电子而带正电。

空穴：自由电子形成后，共价键中留有的一个空余位置。因此，在本征半导体中，自由电子和空穴是成对存在的。

若在本征半导体两端外加一电场，一方面自由电子在电场力作用下定向移动，形成电子电流。另一方面，在自由电子移动的过程中，由于空穴的存在，部分自由电子将填补空穴，即：空穴也将产生定向移动，形成空穴电流。本征半导体中的电流是这两种电流之和。

载流子：指运载电荷的粒子。故在本征半导体中，自由电子和空穴均为载流子。

• 本征半导体载流子浓度

本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴成对的现象。

复合：自由电子在运动过程中填补空穴，然后两者共同消失的现象。

动态平衡：在一定温度下，本征激发速度和复合速度一样。（即：载流子浓度是一定的，且自由电子和空穴浓度相等）

当环境温度升高时，热运动加剧，空穴和自由电子增多，即载流子浓度升高，导电能力增强；当环境温度下降时，载流子浓度降低，导电性能变差。可见本征半导体导电性取决于载流子浓度，同时与环境温度密切相关。这种对温度的敏感性，可以用来制作光敏和热敏器件。

应当指出，本征半导体导电能力很差。

2.杂质半导体

• N型半导体

在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如：磷元素），使之代替晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

由于杂质原子有五个价电子，因此除了形成共价键外，还多出一个电子，此电子不受共价键约束，只要一点能量就能形成自由电子（常温下就能为自由电子）。N型半导体中，自由电子浓度大于空穴浓度，故称自由电子为多数载流子，简称：多子；称空穴为少数载流子，简称：少子；由于杂质原子可以提供电子，故将其称之为施主原子。

• P型半导体

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如：硼元素），使之代替晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。

由于杂质原子只有三个价电子，因此在形成共价键是，还多出一个空穴。P型半导体中，空穴浓度大于自由电子浓度，空穴为多子，自由电子为少子；由于杂质原子可以吸收电子，故将其称之为受主原子。

对于上述两种半导体，掺入杂质将使多子数量大幅度增加（可以认为多子浓度就等于所掺杂质原子浓度），从而提高多子与少子复合机会。因此，对于杂质半导体，多子的浓度越高，少子浓度就越低。也正因为多子太多，在温度变化时，热运动引起的多子变化可忽略不计；但对少子而言，少子浓度对温度非常敏感。

3.PN结

将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上，它们的交界处就会形成PN结。

• PN结的形成

当把P型半导体和N型半导体制作在一起时，在它们的交界面，由于自由电子和空穴浓度相差很大，因此在扩散作用下，P区的空穴向N区扩散，N区的自由电子向P区扩散，由于扩散到N区的空穴与自由电子复合，扩散到P区的自由电子与空穴复合，所以在交界面附近多子浓度大幅下降，P区出现负离子区，N区出现正离子区，它们是不能移动的空间电荷区（即：PN结），会形成由N区指向P区的内电场，既会阻止多子的扩散运动，又会带动少子在内电场力作用下的运动（即：漂移运动）。当两种运动的粒子数目相等时，达到动态平衡，形成平衡状态下的PN结。

大部分空间电荷区内的自由电子和空穴都很少，在分析PN结时常忽略载流子，这种方法称之为“耗尽层近似”，故空间电荷区也称之为耗尽层。

不对称PN结：

对称结：当P区与N区的杂质浓度相等时，负离子区和正离子区的宽度也相等，称为对称结。

不对称PN结：当两边杂质浓度不一样时，高浓度一边的离子区宽度低于低浓度一边的离子区。（因为高浓度边的多子比低浓度边的多子扩散范围更广）

• PN结的单向导电性

正向偏置（正向接法）：

指将电源正极接到PN结的P端，负极接到PN结的N端。此时称PN结外加正向电压。

PN结正向偏置时处于导通状态。此时外电场（与内电场方向相反）将多子推向空间电荷区，削弱了内电场，从而使扩散运动加剧，漂移运动减弱。在电源的作用下，扩散运动将源源不断地进行，从而形成正向电流。

由于PN结导通时结压降只有零点几伏，因而在回路中常串联一个电阻来限制电流，防止PN结因电流过大而损坏。

反向偏置（反向接法）:

指将电源正极接到PN结的N端，负极接到PN结的P端。此时称PN结外加反向电压。

PN结外加反向电压处于截止状态。此时外电场与内电场同向，加强了内电场，使空间电荷区变宽，阻止扩散运动的进行，加剧漂移运动，形成反向电流（漂移电流）。但反向电流非常小，经常忽略不计，认为PN结处于截止状态。

• PN结的伏安特性

PN结的伏安特性（外特性）直观形象地表示了PN结的单向导电性。在正向电压下，PN结呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流。在反向电压下，PN结呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。如下图所示。

正向特性是指当外加电源后，P区的电位高于N区，即外电场由P区指向N区。在这种情况下，外电场方向与内电场方向相反，因此内电场受到削弱，内电场对扩散运动的阻碍减弱，扩散电流增大。此时总的电流是较大的，即PN结加正向电压时呈现低阻性。

反向特性是指当外加电源后，N区的电位高于P区，即外电场方向由N区指向P区。在这种情况下，外电场方向与内电场方向相同，内电场受到加强，于是内电场对扩散运动的阻碍加强，扩散电流大幅减小。此时，虽然外电场对漂移运动的促进也加强，但由于漂移电流相比于扩散电流太小，所以总电流仍然很小。当反向电压越来越大的时候，电流也会急剧增大，这个现象就是反向击穿。

PN结的伏安特性方程可以近似为：i=Is(e^(u/Vt)-1)，其中i为流过PN结的电流，u为PN结的外加电压，Is为反向饱和电流，Vt为温度的电压当量，e为自然对数的底数。

• 反向击穿

PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿有两种，即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。

齐纳击穿：

齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压，结层中的电场却很强（可达2.5×10^5V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。

雪崩击穿：

少子的漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时，其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来（因此需要较高反向电压），产生自由电子—空穴对，新产生的载流子在强电场作用下，再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子—空穴对，如此连锁反应，使阻挡层中的载流子数量急剧增加，像雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，空间电荷区宽，碰撞电离的机会较多。