MUR10060CT-ASEMI快恢复模块MUR10060CT

编辑-Z

MUR10060CT在MUR-2封装里采用的2个芯片，是一款快恢复模块。MUR10060CT的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为1mA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。MUR10060CT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR10060CT的电性参数是：正向电流(Io)为100A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.3V，恢复时间Trr为110ns，其中有2条引线。

MUR10060CT参数描述

型号：MUR10060CT

封装：MUR-2

特性：快恢复模块

电性参数：100A600V

芯片材质：GPP硅芯片

正向电流(Io)：100A

芯片个数：2

正向电压(VF)：1.3V

浪涌电流Ifsm：400A

漏电流(Ir)：1mA

恢复时间Trr：110ns

工作温度：-40~+175℃

引线数量：2

 

MUR10060CT快恢复模块封装系列。它的本体长度为92.2mm，宽度为20.3mm，高度为16mm，脚间距为34.9mm。MUR10060CT的特点是双二极管结构，低漏电流，低正向压降，高浪涌电流能力，超快速切换。

以上就是关于MUR10060CT-ASEMI快恢复模块MUR10060CT的详细介绍。