组合逻辑-传输门

模拟开关概述

模拟开关是一种利用固态半导体技术控制模拟信号传输路径的电子器件。其开合状态通常受数字逻辑网络的控制。市面上的模拟开关种类繁多，形态各异，例如，有单极或双极常开（NO）或常闭（NC）、单刀单掷（SPST）、单刀双掷（SPDT）等配置，与传统的电磁继电器和接触点类似，但仍有更快地响应和更低地成本。特殊的模拟开关例如，CMOS 4016，具备独特的双向传输能力，适合用作传输门（Transmission Gate，简称TG）。
传输门特性
传输门的电路符号直观地体现了其双向传输的特性：两个三角形图案叠加并指向相反方向，形象地指示了信号能够在两个方向上自由流动，这种对称的双向设计，使得传输门的输入和输出端口可以互换使用，极大地增强了电路设计的灵活性。与传统的单向传输模拟开关相比，传输门提供了更为高效的信号路由解决方案，适用于需要信号双向传输的复杂电路系统。

传输门电路结构

传输门的基本电路结构由两个MOS晶体管通过背对背并联的方式构成，其中PMOS的栅极通过一个反相器连接，以生成一对互补的控制信号。当输入控制信号VC为低电平时，NMOS和PMOS晶体管都处于截止状态，开关打开。当VC为高电平时，两个设备都被偏置到导通状态，开关闭合。

实际上，单个 NMOS 或单个 PMOS 本身可配置为传输门，但使用NMOS和PMOS并联具备一定优势：

• 导通电阻的互补性：实际上，单个NMOS或单个PMOS本身可配置为传输门，但使用NMOS和PMOS并联具备一定优势。这两种晶体管的导通电阻R_ON依赖于栅极至源极电压V_GS，并且它们的变化趋势是相反的。具体来说，当NMOS晶体管的 V_GS 增加，导致其R_ON减少时，PMOS晶体管的 V_GS会相应减小，导致其R_ON增加。反之亦然。这种互补性确保了即使在控制信号变化导致单个晶体管导电性下降时，另一个晶体管能够补偿这一变化，维持传输门的整体导通电阻相对稳定。因此，传输门的总导通电阻能够在不同栅极电压下保持一致性，减少因 V_GS变化引起的信号损失，从而提高信号传输的效率和可靠性。

• 解决弱逻辑：NMOS晶体管在栅极-源极电压V_GS远高于阈值电压V_TH时，能够完全导通，有效传递强逻辑"0"。但是，如果V_GS仅略高于V_TH，晶体管可能无法提供充足的电流驱动能力，导致只能传递弱逻辑"1"。相反地，PMOS晶体管在 V_GS远低于V_TH时导通，有效传递强逻辑"1"，而当V_GS接近或略低于V_TH时，可能无法有效截止，从而传递弱逻辑"0"。为了解决这一局限性，NMOS和PMOS晶体管在传输门中并联使用，这样可以更有效地传递清晰的逻辑电平，无论是强逻辑"0"还是强逻辑"1"，同时减少信号在传输过程中的退化。（在数字电子技术中，“弱逻辑”是指逻辑电平信号不足以清晰地代表逻辑状态0或1，这种情况可能是由于信号强度不足、电压水平未达到预期，或电路特性导致逻辑电平界定不明确。）

传输门真值表与表达式

真值表，如下图所示：

从上面的真值表中，我们可以看到输出B不仅依赖于输入A的逻辑电平，还依赖于控制输入上的逻辑电平。因此，B的逻辑电平值定义为A和控制信号的逻辑与（AND），这给出了传输门的布尔表达式：

即，传输门可使用与门来实现 。