ASEMI代理ON/安森美FGH40N60SMD原厂渠道车规级IGBT

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ON/安森美FGH40N60SMD车规级IGBT参数：

型号：FGH40N60SMD

二极管正向电流（IF）：40A

功耗（Ptot）：349W

贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 175℃

集电极到发射极电压（VCES）：600V

G−E阈值电压VGE(th)：4.5V

集电极截止电流（ICES）：250uA

G−E漏电流（IGES）：±400nA

输入电容（Cies）：1880pF

输出电容（Coes）：180pF

二极管正向电压（VFM）：2.3V

反向恢复时间（trr）：36ns

FGH40N60SMD使用新型场阻IGBT技术，安森美的新系列场停第二代IGBT为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和pf应用提供了最佳性能，在这些领域中，低传导和开关损耗是必不可少的。

 

FGH40N60SMD特征：

最高结温：TJ=175°C

正温度Co−高效，易于并行操作

高电流能力

低饱和电压：VCE（sat）=1.9 V（Typ）@IC=40 A

高输入阻抗

快速切换：EOFF=6.5μJ/A

加强参数分配

该设备为Pb−不含卤素/BFR，符合RoHS标准

FGH40N60SMD应用：

太阳能逆变器、焊机、UPS、PFC、电信、ESS

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。