ASEMI代理FGH60N60SMD安森美ON原装原厂IGBT

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安森美FGH60N60SMD原厂IGBT参数：

型号：FGH60N60SMD

集电极到发射极电压（VCES）：600V

栅极到发射极电压（VGES）：±20V

收集器电流（IC）：120A

脉冲二极管最大正向电流（IFM）：180A

最大功耗（PD）：600W

储存温度范围（TSTG）：−55 to +175℃

G−E泄漏电流（IGES）：±400nA

集电极到发射极饱和电压（VCE(sat)）：2.5V

输出电容（Coes）：270pF

二极管正向电压（VFM）：2.1V

二极管反向恢复时间（Trr）：30NS

 

FGH60N60SMD特征：

正温度系数，便于并联操作

高电流能力

低饱和电压：VCE（sat）=1.9 V（典型值）@IC=60 A

高输入阻抗

快速切换：EOFF=7.5 uJ/A

严格的参数分布

该设备不含铅，符合RoHS标准

FGH60N60SMD应用：

第二代IGBT采用新型场停IGBT技术，FGH60N60SMD可为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用提供最佳性能，其中低传导和开关损耗至关重要。